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[发明专利]光致抗蚀剂组合物、其图案形成方法及应用-CN201810885745.9在审
发明人：钱晓春;胡春青;金晓蓓 -专利权人：常州强力先端电子材料有限公司;常州强力电子新材料股份有限公司
申请日： 2018-08-06 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： G03F7/038 文献下载
摘要：本发明提供了一种光致抗蚀剂组合物、其图案形成方法及应用。该光致抗蚀剂组合物包括a组分和b组分，该a组分为光产酸剂，该b组分为光阻聚合物，其中该光产酸剂为式(Ⅰ)、式(Ⅱ)、式(Ⅲ)、式(Ⅳ)、式(Ⅴ)以及式(Ⅵ)所示的化合物中的一种或多种。本发明的该光致抗蚀剂组合物对365‑435nm的LED光源具有高敏感度，光谱范围广，并且该光致抗蚀剂组合物保存稳定性优良、灵敏度高，透明性佳。
光致抗蚀剂组合图案形成方法应用

[发明专利]曝光装置及其用以制作彩色滤光片的方法-CN03103430.6无效
发明人：丁景隆;温俊斌 -专利权人：奇美电子股份有限公司
申请日： 2003-01-30 - 公布日： 2004-08-18 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种光致抗蚀剂涂覆及曝光的方法，包括有下列步骤：首先，提供一基板，之后，再提供一光致抗蚀剂涂覆器，以在此基板上涂覆多个条状光致抗蚀剂区，接着，提供一曝光装置，该曝光装置含有一光源，用来产生一曝光用的光线，另含有一具有预定图案的光掩模，置于此光源与此基板之间。然后，对此多个条状光致抗蚀剂区进行一曝光程序，通过此基板与此光掩模的一相对性移动，使此光掩模上的预定图案被转写成此基板上的一条状曝光图案。
曝光装置及其用以制作彩色滤光方法

[发明专利]一种适用纳米材料的电极的工业化生产设备及其控制方法-CN201510288806.X有效
发明人：魏秋实;徐金伟;曾杰 -专利权人：中国科学技术大学先进技术研究院
申请日： 2015-05-29 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提出了一种适用纳米材料的电极的工业化生产设备及其控制方法，涂胶系统用于在电极基底表面涂覆正性光致抗蚀剂；曝光系统用于在电极基底上涂覆正性光致抗蚀剂一侧表面接触放置光掩膜基版后进行曝光处理；镀膜系统用于在电极基底表面镀上导电金属膜层；后处理系统用于将电极基底浸泡在有机溶液中进行超声处理，在超声处理过程中包覆在未曝光的正性光致抗蚀剂表面的导电金属膜层从其上破裂脱落，进而未曝光的正性光致抗蚀剂在有机溶液中溶解以在电极基底表面形成适用纳米材料的宽度为微米量级的电极沟槽
一种适用纳米材料电极工业化生产设备及其控制方法

[发明专利]一种非易失性体全息数据存储的方法-CN200410037662.2无效
发明人：何庆声;骆守俊;刘国栋;金国藩 -专利权人：清华大学
申请日： 2004-04-29 - 公布日： 2005-01-26 - 主分类号： G11B7/0065 文献下载
摘要：本发明属于光学信息存储及体全息数据存储技术领域，涉及一种非易失性体全息数据存储的方法。采用光致色变材料作为体全息记录介质，通过双光子记录，单光子读出及紫外光擦除来实现数据信息快速记录，非易失性读出和多次重复擦写；本发明提高了光致色变材料体全息存储的密度，可应用在基于光致色变材料的高密度、快速记录、可多次重复擦写、非易失性读出的体全息数据存储领域。
一种非易失性体全息数据存储方法

[发明专利]用于处理晶圆的反应装置、静电吸盘和晶圆温度控制方法-CN201110434708.4有效
发明人：何其旸;张翼英 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2011-12-22 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：该静电吸盘包括用于支撑晶圆的绝缘层；和能够安装于绝缘层的第一表面上方的光投射源。光投射源投射在晶圆表面的光图案可调整。与流体冷却系统配合，通过控制光投射源的光图案来调节被吸附在ESC上面的晶圆的温度，从而能够更好地调整温度的不一致性，可以大大提高晶圆温度一致性，特别是改善非径向温度不一致性。
用于处理反应装置静电吸盘温度控制方法

