专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]干燥方法-CN202180061357.9在审
  • 田中辰己 - 不二商事株式会社
  • 2021-08-20 - 2023-05-26 - F26B5/04
  • 干燥方法包括:初始减压低温化工序(S2),通过使减压泵(12a)工作而使腔室(11)内减压低温化;以及干燥循环工序(S3),在初始减压低温化工序(S2)之后,为了使干燥对象物(W)干燥而反复进行多次。干燥循环工序(S3)具备:微波加热工序(S32),向腔室(11)内照射微波,对腔室(11)内的干燥对象物(W)进行加热;以及减压低温化工序(S33),在微波加热工序(S32)之后,在停止了微波的照射的状态下
  • 干燥方法
  • [发明专利]空气液化分离方法及装置-CN201080032477.8有效
  • 明畠正实;汤泽茂 - 大阳日酸株式会社
  • 2010-07-20 - 2012-05-23 - F25J3/04
  • 其中,该空气液化分离方法具有:原料空气压缩工序,其将原料空气整体作为高于中压塔的运行压力的第1设定压力的升压原料空气;吸附净化工序,其从升压原料空气中去除杂质而形成为升压净化空气;循环空气合流工序,其使升压净化空气与升压返回空气合流而形成为循环空气;冷却工序,其将把循环空气分流为2支而得到的第1支流空气冷却至第1设定温度而形成为中压塔导入空气,将第2支流空气冷却至高于第1设定温度的第2设定温度而形成为膨胀用空气;膨胀工序,其使膨胀用空气绝热膨胀至低于第1设定压力的第2设定压力而形成为低温空气;将低温空气的一部分导入中压塔的工序;升温工序,其使低温空气的剩余部分恢复温度而形成为返回空气;循环压缩工序,其将该返回空气升压而形成为升压返回空气;将中压塔导入空气导入中压塔的工序
  • 空气液化分离方法装置
  • [发明专利]一种活性白土专用制备装置的使用方法-CN201610626757.0有效
  • 杨松 - 杨松
  • 2016-08-03 - 2017-12-01 - C01B33/40
  • 本发明涉及环保和循环经济技术领域,具体涉及一种活性白土专用制备装置的使用方法。其特征是以锅炉尾气作为循环流化床燃煤锅炉飞灰的输送、活化介质和活化所需热能与作为活化剂的硫酸在活化塔组件内完成活化工序循环流化床燃煤锅炉飞灰在气箱脉冲袋式捕集器完成与酸雾尾气分离工序,提升机Ⅰ把循环流化床燃煤锅炉飞灰输送到回转漂洗筒完成漂洗工序,经离心脱水机脱水后由提升机Ⅱ进入二次活化烘干回转炉的循环流化床燃煤锅炉飞灰在作为活化介质和热能提供的锅炉尾气帮助下完成二次活化、烘干工序
  • 一种活性专用制备装置使用方法
  • [发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置-CN201610509911.6有效
  • 松冈树;广濑义朗;桥本良知 - 株式会社国际电气
  • 2016-06-30 - 2019-09-06 - H01L21/02
  • 该半导体器件的制造方法具有通过执行规定次数的循环而在衬底上形成膜的工序,该循环中不同时地执行如下工序:向处理室内的衬底供给包含规定元素的原料的工序、从处理室内除去原料的工序、向处理室内的衬底供给包含氮、碳以及氢的第1反应体的工序、从处理室内除去第1反应体的工序、向处理室内的衬底供给包含氧的第2反应体的工序、从处理室内除去第2反应体的工序,将除去原料的工序的实施时间设定为比除去第1反应体的工序的实施时间长,或者将除去第2反应体的工序的实施时间设定为比除去第1反应体的工序的实施时间长。
  • 半导体器件制造方法衬底处理装置
  • [发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置-CN201910505141.1有效
  • 松冈树;广濑义朗;桥本良知 - 株式会社国际电气
  • 2016-06-30 - 2023-07-11 - H01L21/316
  • 该半导体器件的制造方法具有通过执行规定次数的循环而在衬底上形成膜的工序,该循环中不同时地执行如下工序:向处理室内的衬底供给包含规定元素的原料的工序、从处理室内除去原料的工序、向处理室内的衬底供给包含氮、碳以及氢的第1反应体的工序、从处理室内除去第1反应体的工序、向处理室内的衬底供给包含氧的第2反应体的工序、从处理室内除去第2反应体的工序,将除去原料的工序的实施时间设定为比除去第1反应体的工序的实施时间长,或者将除去第2反应体的工序的实施时间设定为比除去第1反应体的工序的实施时间长。
  • 半导体器件制造方法衬底处理装置

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