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[发明专利]一种低温烧结铋基微波介质陶瓷材料及其制备-CN200510096334.4无效
发明人：汪宏;周迪;张磊;姚熹 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2005-11-10 - 公布日： 2006-06-28 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种低温烧结铋基微波介质陶瓷材料，是在铌酸铋陶瓷体系的基础上，从晶体化学原理的角度出发，通过适量的离子取代而形成的以低温正交α铌酸铋相为主晶相的介质陶瓷材料体系。该材料的结构表达式为：Bi(Nb_1－xV_x)O₄，其中，0.001≤x≤0.064。即V⁵⁺离子少量取代B位的Nb⁵⁺离子，采用传统的固相反应法合成工艺，烧结温度在810℃～980℃范围内，本发明的低温烧结铋基微波介质陶瓷材料具有烧结温度低，介电常数适中，介质损耗小，介电常数温度系数覆盖范围宽，绝缘电阻大，微波性能好，频率温度系数非常低，可在空气或氮气等还原气氛下烧结，能与银或铜电极共烧，化学组成和制备工艺简单。可用于低温共烧陶瓷系统(LTCC)、多层介质谐振器、微波天线、滤波器等微波器件的制造。
一种低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备

[发明专利]一种高性能固溶体微波介质陶瓷材料及其制备方法-CN202111261907.X在审
发明人：唐小能;蒋涛;王飞;谈正;杜乐德 -专利权人：江苏贝孚德通讯科技股份有限公司
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明公开了一种高性能固溶体微波介质陶瓷材料及其制备方法，涉及微波介质陶瓷材料制备技术领域。该微波介质陶瓷材料包括陶瓷基料，其组成为：xRTi03‑(1‑x)(Lal‑ySmy)AL03+zwt％M。本发明通过提供工艺简单的制备方法，采用二次球磨、一次锻烧工艺，在1400℃～1450℃烧结，制备了价格较低，工艺稳定且性能优异的微波介质陶瓷:Er:42‑46,QXf53000GHz，频率温度系数接近于零，其中超高的品质因素为微波器件的小型化做出了重大贡献，且本发明所采用原料成本低，因此具有很大的市场应用价值。
一种性能固溶体微波介质陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]高抗热震性的微波介质陶瓷材料及其制备方法-CN202011433607.0在审
发明人：李礼;黄庆焕;叶荣;王斌华;顾国治 -专利权人：无锡市高宇晟新材料科技有限公司
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： C04B35/465 文献下载
摘要：本申请涉及陶瓷材料技术领域，提供了一种高抗热震性的微波介质陶瓷材料，所述高抗热震性的微波介质陶瓷材料包括陶瓷主料、改性剂和粘结剂，其中，所述陶瓷主料选自(1‑x)MgTiO3·xSrTiO3，且x为0.02～0.08；以所述陶瓷主料的总重量为100％计，所述改性剂占所述陶瓷主料的重量百分含量为1～5％，所述粘结剂占所述陶瓷主料的重量百分含量为0.5～3.0％；该陶瓷的介电常数εr为19～21，品质因数Q×f为110000～130000GHz，谐振频率温度系数τf为‑4～10ppm/℃，热震温差为85～95℃，相较于MgTiO3‑CaTiO3体系的微波介质陶瓷材料，其介电常数ε
抗热微波介质陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种中介电常数微波介质陶瓷材料的制备方法-CN201310601002.1有效
发明人：邢孟江 -专利权人：云南银峰新材料有限公司
申请日： 2013-11-25 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： C04B35/465 文献下载
摘要：本发明公开一种用固相合成法合成中介电常数微波介质陶瓷材料的制备方法。本发明采用低温共烧陶瓷领域的常规工艺和设备，通过配料、球磨、预烧、破碎、复配、二次球磨、造粒等工序制备得到陶瓷粉体材料。该陶瓷材料具有原料便宜，工艺简单，生产成本低等优点。该陶瓷材料主要应用于微波带状线路为主的传输线路以及利用其线路和波长的滤波器、电容器、谐振器等新型片式微波器件，具有重要的开发研究价值和工业应用价值。
一种介电常数微波介质陶瓷材料制备方法

[发明专利]一种温度稳定型可低温烧结的微波介质复合材料及其制备方法-CN202210339080.8有效
发明人：邢卓;翁鞠海;马驰;安浩男 -专利权人：西京学院
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C04B35/45 文献下载
摘要：本发明公开一种温度稳定型可低温烧结微波介质复合材料及其制备方法，该复合陶瓷材料的化学通式可以写成(1‑x)LiCuVO4‑xTiO2陶瓷材料可以在700℃进行低温烧结，该复合材料陶瓷介电常数为17～20，品质因数Q·f值高达16000～19000，同时具有接近零的谐振频率温度系数。本发明提供的微波介质复合陶瓷材料可适合制备微波电子元器件，可作为解决5G通信技术中的关键材料问题，同时实现低温烧结降低能耗，在工业生产中有着极大的应用价值。
一种温度稳定低温烧结微波介质复合材料及其制备方法

