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[发明专利]一种封装基板的结构及其封装方法-CN201611015530.9有效
发明人：张黎;赖志明;陈锦辉;陈栋 -专利权人：江阴长电先进封装有限公司
申请日： 2016-11-18 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明涉及一种封装基板的结构及其封装方法，属于半导体封装技术领域。其包括普通基板（20）、超高密度基板（10）、高密度芯片（51）、低密度芯片（53）和包封层Ⅰ（310），超高密度基板（10）嵌于包封层Ⅰ（310）内，超高密度基板（10）与高密度芯片（51）倒装连接，在超高密度基板（10）的垂直区域外形成若干个基板外层金属电极（110），基板外层金属电极（110）通过盲孔Ⅱ（150）与普通基板（20）连接、其上表面与低密度芯片（53）倒装连接，部分基板外层金属电极（110）的下表面与超高密度基板（10）的部分焊盘连接。本发明的封装结构采用圆片级封装方法实现，实现了超高密度基板和普通基板的集成，提升了封装可靠性，有利于产品良率的提升。
一种封装结构及其方法

[实用新型]一种封装基板的结构-CN201621237183.X有效
发明人：张黎;赖志明;陈锦辉;陈栋 -专利权人：江阴长电先进封装有限公司
申请日： 2016-11-18 - 公布日： 2017-06-06 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种封装基板的结构，属于半导体封装技术领域。其包括普通基板（20）、超高密度基板（10）、高密度芯片（51）、低密度芯片（53）和包封层Ⅰ（310），超高密度基板（10）嵌于包封层Ⅰ（310）内，超高密度基板（10）与高密度芯片（51）倒装连接，在超高密度基板（10）的垂直区域外形成若干个基板外层金属电极（110），基板外层金属电极（110）通过盲孔Ⅱ（150）与普通基板（20）连接、其上表面与低密度芯片（53）倒装连接，部分基板外层金属电极（110）的下表面与超高密度基板（10）的部分焊盘连接。本实用新型的封装结构采用圆片级封装方法实现，实现了超高密度基板和普通基板的集成，提升了封装可靠性，有利于产品良率的提升。
一种封装结构

[发明专利]一种混合密度封装基板的结构及其封装方法-CN201611015529.6有效
发明人：张黎;赖志明;陈锦辉;陈栋 -专利权人：江阴长电先进封装有限公司
申请日： 2016-11-18 - 公布日： 2019-02-26 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明涉及一种混合密度封装基板的结构及其封装方法，属于半导体封装技术领域。其包括普通基板（20）、超高密度基板（10）、高密度芯片（51）、低密度芯片（53）和包封层Ⅰ（310），超高密度基板（10）嵌于包封层Ⅰ（310）内，超高密度基板（10）与高密度芯片（51）倒装连接、其下表面通过盲孔Ⅰ（130）与普通基板（20）连接，在超高密度基板（10）的垂直区域外形成若干个基板外层金属电极（110），基板外层金属电极（110）通过盲孔Ⅱ（150）与普通基板（20）连接、其上表面与低密度芯片该封装结构采用圆片级封装方法实现，实现了超高密度基板和普通基板的集成，提升了封装可靠性，有利于产品良率的提升。
一种混合密度封装结构及其方法

[实用新型]一种混合密度封装基板的结构-CN201621237011.2有效
发明人：张黎;赖志明;陈锦辉;陈栋 -专利权人：江阴长电先进封装有限公司
申请日： 2016-11-18 - 公布日： 2017-06-06 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种混合密度封装基板的结构，属于半导体封装技术领域。其包括普通基板（20）、超高密度基板（10）、高密度芯片（51）、低密度芯片（53）和包封层Ⅰ（310），超高密度基板（10）嵌于包封层Ⅰ（310）内，超高密度基板（10）与高密度芯片（51）倒装连接、其下表面通过盲孔Ⅰ（130）与普通基板（20）连接，在超高密度基板（10）的垂直区域外形成若干个基板外层金属电极（110），基板外层金属电极（110）通过盲孔Ⅱ（150）与普通基板（20）连接、其上表面与低密度芯片该封装结构采用圆片级封装方法实现，实现了超高密度基板和普通基板的集成，提升了封装可靠性，有利于产品良率的提升。
一种混合密度封装结构

