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[发明专利]一种测试光路系统稳定性的方法及系统-CN202010364893.3有效
发明人：古菲菲;赵珉一;汤青;张晓春;赵朋娜;龚欢欢;张晓欢 -专利权人：新绎健康科技有限公司;新绎健康管理有限公司
申请日： 2020-04-30 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G01N21/27 文献下载
摘要：本发明公开了一种测试光路系统稳定性的方法及系统，所述方法包括：将预先处理的非生命物体置于待测试的光路系统的测试端口；将待测试的光路系统的系统参数设置为对应的预设参数；启动激光器，使激光入射至所述光路系统的入射端；在待测试光路系统的输出端实时采集每预设时间段内输出的光子数；根据采集的光子数数据依据预设规则计算获得样本熵均值；将样本熵均值与预设的样本熵均值阈值区间进行对比，判断光路系统是否满足稳定性和一致性要求；所述方法及系统通过样本熵均值作为参考依据可以更加准确的保证光路系统的稳定性和一致性；所述方法及系统简单快速且灵敏度高，可以缩短光路系统测试与人体测试的时间差，更好的保证测试的一致性。
一种测试系统稳定性方法

[发明专利]量子点成膜方法、显示面板及其制作方法、显示装置-CN201810327290.9有效
发明人：罗程远;吴长晏 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2018-04-12 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：所述量子点成膜方法包括：在待形成量子点层的邻接膜层上形成磁性光致量子点涂层；施加磁场，使所述磁性光致量子点涂层中的磁性量子点分布于靠近所述邻接膜层所在的一侧；对所述磁性光致量子点涂层进行干燥处理。通过本发明提供的方案，能够平衡非蓝色光与蓝色光的显示偏差，提高显示面板的发光均匀性、出光效率及显示效果。
量子点成膜方法显示面板及其制作方法显示装置

[发明专利]一种光致抗电镀油墨及其制备方法-CN201711423123.6有效
发明人：罗啟权;刘继强 -专利权人：广东三求光固材料股份有限公司
申请日： 2017-12-25 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： C09D11/107 文献下载
摘要：本发明公开了一种光致抗电镀油墨及其制备方法，所述光致抗电镀油墨包括如下按质量份计算的组份：自制碱溶型抗电镀树脂25‑50份；三官能度以上含不饱和碳碳双键的丙烯酸酯单体：3‑10份；光引发剂：2‑5份；填料本发明所制备的光致抗电镀油墨感光速度快，抗蚀刻性好，抗电镀性能优异。
一种光致抗电镀油墨及其制备方法

[发明专利]感光性组合物与光致抗蚀剂-CN201010597593.6无效
发明人：林显光;郑昭德;陈素梅;张德宜;周宗毅 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2010-12-21 - 公布日： 2012-06-06 - 主分类号： G03F7/032 文献下载
摘要：一种感光性组合物与光致抗蚀剂。光致抗蚀剂由感光性组合物经配制而形成。感光性组合物包括粘合剂、光交联单体及光起始剂。粘合剂由粘合组合物经聚合反应而形成。粘合组合物包括乳酸寡聚物。以该粘合剂的固含量为100重量份为基准，该光起始剂为约0.5～15重量份。
感光性组合光致抗蚀剂

[发明专利]蓄光性长余辉发光材料-CN99114483.X无效
发明人：张耀明;杨文光;戴方毕;杨义群 -专利权人：南京玻璃纤维研究设计院
申请日： 1999-10-13 - 公布日： 2001-05-02 - 主分类号： C09K11/80 文献下载
摘要：蓄光性长余辉发光材料,涉及一种光致蓄光性发光材料,尤其是塑料类无致蓄光性发光材料。
蓄光性长余辉发光材料

[发明专利]一种光致弯曲导电执行器及其制备方法-CN201210502364.0无效
发明人：于军胜;马柱;黄伟;周顺良 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2012-11-30 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： B25J9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种光致弯曲导电执行器及其制备方法，由下至上分别是光致弯曲执行器、粘结层和导电层，所述光致弯曲执行器为光致弯曲聚合物材料，所述粘结层为需要双重固化的胶粘剂。通过制备同时具备光致弯曲能力和导电能力的光致弯曲导电执行器，可以实现光致弯曲执行器一体化和微型化，加快光致弯曲材料在人工肌肉领域中的更为广泛的应用和更快速的发展。
一种弯曲导电执行及其制备方法

