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- [发明专利]存储器系统-CN202310127957.1在审
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初田幸辅
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铠侠股份有限公司
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2023-02-17
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2023-09-19
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G11C16/26
- 提供了一种存储器系统，其能够在适合于由命令等等指示的动作的条件下，执行从非易失性存储器的读取动作和向非易失存储器的写入动作。一种存储器系统包括非易失性存储器和存储器控制器，该存储器控制器被配置为从外部设备接收包括非易失性存储器中的访问对象和设置信息的命令，并被配置为控制针对访问对象的写入动作或读取动作。该存储器控制器具有条件设置电路。该条件设置电路能够在多个不同条件下执行写入动作或读取动作。存储器控制器在根据设置信息由条件设置电路选择的所述多个不同条件中的一个条件下，执行写入动作或读取动作。
- 存储器系统
- [发明专利]半导体存储装置-CN201810992334.X有效
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长田佳晃;初田幸辅
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铠侠股份有限公司
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2018-08-29
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2023-09-01
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G11C11/16
- 一实施方式的半导体存储装置具备：第1及第2存储单元，分别包含电阻变化元件及选择器；第1导电体，电连接于所述第1存储单元的第1端；第2导电体，将所述第1存储单元的第2端与所述第2存储单元的第1端之间电连接；第3导电体，电连接于所述第2存储单元的第2端；第1定电流源，能够经由所述第1导电体与所述第1存储单元电连接；第2定电流源，能够经由所述第3导电体与所述第2存储单元电连接；第1读出放大器，基于从所述第1定电流源向所述第1存储单元流动的电流，从所述第1存储单元读出数据；以及第2读出放大器，基于从所述第2存储单元向所述第2定电流源流动的电流，从所述第2存储单元读出数据。
- 半导体存储装置
- [发明专利]存储器装置-CN201910823642.4有效
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长田佳晃;初田幸辅
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铠侠股份有限公司
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2019-09-02
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2023-08-25
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G11C13/00
- 根据一实施方式，实施方式的存储器装置包含：存储单元(MC)，连接在第1配线(WL)与第2配线(BL)之间，且包含可变电阻元件(1)；及写入电路(141)，包含电流源电路(300)与电压源电路(310)，且使用写入脉冲对存储单元(MC)写入数据。写入电路(141)在从写入脉冲的供给开始的第1时刻起到第2时刻为止的第1期间，使用电流源电路(300)将写入脉冲供给到存储单元(MC)，在从第3时刻起到所述写入电流的供给停止的第4时刻为止的第2期间，使用电压源电路(310)将写入脉冲供给到存储单元(MC)。
- 存储器装置
- [发明专利]存储装置-CN201810134843.9有效
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初田幸辅;长田佳晃;藤野赖信;周洁云
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铠侠股份有限公司
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2018-02-09
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2023-04-11
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G11C11/16
- 实施方式的存储装置具备存储单元、前置放大器以及读出放大器。前置放大器是通过对第1路径流通与所述存储单元相关的第1电流，对与所述第1路径电分离的第2路径流通与所述第1电流相关的第2电流，而进行产生第1电压的第1读取，对进行过所述第1读取的所述存储单元进行第1数据的写入，并且通过对所述第1路径流通与写入有所述第1数据的所述存储单元相关的第3电流，对所述第2路径流通与所述第3电流相关的第4电流，而进行产生第2电压的第2读取。读出放大器是基于所述第1电压及所述第2电压，对在进行所述第1读取时存储至所述存储单元的数据进行判定。
- 存储装置
- [发明专利]半导体存储装置-CN201810188443.6有效
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松岡史宜;初田幸辅
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铠侠股份有限公司
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2018-03-07
