[发明专利]防扩散层状构件及其制备方法无效
| 申请号： | 99118705.9 | 申请日： | 1999-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN1146978C | 公开（公告）日： | 2004-04-21 |
| 发明（设计）人： | C·德姆;C·马祖雷－埃斯佩霍 | 申请（专利权）人： | 西门子公司 |
| 主分类号： | H01L21/64 | 分类号： | H01L21/64;H01L21/70;H01L21/822;H01L21/8242;H01L21/8247;H01L27/108;H01G4/40 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 卢新华;温宏艳 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种具有材料层和防扩散材料组分扩散的屏障层的防扩散层状构件及其制备方法，该扩散屏障层布置在材料层的层边界区域，其中主要形成在材料层的颗粒边界内。 | ||
| 搜索关键词： | 扩散 层状 构件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种防扩散层状构件，它具有材料层以及防止扩散材料组分扩散的屏障层，该屏障层位于所述材料的层边界范围内，其特征在于所述扩散屏障层主要在材料层的颗粒边界内形成。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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