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[发明专利]对准图形-CN202010818024.3有效
发明人：汪美里 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-08-14 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本申请涉及半导体技术领域，特别是涉及一种对准图形，包括：透光区域；第一不透光区域，所述第一不透光区域与所述透光区域位于同一平面上，所述第一不透光区域的面积大于所述透光区域的面积；其中，所述第一不透光区域在所述平面的正投影相对于传统的对准图形，本申请通过设置第一不透光区域的面积大于透光区域的面积，以增加对准图形中不透光区域的面积，减少芯片接收光的光强，避免在相邻的曝光场同时曝光的情况下，导致对准图形承受的曝光的光强较高，产生影响对准图形的图像质量的情况。
对准图形

[发明专利]套刻对准图形及测量方法-CN202211593501.6有效
发明人：黄小迪;黄浩玮 -专利权人：合肥新晶集成电路有限公司
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本公开涉及一种套刻对准图形及测量方法，套刻对准图形包括基础对准图形、第一对准图形及第二对准图形；基础对准图形位于衬底的预设区域内，包括若干个沿第一方向延伸的第一基础子对准图形及若干个沿第二方向延伸的第二基础子对准图形；第一对准图形位于衬底上的外延层上，包括多个长条图形，长条图形在预设区域的正投影覆盖一第一基础子对准图形或一第二基础子对准图形；第二对准图形位于外延层上，包括多个对准图案，对准图案在预设区域的正投影环绕一第一基础子对准图形或一第二基础子对准图形；本公开实施例至少能够提高套刻对准图形的对比度，获得外延层生长后的套刻精度，从而提高器件的套刻精度及产品良率。
对准图形测量方法

[发明专利]光刻对准方法及系统-CN202010468233.X有效
发明人：冯耀斌 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-05-28 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种光刻对准方法及系统，方法如下：在有第一图形层的衬底上形成第二图形层，在光刻时获取第一图形层对准标记位置信息；量测第二图形层套刻偏差并计算第一、第二图形层的实际对准标记相对偏差；在第二图形层上形成第三图形层，在光刻时获取第二图形层的对准标记位置信息；将实际对准标记相对偏差代入第二图形层对准标记位置信息，得到第一图形层计算对准标记位置信息并根据计算对准标记位置信息完成第三图形层的对准。本发明通过获取第一、第二图形层的对准标记位置信息及套刻偏差，得到其实际对准标记相对偏差，并用于第三图形层对准。该方法有效消除了第三图形层对第一图形层间接对准的对准偏差，使对准更精确，提升了产品良率。
光刻对准方法系统

[发明专利]晶圆键合对准精度的测量方法及结构-CN202111190135.5在审
发明人：徐爱斌;王俊杰 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2021-10-12 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种晶圆键合对准精度的测量方法及结构，涉及半导体制造领域。该方法包括在第一晶圆的锗键合层中形成锗键合对准图形和偏移量检测图形；偏移量检测图形为内侧带有刻度指示图形的矩形框图形；在第二晶圆的铝键合层中形成铝键合对准图形和定位图形；定位图形为带有指针的十字形图形；将第一晶圆上的锗键合对准图形和第二晶圆上的铝键合对准图形对准；将锗键合层和铝键合层共晶键合；利用红外线获取偏移量检测图形和定位图形结合形成的对准精度量测图形，根据对准精度量测图形确定第一晶圆和第二晶圆的对准偏差值；解决了目前难以对键合机台的对准精度进行监控的问题；达到了准确直观地判断对准偏差，有效监控键合机台对准精度的效果。
晶圆键合对准精度测量方法结构

[发明专利]曝光工艺的检验方法、检验系统及测试掩膜板-CN201510703676.1有效
发明人：王清蕴;卢子轩 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2015-10-26 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： G03F1/44 文献下载
摘要：一种曝光工艺的检验方法、检验系统及测试掩膜板，用于检验曝光机挡光片的开口大小，所述检验方法包括：提供晶圆；提供测试掩膜板，所述测试掩膜板上形成有第一测试图形和第二测试图形；先对第一测试图形进行曝光，再对第二测试图形进行曝光，先后在晶圆上形成第一对准图形和第二对准图形，第一对准图形和第二对准图形之间的距离根据挡光片的允许偏差范围而定；采用曝光机对所述第一对准图形和第二对准图形进行对准测试。本发明先形成第一对准图形和第二对准图形再采用曝光机进行对准测试，如果检测不到第一对准图形，则判断挡光片的开口过大；如果检测不到第二对准图形，则判断挡光片的开口过小，从而提高了检验挡光片开口大小的可靠性和精度
曝光工艺检验方法系统测试掩膜板

