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- [发明专利]存储装置-CN201910841638.0在审
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郑凤吉
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三星电子株式会社
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2019-09-06
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2020-03-20
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G11C7/22
- 本公开提供一种存储器芯片和一种存储装置。所述存储装置包括第一存储器芯片，第一存储器芯片包括：第一输入焊盘，其配置为接收第一输入信号；第一初始化电路，其配置为产生第一初始化信号；第一输入延迟电路，其配置为将所述第一输入信号延迟第一延迟时间以产生第一输出信号第一时钟延迟电路，其配置为将所述第一初始化信号延迟第二延迟时间以产生第一时钟信号；第二时钟延迟电路，其配置为将所述第一时钟信号延迟第三延迟时间以产生第二时钟信号；第一锁存器，其配置为基于所述第一时钟信号存储所述第一输入信号；以及第二锁存器，其配置为基于所述第二时钟信号存储所述第一输入信号。
- 存储装置
- [发明专利]存储装置-CN201910170834.X在审
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松尾浩司
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东芝存储器株式会社
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2019-03-07
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2020-03-27
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H01L27/1157
- 一种存储装置，其包含：结晶硅衬底；堆叠膜，其包含设置于所述结晶硅衬底上且平行于结晶硅衬底表面而延伸的多个结晶硅膜及平行于所述结晶硅衬底表面而在所述相应结晶硅膜之间延伸的多个绝缘膜；多个第一导电层，其各自具有穿透所述堆叠膜的至少一部分且位于所述堆叠膜下方的断开末端部分；存储器单元，其分别设置于所述多个结晶硅膜与所述多个第一导电层之间；及多个第二导电层，其分别电连接到所述多个结晶硅膜。
- 存储装置
- [发明专利]存储装置-CN202010122088.X在审
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藤野赖信
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铠侠股份有限公司
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2020-02-26
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2021-03-19
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G11C11/15
- 本发明的实施方式提供一种能够适当地写入信息的存储装置。实施方式的存储装置具备：第1电阻变化存储元件，能够根据写入电流设定第1低电阻状态或第1高电阻状态；第1晶体管，具有第1栅极、第1源极及第1漏极，在第1写入期间，流动与流动到所述第1电阻变化存储元件的电流共通的电流写入期间之后保持施加于所述第1栅极的第1电压；以及第2晶体管，具有第2栅极、第2源极及第2漏极，在所述第1写入期间之后的第2写入期间，将由所述电压保持部保持的所述第1电压施加于所述第2栅极，而使电流流动到所述第1电阻变化存储元件
- 存储装置
- [发明专利]存储装置-CN202010135551.4在审
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初田幸辅
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铠侠股份有限公司
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2020-03-02
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2021-03-19
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G11C13/00
- 实施方式提供一种能够进行稳定的读出动作的存储装置。实施方式的存储装置具备：第1配线(WL)，在第1方向延伸；第2配线(BL)，在与所述第1方向交叉的第2方向延伸；存储单元(MC)，包含阻变存储元件及串联连接于阻变存储元件的开关元件；以及判定电路(50)，判定阻变存储元件中预先设定的判定对象电阻状态；开关元件具有如下特性：当施加至2端子间的电压增加而达到第1电压时从断开状态转为接通状态，当施加至2端子间的电压减少而达到低于第1电压的第2电压时从接通状态转为断开状态
- 存储装置
- [发明专利]存储装置-CN202010023238.1在审
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黑沢智紀;中村大
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铠侠股份有限公司
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2020-01-09
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2021-02-26
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G11C16/04
- 实施方式提供一种能够不妨碍高速动作而准确检测字线间的漏电的存储装置。实施方式的存储装置具备：存储单元(MTA)；字线(WLA)，连接于存储单元；字线驱动器(10)，产生针对字线的选择信号；第1晶体管(20)，包含供输入由字线驱动器产生的选择信号的栅极、及将基于选择信号的信号供给到字线的漏极；以及检测电路(30)，检测基于将数据写入存储单元之后的验证期间中于第1晶体管流通的电流的值。
- 存储装置
- [发明专利]存储装置-CN202010766527.0在审
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金熙城;申铉旭
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三星电子株式会社
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2020-08-03
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2021-02-09
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G11C13/00
- 本发明提供了一种存储装置，其包括第一非易失性存储器装置、第二非易失性存储器装置和数据线。第二非易失性存储器装置具有与第一非易失性存储器装置不同的类型。数据线被第一非易失性存储器装置和第二非易失性存储器装置共享。通过数据线将第一数据同时提供至第一非易失性存储器装置和第二非易失性存储器装置，将第一数据写入至第二非易失性存储器装置，并且通过从第二非易失性存储器装置读取第一数据并将读取的第一数据提供至第一非易失性存储器装置将第一数据再编程至第一非易失性存储器装置中
- 存储装置
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