专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]光学低通滤波器基片加工工艺-CN201210219004.X有效
  • 刘德辉 - 山东博达光电有限公司
  • 2012-06-20 - 2017-09-15 - B24B9/06
  • 本发明公开了一种光学低通滤波器基片加工工艺,包括以下工艺步骤定向、磨基准面、切条、切片、粘砣、磨砣、化砣、粗研磨、倒角、细研磨、抛光、清洗、检验。本发明的加工工艺是对晶体基片的微创加工工艺,通过调整线切割张力、进给速度、控制冷却剂流量和温度等一系列措施,达到对于翘曲度、弯曲度、总厚度误差、中心厚度误差等质量参数的控制,极大地降低了因刀痕、损伤、破损在基片中产生亚损伤层的几率,极大地降低了机械应力和热应力,晶体基片合格率可达98%,远远高于传统加工工艺中80%的合格率。
  • 光学滤波器加工工艺
  • [发明专利]一种洗衣机电机线圈检测工艺-CN201610458674.5有效
  • 潘俊峰;俞智伟;廖启国;程礼银;施海廷;潘泽峰;刘智;陈杰华;潘飞;孙波 - 安徽金帅洗衣机有限公司
  • 2016-06-23 - 2019-01-01 - G01R29/20
  • 本发明公开了一种洗衣机电机线圈检测工艺,包括以下步骤:S1:匝数检查,用匝数测量仪对每单线圈匝数和每相总匝数进行测量,然后将测量的匝数值与标准匝数值进行对比,计算出匝数误差值,当每单线圈标准匝数值为0‑100匝/圈、每单线圈标准匝数值为100‑1000匝/圈、每相总标准匝数值为0‑500匝/圈、每相总标准匝数值为500‑1000匝/圈和每相总标准匝数值为1000‑10000匝/圈时,分别检测出匝数误差值≤±1、匝数误差值≤±2、匝数误差值≤±3、匝数误差值≤±4和匝数误差值≤±5;S2:电阻检查,用万用表对洗衣机电机线圈进行直流电阻检查,每相电阻折标到20时≤公标值±5%。本发明简单高效的对洗衣机电机线圈进行检测,工艺简单,成本低,效率高。
  • 一种洗衣机电机线圈检测工艺
  • [实用新型]一种碳化工艺整经装置-CN201621333897.0有效
  • 向峰;孙兴祥;陈文书 - 浙江精业新兴材料有限公司
  • 2016-12-07 - 2017-07-18 - D02H3/00
  • 本实用新型涉及一种碳化工艺整经装置,其在放丝步骤和预氧步骤之间增加一种碳化工艺整经装置;其特征在于,所述的碳化工艺整经装置包含往复罗拉,往复罗拉的罗拉轴头由两端轴承座固定于设备支架上,往复罗拉有6只。本实用新型的积极效果是有往复罗拉6只(也可以8只或10只,张力控制一致性更好),纤维在经过往复罗拉时,通过罗拉表面的摩擦力,消除纤维之间张力误差;达到消除和降低纤维之间张力误差工艺技术要求。
  • 一种碳化工艺装置
  • [发明专利]一种挤压铸造工艺温度参数设计方法-CN202210767454.6在审
  • 邓建新;刘光明;谢彬;黄海宾;刘港;贺德强;王令;李先旺;吴秀松 - 广西大学
  • 2022-07-01 - 2022-09-09 - G06F30/27
  • 本发明提供一种挤压铸造工艺温度参数设计方法,属于挤压铸造技术领域,工艺参数设计方法首先基于KNN算法参考相近材料铸件的温度工艺参数从材料成分层面对浇注温度和模具预热温度进行初始设计。然后结合铸型参数和广义回归神经网络(GRNN)对设计误差较大的模具预热温度进行修正,建立了误差修正模型。该设计方法基于已有的研究数据,充分参考利用了现有的相关研究成果,无需进行繁琐的实验研究且工艺参数的设计精度较高。相比于现有的工艺参数设计方法,节省了大量的时间成本和实验成本。该方法具有普适性,不仅适用于挤压铸造工艺参数的设计,对于其它类似领域的参数设计同样适用。
  • 一种挤压铸造工艺温度参数设计方法
  • [发明专利]套刻误差修正方法及装置、电子设备和存储介质-CN202310014488.2在审
  • 樊贝贝 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2023-01-05 - 2023-04-14 - G03F9/00
  • 本公开是关于一种套刻误差修正方法及装置、电子设备以及计算机可读存储介质,涉及半导体生产与制造技术领域,可以应用于套刻误差标识损坏的情况下修正套刻误差的场景。该方法包括:获取当前批次晶圆,确定当前批次晶圆对应的多个对准标记以及各对准标记的套刻误差与套刻误差偏差;基于套刻误差与套刻误差偏差确定各对准标记的标记质量值;基于标记质量值,对多个对准标记进行筛选,确定出目标对准标记;基于目标对准标记,确定当前批次晶圆对应的误差修正结果,以基于误差修正结果对下一批次晶圆进行曝光对准处理。本公开可以基于未被破坏的目标对准标记确定套刻误差,从而有效控制工艺制程中产生的套刻误差
  • 误差修正方法装置电子设备存储介质

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