[发明专利]光刻对准标记-CN202210714670.4在审
发明人：王思顺;赵婧 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本申请公开了一种光刻对准标记，其形成于薄膜层中，该薄膜层需要依次通过N次刻蚀分别形成N种刻蚀图形，N为自然数，N≥2，从俯视角度观察，该对准标记包括：N个对准图形，每个对准图形具有其对应的刻蚀图形，且每个对准图形之间不具有交叠区域，每个对准图形与其对应的刻蚀图形通过同一刻蚀过程形成。本申请通过将对准标记设置为N个互相之间不具有交叠区域的对准图形，每个对准图形与其对应的刻蚀图形通过同一刻蚀过程形成，从而避免了需要进行多次刻蚀的薄膜层每次光刻中都使用位于同一位置的对准标记导致该对准标记经过多次刻蚀后叠加的深度较深的问题
光刻对准标记

[发明专利]确定晶片对准标记外围辅助图形的方法及所用光刻胶掩模-CN02131997.9无效
发明人：何溓泽;林鼎章;丁茂益 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2002-09-04 - 公布日： 2004-03-10 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明公开一种在晶片对准标记外围确定辅助图形的方法。首先，提供具有对准区的晶片，对准区中设置有一对准标记。然后，藉由一光刻胶掩模来进行曝光，以在对准区上的对准标记外围确定一第一辅助图形。此光刻胶掩模具有一第一辅助图形区，第一辅助图形区具有一第一图形来遮蔽该对准标记，及一第二图形来确定第一辅助图形。而且，此光刻胶掩模还包括一第二辅助图形区，具有一第三图形，用以在第一辅助图形的外围确定一第二辅助图形。
确定晶片对准标记外围辅助图形方法所用光刻胶掩模

[发明专利]一种多重曝光方法-CN201510000339.6有效
发明人：张家锦 -专利权人：上海微电子装备（集团）股份有限公司
申请日： 2015-01-04 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开一种多重曝光方法，其特征在于，多重曝光工艺层包含n组图形并进行n次曝光，每次曝光前先进行图形对准，所述图形中包含对准标记，其中，第1次曝光的图形对准前层工艺层；第2次曝光的图形对准第1层图形的对准标记；之后第n次曝光的图形对准第1至n‑1次曝光所形成的共（n‑1）组对准标记，其中n>2，n是自然数。
一种多重曝光方法

[发明专利]一种减少光刻机对准偏差的光刻图形对准标记方法-CN201110349890.3无效
发明人：马兰涛 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-11-08 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种减少光刻机对准偏差的光刻图形对准标记方法，提供光刻图形对准标记，光刻图形对准标记位于对准图形中部第一保护带内，对准图形保护带位于切割带内，切割带两侧分别分布有第二保护带和分隔带，光刻图形对准标记为若干相互平行的矩形条，其中，所述若干相互平行的矩形条垂直于所述切割带方向地在所述对准图形中部第一保护带内依次进行排布。与已有技术相比，本发明的有益效果在于：1、在现有光刻机的设计精度下，缩短图形的宽度，把信号扫描方向的其它干扰图形去除掉，这样就减少了干扰信号避免了对准偏差；2、所有的产品都可以使用这个图形。
一种减少光刻对准偏差图形标记方法

[实用新型]一种暗场掩模板-CN201820003634.6有效
发明人：于江勇;廖翌如;赵磊;刘园园 -专利权人：北京宇翔电子有限公司
申请日： 2018-01-02 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： G03F1/42 文献下载
摘要：本实用新型公开一种暗场掩模板，该暗场掩模板包括：观察区、粗对准区和精确对准区，其中，观察区内部被切割出矩形的图形区，用于透过其观察待光刻晶圆上的图形，并用于寻找待光刻晶圆上的用于粗对准的标识和用于精确对准的标识；粗对准区，包括用于粗对准的图形，用于粗对准的图形布置为与待光刻晶圆上的、用于粗对准的标识相对应；以及精确对准区，包括用于精确对准的图形，用于精确对准的图形布置为与待光刻晶圆上的、用于精确对准的标识相对应
粗对准光刻晶圆对准掩模板暗场图形布置对准区观察区本实用新型图形区切割观察