[发明专利]SOI基板的评估方法-CN201580024451.1有效
发明人：大槻刚 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2015-02-25 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及一种SOI基板的评估方法，包含：预先于测定用SOI基板形成装置，求取测定用SOI基板的界面态密度与施加高周波时漏功率的关系，或是将界面态密度换算为电阻而求取换算的电阻与该漏功率的关系；测定评估对象SOI基板的界面态密度而求取界面态密度，或是求取基于界面态密度所换算得出的电阻；以及借由测定评估对象SOI基板的界面态密度，基于预先求取界面态密度与漏功率的关系，评估评估对象SOI基板的漏功率，或是借由测定评估对象SOI基板的界面态密度所换算的电阻，基于预先求取电阻与漏功率的关系，评估评估对象SOI基板的漏功率。如此，不实际测定高周波特性，借由尽可能简单的方法评估适合高周波的基板。
soi 评估方法

[发明专利]一种高密度集成基板结构和制造方法-CN202210941386.0在审
发明人：陈彦亨;林正忠 -专利权人：盛合晶微半导体（江阴）有限公司
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种高密度集成基板结构和制造方法，所述基板结构包括：重布线层、高密度互连基板、填充封装层和焊料阵列；高密度互连基板的第一互连面与第二布线面形成电连接。本发明通过重布线层对高密度互连基板线路的扇出，提高基板结构可实现的线路密度，缩小基板结构所需尺寸；同时利用重布线层可直接封装的特点，使前道、后道工艺不必分厂进行，缩短制备时间；另外通过重布线层的设置使基板结构可以兼容不同类型的芯片和元器件；最后配合高密度互连基板的支撑作用，减少重布线层封装强度不够导致非平面化或卷曲，提高了基板结构的性能可靠性。
一种高密度集成板结制造方法

[发明专利]高密度实木地板及其生产方法-CN200710050362.1无效
发明人：张征伟 -专利权人：张征伟
申请日： 2007-10-24 - 公布日： 2008-03-26 - 主分类号： E04F15/04 文献下载
摘要：本发明高密度实木地板及其生产方法，包括如下步骤：1)基板旋切2)面板直切；3)脱脂、干燥；4)基板同木纤维方向组坯；5)高密度强压；6)面板和基板同木纤维方向贴合。所得高密度实木地板，包括基板和面板。基板包括旋切单板，所述组坯的各层旋切单板按相同木纤维方向组坯，且纤维方向与地板的长度方向一致，通过加黏合剂施加强压压合成高密度基板。面板包括一直切单板，其木纤维方向与高密度基板方向一致。面板与高密度基板通过施胶压合成的一整体。
高密度实木地板及其生产方法

[发明专利]拼接显示装置和显示装置-CN201810744378.0有效
发明人：李冠锋;蔡宗翰;吴湲琳 -专利权人：群创光电股份有限公司
申请日： 2018-07-09 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： G09F9/302 文献下载
摘要：拼接显示装置包含第一拼接基板，第一拼接基板包含第一部分和第二部分。拼接显示装置也包含第二拼接基板，且第二拼接基板相邻于第一拼接基板的第一部分。多个发光单元设置于第一拼接基板和第二拼接基板上。设置于第一部分的发光单元的单元密度定义为第一单元密度，设置于第二部分的发光单元的单元密度定义为第二单元密度，且第一单元密度大于第二单元密度。
拼接显示装置

[发明专利]显示面板及其制备方法、显示装置-CN202011003986.X在审
发明人：李树磊;赵梦华;谢昌翰;康昭 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2020-09-22 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： G02F1/1335 文献下载
摘要：显示面板包括：对盒设置的阵列基板和彩膜基板，彩膜基板包括第一衬底基板和间隔设置于第一衬底基板上的多个色阻块，阵列基板包括第二衬底基板和间隔设置于第二衬底基板上的多个像素电极，像素电极与色阻块一一对应，显示面板包括弯折区和位于弯折区至少一侧的非弯折区，弯折区的像素电极的密度小于非弯折区的像素电极的密度，弯折区的色阻块的密度小于非弯折区的色阻块的密度。本文通过将显示面板的弯折区的像素电极的密度设置为小于非弯折区的像素电极的密度，将显示面板的弯折区的色阻块的密度设置为小于非弯折区的色阻块的密度，防止弯折区的像素电极与色阻块错位，提升了显示面板的显示品质
显示面板及其制备方法显示装置

[实用新型]一种电解制氢用非均匀式乳突板-CN202223469898.6有效
发明人：邹宏伟;朱自政;苏红艳;袁瑞;府根明 -专利权人：张家港氢云新能源研究院有限公司;江苏国富氢能技术装备股份有限公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C25B11/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了电解制氢用非均匀式乳突板，包括：基板，基板的下边沿上设置有电解液进口，基板的上边沿上设置有气体出口，基板上设置有若干个乳突，乳突所在处的基板的一侧表面突起、另一侧表面凹陷，基板中部区域的乳突的密度大于基板左侧区域的乳突的密度，基板中部区域的乳突的密度大于基板右侧区域的乳突的密度。所述的非均匀式乳突板中部区域乳突的密度大于左侧区域乳突的密度、右侧区域乳突的密度，使得乳突板中部区域的流速能降低，而乳突板左右两侧的流速能提高，从而使乳突板表面中部区域和左侧区域、中部区域和右侧区域之间的流速差能减少
一种电解制氢用非均匀式乳突板

