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[发明专利]简易防单插保护门-CN201711337396.9有效
发明人：贺微微;胡海舰 -专利权人：贵派电器股份有限公司
申请日： 2017-12-14 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01R13/453 文献下载
摘要：本发明属于插座技术领域，公开一种简易防单插保护门，包括安装面、L极接触部、N极接触部和弹性部件安装部，L极接触部和N极接触部均设于安装面上且对称设于弹性部件安装部两侧，L极接触部和N极接触部结构相同；L极接触部包括L极接触面和L极覆盖面，N极接触部包括N极接触面和N极覆盖面，L极接触面为L极覆盖面与安装面之间的连接面；弹性部件安装部包括与L极接触面相接的L极连接部、与N极接触面相接的N极连接部、连接L极连接部与N极连接部的安装部，L极接触面在自L极接触面与L极连接部的交接处至与交接处相对的边缘处与安装面呈4～10度角。本保护门可避免L极接触部和N极接触部被插头插片大力推开的极端现象。
简易防单插保护

[发明专利]晶体管栅极接触件及其形成方法-CN202110813522.3在审
发明人：李凯璇;杨世海;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-07-19 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本公开总体涉及晶体管栅极接触件及其形成方法。在一个实施例中，一种器件包括：源极/漏极区域，该源极/漏极区域与衬底的沟道区域邻接；接触蚀刻停止层，该接触蚀刻停止层位于源极/漏极区域上；第一源极/漏极接触件，该第一源极/漏极接触件延伸穿过接触蚀刻停止层，该第一源极/漏极接触件连接到源极/漏极区域；栅极结构，该栅极结构位于沟道区域上；栅极接触件，该栅极接触件连接到栅极结构；以及接触件间隔件，该接触件间隔件在栅极接触件周围，其中，接触件间隔件、栅极结构、接触蚀刻停止层和衬底共同限定栅极结构和第一源极/漏极接触件之间的空隙。
晶体管栅极接触及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201611114382.6有效
发明人：郑凯予 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-07 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：该方法包括一系列步骤，包括：形成晶体管，该晶体管具有位于鳍式结构内并且邻近跨越鳍式结构的栅极结构的源极/漏极区；在源极/漏极区正上方形成第一源极/漏极接触件，并且第一源极/漏极接触件电连接至源极/漏极区；在晶体管和第一源极/漏极接触件上方沉积复合阻挡结构；以及在第一源极/漏极接触件正上方形成第二源极/漏极接触件，并且第二源极/漏极接触件电连接至第一源极/漏极接触件。该方法还包括：在沉积复合阻挡结构之前沉积第二蚀刻停止层并且在第一源极/漏极接触件正上方形成第二源极/漏极接触件，并且第二源极/漏极接触件电连接至第一源极/漏极接触件。该方法还包括在第二源极/漏极接触件上方形成接触件，并且接触件电连接至第二源极/漏极接触件。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202011052596.1在审
发明人：林诗哲;黄柏瑜;王朝勋;赵高毅;王美匀;张峰瑜;林睿哲;林威戎;高承远 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：示例性互连结构包括设置在介电层中的第一源极/漏极接触件和第二源极/漏极接触件。第一源极/漏极接触件物理接触第一源极/漏极部件，并且第二源极/漏极接触件物理接触第二源极/漏极部件。第一通孔和第二通孔分别延伸至第一源极/漏极接触件和第二源极/漏极接触件并且物理接触第一源极/漏极接触件和第二源极/漏极接触件。第一通孔的第一厚度和第二通孔的第二厚度相同。第三通孔物理接触栅极结构，栅极结构设置在第一源极/漏极接触件和第二源极/漏极接触件之间。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]防单插保护门-CN201711337398.8在审
发明人：贺微微;李福平 -专利权人：贵派电器股份有限公司
申请日： 2017-12-14 - 公布日： 2018-05-18 - 主分类号： H01R13/453 文献下载
摘要：本发明属于插座技术领域，公开一种防单插保护门，包括安装面、L极接触部、N极接触部，和弹性部件安装区，弹性部件安装区与L极接触部和N极接触部固定连接，安装面为用于将防单插保护门安装至插座上的平整表面，弹性部件安装区设于安装面中心，L极接触部和N极接触部结构相同且相对于弹性部件安装区对称设置，L极接触部和N极接触部均设于安装面上；L极接触部包括L极接触面和L极覆盖面，N极接触部包括N极接触面和N极覆盖面，L极接触面为L极覆盖面与安装面之间的连接面，L极接触面在自L极覆盖面至与L极覆盖面相对的安装面边缘处相对于安装面成20～25度角。防单插保护门采用L极接触部和N极接触部同时驱动，具优良的防单插安全性。
防单插保护