[发明专利]一种微波介质陶瓷材料及其制备方法-CN201110288487.4有效
发明人：唐斌;周晓华;钟朝位;张树人 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2011-09-26 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： C04B35/465 文献下载
摘要：一种微波介质陶瓷材料及其制备方法，属于电子材料技术领域。所述微波介质陶瓷材料包括MgO、TiO2、CaO、SiO2、MnO2、Nb2O5和CeO2；各组分的质量百分比含量为：MgO25～35、TiO260～68％、CaO 1～10％、SiO20～2％、MnO20本发明采用传统固相烧结法制备低损耗微波介质陶瓷，其工艺简单、成本低廉；所制备的微波介质陶瓷材料，Q×f值在63000～83000GHz之间，相对介电常数εr在20～22之间，谐振频率温度系数在±10ppm/℃以内，能够满足高性能微波器件的制备需求。
一种微波介质陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种低温烧结的高Q值高介电常数微波介质陶瓷材料及其制备方法-CN202211662002.8在审
发明人：黄德城;黄有进;黄有溧 -专利权人：福建溥昱电子科技有限公司
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C04B35/462 文献下载
摘要：本发明公开了电子信息微波陶瓷材料技术领域的一种高Q值高介电常数微波介质陶瓷材料，所述高Q值高介电常数微波介质陶瓷材料的化学成分为(1‑x)MgAlBSi玻璃‑xSr2Ce2Ti5O16，其中0.1≤x≤本发明中，所得高Q值高介电常数微波介质陶瓷材料体系的介电常数为80～90.0，品质因数22000～35000GHz，谐振频率温度系数4～11.5ppm/℃，在保证电性能满足滤波器要求的同时，且制备过程简单
一种低温烧结介电常数微波介质陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种新的高Q×f值微波介质陶瓷材料-CN201210236390.3有效
发明人：卞建江;吴家胤;丁耀民;刘澄溦;王振;赵程 -专利权人：上海大学
申请日： 2012-07-10 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明涉及一种新的高Q×f值微波介质陶瓷材料，属特种陶瓷材料工艺技术领域。本发明的高Q×f微波介质陶瓷材料的化学通式为：Ba(MgwLnxZryWz)1/2O3－0.01MnO2(Ln=Sm,Y,Dy,Yb)。制备方法是按化学计量比称量原料并进行配合；将配合料放于树脂球磨罐内球磨24小时，其料：球：酒精重量比为1:4:0.8；出料烘干，在1200℃下煅烧，以合成陶瓷粉料；然后加入1mol%MnO2（99.6%）作为烧结助剂；然后粉碎、二次球磨，出料、烘干、过筛、得到粉体，加入聚乙烯醇溶液进行造粒；然后在100-150MPa压力下干压成型；将得到的块体在1500℃下烧结2小时，最终得到高Q×f值陶瓷体微波介质陶瓷材料
一种微波介质陶瓷材料

[发明专利]氧化铝晶须掺杂的低介微波介质陶瓷材料及其制备方法-CN202110584079.7有效
发明人：王秀红;黄庆焕;梁小健;王津 -专利权人：无锡市高宇晟新材料科技有限公司
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：本发明提供了一种氧化铝晶须掺杂的低介微波介质陶瓷材料及其制备方法，包括质量分数为77.55‑95.54wt％的复相陶瓷基料和4.46‑22.45wt％的掺杂剂，掺杂剂分散在所述复相陶瓷基料中，复相陶瓷基料包括Al2O3、TiO2、MgO、CaO，掺杂剂包括占陶瓷材料4‑20wt％的氧化铝晶须和通过在复相陶瓷基料中掺杂氧化铝晶须和调解电性能掺杂剂，氧化铝晶须具有较高的机械强度和较高的弹性模量，可极大地改善复相陶瓷的抗弯强度和抗热震性能，调解电性能掺杂剂能够改善低介微波介质陶瓷材料的电性能；且掺杂有氧化铝晶须的低介微波介质陶瓷材料具有良好的综合性能，可靠性更强，可满足介质谐振器与滤波器等微波元器件向小型化发展的要求，具有良好的应用前景。
氧化铝掺杂微波介质陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]低温烧结低介微波陶瓷材料Sr2-CN202010424552.0有效
发明人：李波;姚朋玉;邓亚平 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-05-19 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明属于电子陶瓷及其制造领域，涉及一种微波陶瓷材料，具体提供低温烧结低介微波陶瓷材料Sr2VxO7及其制备方法，用以进一步提升微波陶瓷材料Sr2V2O7微波陶瓷材料Sr2VxO7、1.80≤x2.00；该微波陶瓷材料保持主晶相为Sr3(VO4)2，有效降低了烧结温度(900～950℃)，同时，大大提升了微波陶瓷材料微波介电性能另外，本发明微波介质材料具有低的本征烧结温度，不需要添加任何助烧剂，且制备工艺简单，所有原料成本低廉、来源丰富，有利于工业化生产。
低温烧结微波陶瓷材料 sr base sub