[发明专利]一种用于光伏电站现场光伏组串一致性与效率的检测方法-CN201510837223.8在审
发明人：牛晨晖;秦筱迪;李臻;陈志磊;李政;李红涛;张双庆 -专利权人：中国电力科学研究院;国家电网公司
申请日： 2015-11-26 - 公布日： 2017-06-06 - 主分类号： H02S50/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于光伏电站现场光伏组串一致性与效率的检测方法，包括光伏组串一致性检测；光伏组件效率检测和光伏组件效率检测参数分析。本发明提供的技术方案通过低工况要求快速完成光伏组串测试，并结合由检测标准采用的抽检原则选取合适组串的光伏组件开展效率测试。一方面，直接避免了在现场进行直接光伏组件抽取所产生的“坏板率”。另一方面，可以快速的选取具有光伏发电站现场工况特色的光伏组件开展测试。最终可以有效反应单个光伏组件在现场条件的效率情况。
一种用于电站现场光伏组串一致性效率检测方法

[发明专利]双层涂布的负性光致抗蚀干膜-CN201210308978.5有效
发明人：陆德凯;杨卫国;董岩 -专利权人：珠海市能动科技光学产业有限公司
申请日： 2012-08-27 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本发明提供了一种应用于印刷线路板的双层涂布的负性光致抗蚀干膜，包括载体薄膜、覆盖薄膜、光阻剂层及中间保护层，其特征在于：中间保护层位于载体薄膜及光阻剂层之间,是无色透明的，在光阻剂层的显影液中可溶解，与光阻剂层及载体薄膜具有良好的粘着力，但其与光阻剂层的粘着力要大于其与载体薄膜的粘着力的聚乙烯醇或含有羧基的高分子聚合物；光阻剂层的组份中含有高分子粘合剂、光游离基引发剂、可加聚单体、热聚合抑制剂，为进一步改善性能，还可以添加其它组分，如增塑剂可以降低了载体薄膜的成本，使光阻干膜的解析度得以提高。
双层负性光致抗蚀干膜

[实用新型]射野光野一致性检测系统-CN201020617348.2有效
发明人：杨勇;范杰 -专利权人：四川中测辐射科技有限公司
申请日： 2010-11-22 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： A61B6/00 文献下载
摘要：一种射野光野一致性检测系统，包括，荧光板或稀土增感屏：其表面印有刻度标尺，且与X射线光机的光野中心对齐；拍摄装置：通过固定在球管上的摄像头或相机来拍摄荧光板感应射线发光时的视频或图像；数据传输工具：与拍摄装置的摄像头或相机连接，用作接收所拍摄的视频或图像数据；接收装置：通过有线方式或无线方式与数据传输工具连接，用作接收所传输的视频或图像数据；计算机：与接收装置连接，用作判断射野和光野一致性的程度；显示装置：与计算机连接，用于显示所拍摄的视频或图像
射野光野一致性检测系统

[发明专利]化学放大正性光致抗蚀剂组合物-CN200380100580.1有效
发明人：新田和行;本池直人 -专利权人：东京应化工业株式会社
申请日： 2003-10-27 - 公布日： 2005-11-02 - 主分类号： G03F7/039 文献下载
摘要：公开了一种化学放大正性光致抗蚀剂组合物，其对不同类型的抗蚀图形具有极好的灵敏度和图形分辨率，呈高曝光极限和聚焦深度宽容度。特征地，除了质均分子量不同，(a1)质均分子量高而(a2)质均分子量低以外，在(a1)树脂中取代基的酸离解性高于在(a2)树脂中的酸离解性如在(a1)的1－乙氧基乙基和(a2)的四氢吡喃的组合。
化学放大正性光致抗蚀剂组合