[发明专利]用于小尺寸图形光刻对准的光刻版及芯片光刻方法-CN202110390574.4有效
发明人：冯晓宇;王成刚;谢珩 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于小尺寸图形光刻对准的光刻版及芯片光刻方法。用于小尺寸图形光刻对准的光刻版，包括：本体、以及设于本体的至少一个对准标记、多个可视的非正式图形、和多个不可视的正式图形，对准标记大于可视的非正式图形，可视的非正式图形大于不可视的正式图形；对准标记与芯片上的标记相对应，可视的非正式图形与芯片上的图形相对应；多个可视的非正式图形的排列与多个不可视的正式图形的排列存在对应规律。采用本发明，可完成手动接触式光刻过程中无法通过人眼识别对准的小尺寸图形制备；在一版多片的情况下，不仅实现更小尺寸的图形对准，而且通过外置对准的方式节省正式芯片的可用空间。
用于尺寸图形光刻对准芯片方法

[发明专利]对准精度测量的图形结构-CN201510662782.X有效
发明人：王艳云;毛智彪;杨正凯 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2015-10-14 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种对准精度测量的图形结构，所述对准精度测量的图形结构至少包括被对准图形的外框及对准图形的内框，其中，所述被对准图形的外框及对准图形的内框为八角形结构；应用了前述的对准精度测量的图形结构的多层间对准测量方法，其至少包括以下步骤：形成第一层外部被对准记号；旋转一定角度后形成第二层外部被对准记号；形成第三层八角形内部对准记号。采用本发明的对准精度测量的图形结构通过收集更多矢量值，优化对准模型，计算出高阶系数，提高补偿值的准确性、稳定性、可靠性，去除了对准过程中的冗余，提高了对准精度；同时，可进行多层次之间对准精度量测，节省切割道占用空间；以及减小先进技术Double Patterning光刻层对准误差的效果。
对准精度测量图形结构对准图形对准记号对准内框外框八角形结构对准测量对准误差高阶系数精度量测先进技术占用空间矢量八角形第三层第一层光刻层切割道冗余外部多层减小应用优化

[发明专利]一种建模方法-CN202011389935.5有效
发明人：周育润;柯思羽;陈冠廷;张凱翔 -专利权人：泉芯集成电路制造（济南）有限公司
申请日： 2020-12-01 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： G06F30/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种建模方法，包括：获取预设量测图形；在所述预设量测图形的周边设计对准图形，形成具有对准功能的中间量测图形；基于所述中间量测图形进行仿真；获取仿真后图形影像上的轮廓图形；基于所述轮廓图形和所述中间量测图形上的对准图形进行漂移校准；基于校准结果对所述预设量测图形进行模型修正，得到目标建模图形。该建模方法通过在预设量测图形的周边设计对准图形，基于该对准图形进行漂移校准，进而对预设量测图形进行模型修正得到目标建模图形，解决了现有技术中存在漂移的问题。
一种建模方法

[发明专利]X射线光刻对准标记图形-CN03148990.7无效
发明人：谢常青;叶甜春;陈大鹏;李兵 -专利权人：中国科学院微电子中心
申请日： 2003-07-03 - 公布日： 2005-01-19 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本发明涉及一套X射线光刻对准标记图形，包括X射线掩模上用于对准的被指定测量图形和半导体基片上用于对准的被指定测量图形。本发明通过采用多线坐标值平均的方法来降低X射线掩模对准标记图形、半导体基片对准标记图形的定位和识别误差，降低X射线光刻的对准误差，提高X射线光刻的对准精度。
射线光刻对准标记图形

[发明专利]光罩的制备方法及光罩-CN202110808267.3在审
发明人：孙筱雨 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： G03F1/42 文献下载
摘要：本申请实施例涉及一种光罩的制备方法及光罩，所述方法包括：提供测试光罩，所述测试光罩上设置有若干个芯片功能区，所述芯片功能区内形成有多个对准图形和芯片功能图形；获取所述对准图形的偏移数据；根据所述对准图形的偏移数据确定若干个聚类区域；根据所述聚类区域确定目标对准图形的位置及数量，以及根据所述目标对准图形和所述芯片功能图形制备目标光罩。本申请能够减少对准图形的数量同时又能保证光罩检测质量。
制备方法

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