[发明专利]高密度基板和具有高密度基板的堆叠式硅封装组件-CN201911044554.0在审
发明人： J·S·甘地 -专利权人：赛灵思公司
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： H01L23/492 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及高密度基板和具有高密度基板的堆叠式硅封装组件。提供了具有一种用于芯片封装组件的高密度布线的改进的互连基板、具有高密度基板的芯片封装组件及其制造方法，其利用具有被设置在低密度布线区域上的高密度布线区域的基板。在一个示例中，提供了一种用于制造互连基板的方法，该方法包括：通过在低密度布线区域的顶面上沉积种子层来形成高密度布线区域，在种子层上图案化掩模层，在种子层上形成多个导电柱，去除暴露在导电柱之间的掩模层和种子层，并且在导电柱之间沉积电介质层，其中至少一些导电柱被电耦合到包括低密度布线区域的导电布线。
高密度具有堆叠封装组件

[实用新型]高密度印刷电路板-CN202221386854.4有效
发明人：陈加志;张君超 -专利权人：苏州维拉利电子科技有限公司
申请日： 2022-06-01 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及电路板技术领域，具体为高密度印刷电路板包括高密度印刷电路板基板，高密度印刷电路板基板的顶面设置有高密度集成电路片；边槽，开设在高密度印刷电路板基板的侧壁，边槽的表面设置有弹性夹片，弹性夹片的表面设置有硅胶连片；抠取槽，开设在高密度印刷电路板基板的侧壁；有益效果为：本实用提出的高密度印刷电路板侧边加装多组弹性夹片，高密度印刷电路板基板被推入对应卡槽时，弹性夹片受压弹性形变，且弹性夹片向外侧弹性扩撑，实现高密度印刷电路板基板预固定在卡槽中不脱落
高密度印刷电路板

[发明专利]显示面板和显示装置-CN202211734398.2在审
发明人：陈宝玲;沈心睿;何艳林;凌安恺;沈柏平 -专利权人：厦门天马微电子有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G02F1/1339 文献下载
摘要：本申请公开了一种显示面板和显示装置，显示面板包括第一基板、第二基板和支撑柱，第一基板包括中心区域和位于中心区域周围的至少一个外围区域；第二基板与第一基板相对设置；支撑柱设置于第一基板与第二基板之间，用于支撑第一基板与第二基板，支撑柱包括朝向第一基板一侧的端面，中心区域内的支撑柱具有第一面积密度，第一面积密度为中心区域内全部支撑柱的端面面积之和与中心区域总面积的比值，外围区域内的支撑柱具有第二面积密度，第二面积密度为外围区域内全部支撑柱的端面面积之和与外围区域总面积的比值，第一面积密度大于第二面积密度。
显示面板显示装置

[实用新型]高密度实木地板-CN200720081699.4无效
发明人：张征伟 -专利权人：张征伟
申请日： 2007-10-24 - 公布日： 2008-10-15 - 主分类号： E04F15/04 文献下载
摘要：本实用新型高密度实木地板，包括基板和面板。基板包括旋切单板，所述组坯的各层旋切单板按相同木纤维方向组坯，且纤维方向与地板的长度方向一致，通过加黏合剂施加强压压合成高密度基板。面板包括一直切单板，其木纤维方向与高密度基板方向一致。面板与高密度基板通过施胶压合成一整体。
高密度实木地板

[发明专利]单晶硅基板中的缺陷密度的控制方法-CN201980039589.7有效
发明人：竹野博 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2019-05-13 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： C30B33/04 文献下载
摘要：本发明提供一种单晶硅基板中的缺陷密度的控制方法，其中进行准备单晶硅基板的准备工序、粒子束照射工序及粒子束照射工序后的热处理工序，所述控制方法的特征在于，在进行准备工序之前，具有预先对试验用单晶硅基板照射粒子束后进行热处理并测定产生的缺陷密度的测定工序、以及取得所测定的缺陷密度与氮浓度的相关关系的相关关系取得工序，并基于已取得的相关关系，以使热处理工序后的单晶硅基板中的缺陷密度成为目标值的方式调节准备的单晶硅基板的氮浓度。由此提供一种在利用粒子束照射与热处理控制缺陷密度的器件的制造工序中，能够减小起因于单晶硅基板的缺陷密度的偏差，以高精度控制缺陷密度的单晶硅基板中的缺陷密度的控制方法。
单晶硅中的缺陷密度控制方法

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