[发明专利]超低温烧结温度稳定型钒基微波介质陶瓷材料及其制备方法-CN201510073040.3有效
发明人：姚国光;廖延娜;许凯;强帅;杨介印;胡旭升;刘帅波 -专利权人：西安邮电大学
申请日： 2015-02-11 - 公布日： 2015-06-17 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种超低温烧结温度稳定型钒基微波介质陶瓷材料及其制备方法，陶瓷材料的物相包括正交结构的BaV2O6相和单斜结构的CaV2O6相，其中BaV2O6的含量为82.4wt％～94.2wt％，其余为本发明超低温烧结温度稳定型钒基微波介质陶瓷克服了BaV2O6陶瓷的谐振频率温度系数偏大的缺点，具有良好微波介电性能(εr为8.3～10.9、τf为-10～+9ppm/℃、Q×f为10000～17000GHz制备本发明陶瓷材料所用原料丰富、成本低廉，有利于工业化生产，可广泛应用于低温共烧陶瓷系统、多层介质谐振器、滤波器、微波基板等微波器件的制造。
超低温烧结温度稳定型钒基微波介质陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种低烧微波介质陶瓷材料及其制备方法-CN202010145578.1有效
发明人：付清波;应红;杨彬;杨月霞 -专利权人：山东国瓷功能材料股份有限公司
申请日： 2020-03-05 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： C04B35/48 文献下载
摘要：本发明属于微波介质材料技术领域，具体涉及一种BaZrO3体系低温烧结低介电常数C0G微波介质材料及其制备方法。本发明所述低烧微波介质陶瓷材料，以BaZrO3、Mg2SiO4为基础，通过掺杂选定组分和配比的改性添加剂和助烧剂进行制备，所得微波介质陶瓷材料的介电常数可做到12‑16，Q*f值：30000‑50000，尤其是材料的烧结温度可以达到950℃以下，其TCC符合C0G规格，具有较好的低温烧结性，可用于MLCC、微波天线等微波器件的制造
一种低烧微波介质陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种微波介质陶瓷材料及其制备方法-CN201910512507.8在审
发明人：王明东;戴文金 -专利权人：山东格仑特电动科技有限公司
申请日： 2019-06-13 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： C04B35/465 文献下载
摘要：本发明具体涉及一种配方简单的微波介质陶瓷材料及其制备方法。本发明是一种低成本、工艺简单的微波介质陶瓷，大幅降低了生产成本，提高了生产效率，是一种具有中低介电常数且损耗小、温度系数近于零的微波介质陶瓷材料，适用于介质谐振器、滤波器及双工器等微波器件，原料价格低廉
微波介质陶瓷材料制备滤波器微波介质陶瓷中低介电常数介质谐振器工艺路线化学组成生产效率微波器件温度系数原料价格低成本双工器生产成本配方

[发明专利]一种铌镁酸铋基锂钛共替换微波介电陶瓷材料及制备方法-CN201310140252.X无效
发明人：花银群;崔晓;薛青;陈瑞芳 -专利权人：江苏大学
申请日： 2013-04-22 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明涉及微波介电陶瓷材料制造技术领域，具体地说是铌镁酸铋基微波介电陶瓷材料及制备方法。本发明通过调整介电功能添加剂的合理比例，所述材料的组分按摩尔百分比计算为：Bi2O359%～60%，MgO6.9%～7.0%，Nb2O530%～33.2%为主体材料，Li2CO3、TiO2各为0.15%利用传统固相合成法制备的铌镁酸铋基陶瓷材料，介电常数为188～213，介电损耗为0.00027～0.00031，介电温度系数为-683ppm/℃~-523ppm/℃；本发明的铌镁酸铋基微波介电陶瓷材料可用于集成电路中介质压控微波器件
一种铌镁酸铋基锂钛共替换微波陶瓷材料制备方法

[发明专利]一种钒基温度稳定型微波介质陶瓷及其制备方法-CN201510815604.6有效
发明人：周迪;李文博;姚熹 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2015-11-20 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： C04B35/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种钒基温度稳定型微波介质陶瓷及其制备方法，该陶瓷材料结构表达式为：(1‑x)CeVO4‑xTiO2，其中0.1≤x≤0.25。本发明的钒基低损耗温度稳定型微波介质陶瓷材料具有以下特点：相对介电常数可调(11.2～16.5)，微波性能良好(Qf＝14,400GHz～25,700GHz)，烧结温度较低(950℃～1100℃)，谐振频率温度系数趋近于零
温度稳定型钒基微波介质陶瓷制备微波介质陶瓷材料谐振频率温度系数陶瓷材料结构相对介电常数化学组成制备工艺烧结低损耗可调微波

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