专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种TF-QKD系统及方法-CN202111455471.8在审
  • 汤艳琳;唐世彪;许穆岚;赵梅生 - 科大国盾量子技术股份有限公司
  • 2021-11-29 - 2023-05-30 - H04L9/08
  • 本发明公开了一种TF‑QKD系统及稳定的TF‑QKD实现方法,其中,通过在Charlie端将锁频参考光和相位参考进行保偏地波分耦合成参考信号,使得允许在Alice端和Bob端中,结合锁频技术,利用两个保偏的波分复用器配合实现量子信号和相位参考偏振一地波分耦合,而无需EPC或人工干预,从而以简单的路保证偏振一耦合的稳定性。此外,还可以通过在Alice端和Bob端中,首先对参考信号进行偏振补偿,使得还允许借助本发明的偏振一耦合模块保证锁频参考光和相位参考的稳定性,从而确保锁频效果的稳定性。
  • 一种tfqkd系统方法
  • [实用新型]一种电变色汽车后视镜-CN200920134848.8有效
  • 姚沣华;童培云;陈学刚 - 比亚迪股份有限公司
  • 2009-08-14 - 2010-05-26 - B60R1/08
  • 本实用新型公开了一种电变色汽车后视镜,包括环境传感器、比较器、着色电路、褪色电路以及电变色后视镜,其中,环境传感器用于采集环境光强度信号并输出;比较器依据所述环境光强度信号以及一基准值输出电变色后视镜着色信号或电变色后视镜褪色信号;着色电路依据所述着色信号驱动所述电变色后视镜;褪色电路依据所述褪色信号驱动所述电变色后视镜。本实用新型提供的电变色汽车后视镜,当入射的光强高于一基准值时,通过着色电路对所述电变色汽车后视镜执行着色处理;当入射的光强低于一基准值时,通过褪色电路对所述电变色汽车后视镜执行褪色处理,其褪色时间由目前的5秒降到2秒左右,提高了行车安全
  • 一种变色汽车后视镜
  • [发明专利]光敏树脂组合物-CN96199174.7无效
  • 黄在永;李炳逸;朴基振 - 株式会社可隆
  • 1996-11-07 - 2002-08-28 - G03F7/027
  • 一种用于制造印刷线路板(PCB)的电路布线设计用干膜抗蚀剂的、含有聚合单体的光敏树脂组合物,所述聚合单体包括至少一种水溶性单体及至少一种水不溶性单体,所述二种单体皆含有二种或二种以上的不饱和反应基团上述光敏树脂组合物可制备一种抗蚀剂,除具有优异的柔性、耐镀敷化学品的性能外,所述抗蚀剂还具有快的显影速度。
  • 光敏树脂组合
  • [发明专利]晶圆级LED芯片的反射层制备方法及LED芯片-CN201610547901.1有效
  • 谢安;张旻澍;陈文哲 - 厦门理工学院
  • 2016-07-13 - 2020-08-04 - H01L33/60
  • 一种晶圆级LED芯片的反射层制备方法,包括以下步骤:S1,制备LED的硅基板,所述LED晶片区内设有硅通孔以及与之配合的电极;S2,在空腔内注射抗蚀剂,然后烘焙形成抗蚀剂层,所述抗蚀剂层覆盖LED晶片区上;S3,制备反射层,制备过程在室温环境下完成;S4,去除抗蚀剂层,将设置反射层后的硅基板设在浸泡池中,采用超声波去除抗蚀剂层使LED晶片区裸露出来;S5,在LED晶片区内设置LED本发明通过涂覆抗蚀剂层,依据需要在硅基板的顶面形成反射层,然后剥离抗蚀剂层。解决了传统工艺不能在倒装芯片中的硅通孔的上方制备反射层的问题,具备色温较低、颜色均匀高以及功率高的优点。
  • 晶圆级led芯片反射层制备方法
  • [发明专利]薄膜晶体管制造方法及其栅极制造方法-CN200610156920.8有效
  • 颜硕廷 - 群康科技(深圳)有限公司;群创光电股份有限公司
  • 2006-11-17 - 2008-06-04 - H01L21/28
  • 本发明涉及一种薄膜晶体管制造方法及其栅极制造方法,该薄膜晶体管制造方法包括以下步骤:提供一绝缘基板,在该绝缘基板的表面依序形成显影速率自上而下渐增的至少两层抗蚀剂层;曝光并显影该抗蚀剂层,剩余的抗蚀剂层的宽度自上而下递减;依序沉积多层金属层在抗蚀剂层和没有被抗蚀剂层覆盖的绝缘基板表面;移除该抗蚀剂层和该抗蚀剂层上的多层金属层,剩余的多层金属层即为薄膜晶体管的栅极,其宽度自上而下递增;沉积一栅极绝缘层;形成一半导体层该薄膜晶体管制造方法可以减少在栅极与栅极绝缘层间产生孔洞,提高制造薄膜晶体管的可靠
  • 薄膜晶体管制造方法及其栅极
  • [发明专利]一种精准制备LED芯片反射层的方法及LED芯片-CN201610548054.0有效
  • 张旻澍;谢安;陈文哲 - 厦门理工学院
  • 2016-07-13 - 2020-05-05 - H01L33/60
  • 一种精准制备LED芯片反射层的方法,包括以下步骤:S1,制备LED的硅基板,所述LED晶片区内设有硅通孔以及与之配合的电极;S2,在空腔内注射抗蚀剂,然后烘焙形成抗蚀剂层,所述抗蚀剂层覆盖LED晶片区上;S3,制备反射层,制备过程在室温环境下完成;S4,去除抗蚀剂层,将设置反射层后的硅基板设在浸泡池中,采用超声波去除抗蚀剂层使LED晶片区裸露出来;S5,在LED晶片区内设置LED晶片。本发明通过涂覆抗蚀剂层,依据需要在硅基板的顶面形成反射层,然后剥离抗蚀剂层。解决了传统工艺不能在倒装芯片中的硅通孔的上方制备反射层的问题,具备色温较低、颜色均匀高以及功率高的优点。
  • 一种精准制备led芯片反射层方法

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