[发明专利]光致抗蚀剂及其使用方法-CN201110463160.6有效
发明人： G·珀勒斯;S·J·卡波拉勒 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限公司
申请日： 2011-12-30 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L21/266 文献下载
摘要：光致抗蚀剂及其使用方法。提供了一种新型的光致抗蚀剂，其包含多酮组分，且特别适用于离子注入光刻应用。本发明优选的光致抗蚀剂对位于其下的无机表面例如SiON、氧化硅、氮化硅、硅酸铪、硅酸锆和其它无机表面，能显示出优良的粘性。提供了一种提供离子注入的半导体基材的方法，所述方法包含：提供其上涂敷有化学增幅型的正性光致抗蚀剂组合物浮雕图像的半导体基材，其中光致抗蚀剂包含1)树脂、2)光敏组分和3)多酮组分；和施加离子到基材上。
光致抗蚀剂及其使用方法

[发明专利]光致抗蚀剂组合物和形成光刻图案的方法-CN201210153151.1有效
发明人： Y·C·裴;朴钟根;李承泫;刘沂;T·卡多拉西亚;R·贝尔 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限公司
申请日： 2012-02-28 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： G03F7/038 文献下载
摘要：光致抗蚀剂组合物和形成光刻图案的方法。本发明提供了在形成光刻图案中有用的光致抗蚀剂组合物。本发明还提供了涂覆有所述光致抗蚀剂组合物的基板和形成光刻图案的方法。所述组合物、方法和涂覆的基板在半导体器件的制造中找到了特别的应用性。提供了光致抗蚀剂组合物，所述组合物包括：包括通式(I)、(II)和(III)单元的第一聚合物；包括以下通式(IV)和(V)单元的第二聚合物；和光酸产生剂。
光致抗蚀剂组合形成光刻图案方法

[发明专利]用于形成光交联固化的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成组合物-CN201210060721.2无效
发明人：竹井敏;新城彻也;日高基彦 -专利权人：日产化学工业株式会社
申请日： 2006-04-11 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种在半导体装置制造的光刻工艺中的光致抗蚀剂的下层使用的、具有大于光致抗蚀剂的干蚀刻速度，并且不与光致抗蚀剂发生混合，且可以使具有大纵横比的孔的半导体基板的表面平坦化的下层膜，以及用于形成该下层膜的下层膜形成组合物，本发明是一种用于通过光照射来形成光致抗蚀剂的下层膜的组合物，是含有聚合性物质和光聚合引发剂的下层膜形成组合物。
用于形成交联固化抗蚀剂下层组合

[发明专利]用于形成光交联固化的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成组合物-CN200680013280.3有效
发明人：竹井敏;新城彻也;日高基彦 -专利权人：日产化学工业株式会社
申请日： 2006-04-11 - 公布日： 2008-04-16 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种在半导体装置制造的光刻工艺中的光致抗蚀剂的下层使用的、具有大于光致抗蚀剂的干蚀刻速度，并且不与光致抗蚀剂发生混合，且可以使具有大纵横比的孔的半导体基板的表面平坦化的下层膜，以及用于形成该下层膜的下层膜形成组合物，本发明是一种用于通过光照射来形成光致抗蚀剂的下层膜的组合物，是含有聚合性物质和光聚合引发剂的下层膜形成组合物。
用于形成交联固化抗蚀剂下层组合

[发明专利]基于电离室矩阵MatriXX检验直线加速器光射野一致性的方法-CN202110362965.5有效
发明人：付廷岩;孙亚平;赵旺兄;樊婷;姚伟;郝宏毅;庄庆昕;吴晓东;张宇卉;杨勇;张鲁宁;梁瑞;袁春生;马丽;王雪霁;郭莹;倪晓波;郑冬菊;刘医辉 -专利权人：宁夏回族自治区人民医院（宁夏眼科医院、西北民族大学第一附属医院）
申请日： 2021-04-02 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： A61N5/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于电离室矩阵MatriXX检验直线加速器光射野一致性的方法，所述的方法包括步骤：S1，根据直线加速器的QA光射野一致性要求中的光野大小，计算出预设光野大小；S2，对于光射野一致性满足临床使用要求的直线加速器，使用免洗胶片测量预设光野大小时四边铅门对应的射野误差；S3，使用电离室矩阵MatriXX测量预设光野大小时四边铅门对应的射野误差，建立电离室矩阵MatriXX与免洗胶片误差间的关系；S4，使用电离室矩阵MatriXX进行光射野一致性的检测，在误差超过预设范围时使用免洗胶片验证并校准。
基于电离室矩阵 matrixx 检验直线加速器光射野一致性方法