[发明专利]半导体结构及其制备方法、存储器-CN202310214876.5在审
发明人：薛兴坤;李泽伦;徐汉东;刘晓阳;朴仁镐;顾婷婷 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：半导体结构包括：衬底；半导体层，包括：源极、沟道和漏极；其中源极和漏极位于衬底中，沟道位于源极和漏极之间且位于衬底上；源极接触，位于衬底中且与源极接触；漏极接触，位于衬底中且与漏极接触；其中，源极接触与源极之间具有至少两个接触面；和/或，漏极接触和漏极之间具有至少两个接触面。
半导体结构及其制备方法存储器

[发明专利]像素结构与其制造方法-CN201410202925.4无效
发明人：徐文义;陈茂松;黄国有 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2014-05-14 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种像素结构包含栅极、栅极介电层、硅通道层、源极硅欧姆接触层、漏极硅欧姆接触层、源极辅助欧姆接触层、漏极辅助欧姆接触层、透明导电部、透明像素电极、源极与漏极。栅极介电层覆盖栅极。源极硅欧姆接触层与漏极硅欧姆接触层分开设置于硅通道层上。源极辅助欧姆接触层、透明导电部与源极依序置于源极硅欧姆接触层上。漏极辅助欧姆接触层置于漏极硅欧姆接触层上。至少部分透明像素电极置于漏极辅助欧姆接触层上。漏极置于透明像素电极上，并置于漏极辅助欧姆接触层上方。
像素结构与其制造方法

[发明专利]具有优良摆动效果的简易防单插保护门-CN201711337836.0在审
发明人：贺微微;胡海舰 -专利权人：贵派电器股份有限公司
申请日： 2017-12-14 - 公布日： 2018-05-18 - 主分类号： H01R13/453 文献下载
摘要：本发明属于插座技术领域，公开一种具有优良摆动效果的简易防单插保护门，包括安装面、L极接触部、N极接触部和弹性部件安装部，L极接触部和N极接触部均设于安装面上且对称设于弹性部件安装部两侧，L极接触部和N极接触部结构相同；L极接触部包括L极接触面和L极覆盖面，N极接触部包括N极接触面和N极覆盖面，L极接触面为L极覆盖面与安装面之间的连接面，L极覆盖面设于安装面一侧；弹性部件安装部包括与L极接触面相接的L极连接部、与N极接触面相接的N极连接部、将L极连接部与N极连接部连接的安装部；L极覆盖面在从靠近至远离弹性部件安装区的方向上呈朝安装面倾斜的方式设置，L极覆盖面与N极覆盖面成170～175度夹角设置。
具有优良摆动效果简易防单插保护

[发明专利]LDMOS器件及其制造方法-CN201911069541.9在审
发明人：艾瑞克·布劳恩;乔伊·迈克格雷格;郑志星 -专利权人：成都芯源系统有限公司
申请日： 2019-11-04 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：该LDMOS器件具有多个漏极接触结构，每个漏极接触结构具有漏极接触、第一漏极接触金属层和通孔。漏极接触位于漏区上；第一漏极接触金属层位于漏极接触上；通孔位于第一漏极接触金属层上。该LDMOS器件还具有第二漏极接触金属层，其与每个漏极接触结构的通孔相电耦接。第一漏极接触金属层和漏极接触的尺寸减小，使得第一漏极接触金属层和漏极接触与场板接触和场板接触金属层之间的边缘场减小，从而，相应的寄生电容也得到减小。
ldmos 器件及其制造方法

[发明专利]三维半导体装置-CN202211532530.1在审
发明人：李槿熙;金景洙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：所述三维半导体装置包括：第一源极/漏极图案、第二源极/漏极图案、第三源极/漏极图案和第四源极/漏极图案，顺序地堆叠在基底上；接触结构，在第一源极/漏极图案至第四源极/漏极图案上；和接触线，在接触结构上。接触结构包括：第一源极/漏极图案上的第一有源接触件、第二源极/漏极图案上的第二有源接触件、第三源极/漏极图案上的第三有源接触件、和第四源极/漏极图案上的第四有源接触件。第一有源接触件的第一垂直延伸部分邻近于接触结构的一侧，第二有源接触件的第二垂直延伸部分邻近于接触结构的另一侧。第三有源接触件的第三垂直延伸部分置于第一垂直延伸部分与第二垂直延伸部分之间，更靠近第一垂直延伸部分。
三维半导体装置