[发明专利]一种基于鞣酸的化学增幅型紫外正性光致抗蚀剂材料及其合成方法-CN201410178272.0在审
发明人：王力元;魏琪 -专利权人：北京师范大学
申请日： 2014-04-30 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： C07H13/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种新型的基于鞣酸的化学增幅型紫外正性光致抗蚀剂材料及其合成方法。由于2，1，4-重氮萘醌磺酸酯基团作为常用的感光基团的同时具有光致产酸作用，在后烘条件下催化保护基团分解，导致曝光部分的碱溶性进一步变大，可由稀碱水显影成像。因此可用作一种新颖的化学增幅型单组分紫外正性光致抗蚀剂材料，也可和酚醛树脂等其它成膜材料一起组成双组分紫外正性光致抗蚀剂材料。具有感度及分辨率高、反差大、显影宽容性好等优点。
一种基于鞣酸化学增幅紫外正性光致抗蚀剂材料及其合成方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN200910173268.4无效
发明人：张庆裕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2009-09-22 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置的制造方法，包含形成一牺牲层于一基材上；形成一图案化光致抗蚀剂层于该牺牲层上；于该基材上进行离子注入；施予一硫酸(H2SO4)及过氧化氢(H2O2)溶液以移除该图案化光致抗蚀剂层可有效移除光致抗蚀剂并降低对基材的伤害，可实质上减少或避免在光致抗蚀剂移除之后的基材凹陷。通过以牺牲层作为保护层，可减少光致抗蚀剂残余物。此外，牺牲层可增进光致抗蚀剂黏着性。
半导体装置制造方法

[发明专利]一种含双酯结构的光致酸产生剂的光刻胶及其制备方法-CN202110089856.0在审
发明人：齐国强;顾大公;岳力挽;李珊珊;马潇;毛智彪;许从应 -专利权人：宁波南大光电材料有限公司
申请日： 2021-01-22 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种含双酯结构的光致酸产生剂的光刻胶及其制备方法，该光刻胶包括以下原料：0.1‑10重量组分的含双酯结构的光致酸产生剂、10‑30重量组分的成膜树脂、0.1‑5重量组分的酸扩散抑制剂以及本发明实施例提供的所述的含双酯结构的光致酸产生剂的光刻胶通过添加的含双酯结构的光致酸产生剂使得光刻胶在进行光刻工艺时，光刻胶中的光致酸产生剂可产生有效的可控大体积酸，进而提升光刻胶的分辨率，减小了制作的电路的线宽和粗糙度，提高树脂的黏附性，改善光刻胶的整体性能。
一种含双酯结构光致酸产生光刻及其制备方法

[发明专利]一种用于高能离子注入的复合掩膜的制备方法-CN201510028928.5有效
发明人：施长治;林春 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2015-01-21 - 公布日： 2017-08-15 - 主分类号： H01L21/266 文献下载
摘要：本发明的掩膜为一种具有三层结构的复合光致抗蚀剂掩膜，该掩膜将光致抗蚀剂掩膜图形制作在注入阻挡层介质膜与表层牺牲介质膜之间，用作高能离子注入掩膜。其制备方法采用正性光致抗蚀剂经光刻在注入阻挡层介质膜表面形成掩膜图形，再利用正负倾角薄膜蒸发工艺在注入区、光致抗蚀剂掩膜侧壁及顶端生长牺牲介质膜，用于高能离子注入。本发明的复合掩膜可避免光致抗蚀剂掩膜在高能离子轰击下的皲裂变性问题，且掩膜去除无残留，保证芯片表面洁净度，提高器件性能。
一种用于高能离子注入复合制备方法

[发明专利]光致抗蚀剂图案形成方法-CN202011423854.2在审
发明人：角田力太;柳楠熙;染谷康夫 -专利权人：东京应化工业株式会社
申请日： 2020-12-08 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：一种光致抗蚀剂图案形成方法，包括：(i)在支承体上使用光致抗蚀剂组合物形成光致抗蚀剂膜的工序；(ii)将所述光致抗蚀剂膜曝光的工序；及(iii)将所述曝光后的光致抗蚀剂膜显影而形成光致抗蚀剂图案的工序，其特征在于，所述抗蚀剂组合物含有：对显影液的溶解性因酸的作用而变化的树脂(A)、通过曝光产生酸的产酸剂(B)、可光降解的碱(D1)、溶剂(S)及以下述式(x‑1)表示的化合物(X)，在所述工序(i)中形成的光致抗蚀剂膜中残留的溶剂的量为
光致抗蚀剂图案形成方法