[发明专利]一种光伏逆变器控制器一致性评估方法及其评估平台-CN201611142559.3有效
发明人：张晓琳;郑飞;张军军;董昱;董玮;董存;梁志峰;曹磊;林小进;牛晨晖;周荣蓉 -专利权人：中国电力科学研究院有限公司;国家电网有限公司
申请日： 2016-12-13 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H02J3/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种光伏逆变器控制器一致性评估方法及其评估平台，包括：构建基于半实物仿真的一致性评估平台；设置不同的电网电压扰动工况，基于半实物仿真器测试两套光伏逆变器控制器并网性能，并记录测试过程中两套光伏逆变器输出电压和电流数据；对电网扰动工况下两套光伏逆变器输出电压、电流进行数据分析，分别计算每种扰动工况下暂态和稳态区间的电压、电流、无功电流、有功功率和无功功率的平均误差、稳态区间最大误差以及加权平均总偏差；判断两套光伏逆变器的控制器性能上是否一致，避免由于光伏逆变器控制器软件程序无法读取，而无法核查被测样机的控制器和现场光伏逆变器的控制器是否一致性的情况，保证电站模型准确反映并网特性。
一种逆变器控制器一致性评估方法及其平台

[实用新型]一种同种芯片两色混光的LED器件-CN201420829306.3有效
发明人：焦祺;林德顺;邓俊;李坤锥 -专利权人：广州市鸿利光电股份有限公司
申请日： 2014-12-24 - 公布日： 2015-05-06 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种同种芯片两色混光的LED器件，包括基板；在基板上设有一个以上的混光单元，每个混光单元由两颗进行混光的同种芯片构成；每一混光单元的每颗芯片上分别封装单色荧光粉胶水混合体。本实用新型解决了两色光混合时光衰一致性不可控、电流一致性不可控、光效低、色温和色调不可控、控制电路复杂的技术问题。
一种同种芯片两色混光 led 器件

[发明专利]提高含金属EUV抗蚀剂干式显影性能的涂敷/暴露后处理-CN202180026411.6在审
发明人：游正义;李达;萨曼塔·S·H·坦;李英熙 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： G03F7/38 文献下载
摘要：本文所述的各种实施方案涉及用于处理含金属光致抗蚀剂以改变光致抗蚀剂的材料特性的方法、装置和系统。例如，本文的技术可以涉及在处理室中提供衬底，其中衬底包括衬底层上方的光致抗蚀剂层，并且其中光致抗蚀剂包括金属，并且处理光致抗蚀剂以改变光致抗蚀剂的材料特性，使得蚀刻选择性在随后的暴露后干式显影工艺中提高
提高金属 euv 抗蚀剂干式显影性能暴露处理

[发明专利]光致抗蚀剂去除机台以及光致抗蚀剂去除工艺-CN200810096212.9无效
发明人：吴瑞鸿;方建章;张凤如;杨思宏;萧士杰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2008-04-30 - 公布日： 2009-11-04 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明提供一种光致抗蚀剂去除机台以及光致抗蚀剂去除工艺，光致抗蚀剂去除机台包括加热器、晶圆载具、马达以及高度控制单元。晶圆载具供晶圆相对于加热器作垂直位移，马达分别与晶圆载具以及高度控制单元电性连接，利用高度控制单元控制晶圆停留于至少三个位置，而光致抗蚀剂去除工艺的步骤包括：使得晶圆进入光致抗蚀剂去除机台时，借助晶圆载具使得晶圆位于承载位置本发明能够避免晶圆过热而导致光致抗蚀剂爆裂，由此提升工艺合格率。
光致抗蚀剂去除机台以及工艺

[发明专利]兼容性检测方法及服务器-CN202211459594.3在审
发明人：易志敏 -专利权人：超聚变数字技术有限公司
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H04B10/079 文献下载
摘要：本申请公开了一种兼容性检测方法及服务器，涉及计算机领域。方法包括：获取目标网卡信息和目标光模块信息，基于目标网卡信息和目标光模块信息在兼容性列表中查询，该兼容性列表包括网卡与多个不同厂商光模块的兼容性测试结果，输出兼容性测试结果。由于定义不同厂商信息、不同硬件信息的光模块属于不同的光模块，因此，兼容性列表包括网卡与多个不同厂商的光模块的兼容性测试结果，根据目标网卡的厂商信息、目标光模块的硬件信息和厂商信息可以准确的确定目标网卡和目标光模块的兼容性，避免不同厂商配置光模块结构一致，但在光模块未定义字段定义不同，网卡识别光模块该未定义字段定义与光模块实际定义不一致，进而导致网卡无法正常连通的问题。
兼容性检测方法服务器

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