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202111436365.5有效
发明人：林智伟;陈维邦;郑志成;郭哲劭 -专利权人：晶芯成（北京）科技有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法，半导体器件的制造方法通过在栅极结构上方形成绝缘结构层；以及形成栅极接触孔，并形成源极接触、漏极接触和栅极接触，源极接触孔的孔底暴露出源极和绝缘结构层，漏极接触孔的孔底暴露出漏极和所述绝缘结构层，通过在栅极结构上方形成绝缘结构层，使得绝缘结构层保护所述栅极结构，从而使得源极接触和漏极接触可以有效的电连接并绝缘于栅极结构的区域，提升了源极接触和漏极接触制程的容许范围，减少了源极接触和漏极接触分别与栅极结构之间接触短路，从而减少了栅极接触与漏极接触，及栅极接触与源极接触短路的可能，有效提高了半导体器件的良率，达到了增加产量及营收的效果。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]具有优良摆动效果的防单插保护门-CN201711338368.9在审
发明人：贺微微;胡海舰 -专利权人：贵派电器股份有限公司
申请日： 2017-12-14 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： H01R13/453 文献下载
摘要：本发明属于插座技术领域，公开一种具有优良摆动效果的防单插保护门，其特征在于，包括安装面、L极接触部、N极接触部，和弹性部件安装区，弹性部件安装区与L极接触部和N极接触部固定连接，安装面为用于将防单插保护门安装至插座上的平整表面，弹性部件安装区设于安装面中心，L极接触部和N极接触部结构相同且相对于弹性部件安装区对称设置，L极接触部和N极接触部均设于安装面上；L极接触部包括L极接触面和L极覆盖面，N极接触部包括N极接触面和N极覆盖面，L极接触面为L极覆盖面与安装面之间的连接面，L极覆盖面在从靠近至远离弹性部件安装区的方向上呈朝安装面倾斜的方式设置，L极覆盖面与N极覆盖面成170～175度夹角设置。
覆盖面弹性部件安装区安装面防单插保护门摆动插座技术领域安装面中心对称设置方式设置夹角设置平整表面连接面插座

[发明专利]集成电路及其形成方法-CN201710727712.7有效
发明人：谢佾苍;赵家忻;邱意为;许立德;夏英庭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-08-23 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种方法包括在底部层间电介质中形成底部源极/漏极接触插塞。底部源极/漏极接触插塞连接至晶体管的源极/漏极区。该方法还包括在底部源极/漏极接触插塞上面形成层间电介质。在层间电介质中形成源极/漏极接触开口，其中通过源极/漏极接触开口暴露底部源极/漏极接触插塞。介电间隔件层形成为具有延伸到源极/漏极接触开口中的第一部分和位于层间电介质上方的第二部分。对介电间隔件层实施各向异性蚀刻，并且介电间隔件层的剩余垂直部分形成源极/漏极接触间隔件。填充源极/漏极接触开口的剩余部分以形成上部源极/漏极接触插塞。本发明的实施例还涉及集成电路及其形成方法。
集成电路及其形成方法

[发明专利]低温多晶硅薄膜晶体管及制作方法、阵列基板、显示装置-CN201510223672.3在审
发明人：李兴华;暴军萍 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2015-05-05 - 公布日： 2015-07-15 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：所述低温多晶硅薄膜晶体管包括有源层、源极和漏极，所述有源层包括源极接触区、漏极接触区以及位于所述源极接触区和所述漏极接触区之间的沟道区，所述源极设置在所述源极接触区上方并通过源极过孔与所述源极接触区相连，所述漏极设置在所述漏极接触区的上方并通过漏极过孔与所述漏极接触区相连，所述源极接触区的厚度和所述漏极接触区的厚度均大于所述沟道区的厚度。本发明能够使得源极和漏极与有源层具有较大的接触面积，从而提高了低温多晶硅薄膜晶体管的可靠性和良率。
低温多晶薄膜晶体管制作方法阵列显示装置

[发明专利]电热开水壶跳杆式温度控制器-CN200810122199.X有效
发明人：蒋仙保 -专利权人：蒋仙保
申请日： 2008-10-31 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： G05D23/08 文献下载
摘要：电热开水壶跳杆式温度控制器，包括盖板、主体和底盘连接器，盖板上安装高温金属片；主体底部装有低温金属片、L极铜圈和N极铜圈，L极铜圈经L极导电片与L极固定架接触，N极铜圈经N极导电片与N极固定架接触，主体上安装跳杆，跳杆有碰头甲、乙、丙，碰头甲与L极导电片接触，碰头乙与N极导电片接触，碰头丙与低温金属片接触；底盘连接器有L极接触片、N极接触片和接地触片，L极接触片与L极铜圈接触，N极接触片与N极铜圈接触，接地触片经接地轴与盖板接触，其特征在于主体上制有空心柱甲和固定柱，空心柱甲制有开口槽，空心柱甲内装大头顶杆，大头顶杆与底盘连接器接触，固定柱上固定弹簧甲，弹簧甲穿过开口槽与大头顶杆和跳杆的顶面相接触。
电热开水壶跳杆式温度控制器

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