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2023-02-17
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G11C11/16
- 实施方式的半导体存储装置具备：第1存储单元，包含第1电阻变化元件；以及写入电路，对所述第1存储单元进行写入。所述写入电路包含第1电路及第2电路，所述第1电路包含第1输入端子及第2输入端子，该第1输入端子被供给基于来自所述第1存储单元的读出数据的第1信号，该第2输入端子被供给基于对所述第1存储单元的写入数据的第2信号；所述第2电路包含第1输入端子及第2输入端子，该第1输入端子被供给来自所述第1电路的输出端子的第3信号，该第2输入端子被供给第4信号。
- 半导体存储装置
- [发明专利]存储设备-CN202210099117.4在审
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片山明;初田幸辅
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铠侠股份有限公司
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2022-01-25
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2022-09-13
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G11C13/00
- 实施例提供了一种能够可靠地执行读取操作的存储设备。根据一个实施例，存储设备包括：第一互连；第二互连；存储单元，其被连接在第一互连与第二互连之间，并包括可变电阻元件和被串联连接到可变电阻元件的开关元件；以及控制电路，其被配置为执行对读取被存储在存储单元中的数据的读取操作的控制。控制电路以这样的方式执行控制：将已用第一电压充电的第一互连和已用第二电压充电的第二互连设置成浮动状态，通过将被设置成浮动状态的第二互连放电来将开关元件设置成导通状态，从而增加被施加到存储单元的电压，并且在开关元件被设置成导通状态的状态下读取被存储在存储单元中的数据。
- 存储设备
- [发明专利]半导体存储装置及其控制方法-CN202110847985.1在审
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初田幸辅
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铠侠股份有限公司
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2021-07-27
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2022-03-18
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G11C8/08
- 实施方式提供一种高可靠性的半导体存储装置及其控制方法。实施方式的半导体存储装置具备多个存储单元。第1节点保存从多个存储单元内的第1存储单元读出的第1数据。第2节点保存从多个存储单元内的第1存储单元附近的第2存储单元读出的第2数据。差分电路具有流动与第1节点的电压对应的第1电流的第1电流路径、与流动与第2节点的电压对应的第2电流的第2电流路径，从输出部输出与第1节点与第2节点的电压差对应的输出信号。第1寄存器将输出信号锁存，并作为保持信号输出。第1偏移部连接在第1电流路径，在保持信号为第1逻辑时使第1电流偏移。第2偏移部连接在第2电流路径，在保持信号为与第1逻辑相反逻辑的第2逻辑时使第2电流偏移。
- 半导体存储装置及其控制方法
- [发明专利]可变电阻式存储器装置-CN202111010660.4在审
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初田幸辅
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铠侠股份有限公司
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2021-08-31
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2022-03-18
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G11C11/02
- 实施例提供了可有效读取数据的可变电阻式存储器装置。第一存储器基元耦接到第一互连和第三互连。第二存储器基元耦接到第二互连和第四互连。第一感测放大器具有耦接到第一电位的节点和第一互连的第一端子以及被定位为靠近第二电位的节点并耦接到第三互连的第二端子，并且在第一端子与第二端子之间具有电位差。第二感测放大器具有耦接到第三电位的节点和第四互连的第三端子以及被定位为靠近第四电位的节点并耦接到第二互连的第四端子，并且在第三端子与第四端子之间具有电位差。
- 可变电阻存储器装置
- [发明专利]存储装置-CN202110219387.X在审
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长田佳晃;初田幸辅
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铠侠股份有限公司
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2021-02-26
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2021-10-12
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H01L27/22
- 实施方式提供一种可抑制流动在存储单元的峰值电流的存储装置。实施方式的存储装置具备：第1及第2配线(WL)及(BL)；存储单元(MC)，包含电阻变化存储元件及开关元件；第1及第2共通配线(GWL)及(GBL)；以及第1及第2选择电路(21)及(22)；当存取连接在期望的第1及第2配线间的期望的存储单元时，将经由第1选择电路的期望的第1配线与第1共通配线间的路径设为第1路径，将经由第2选择电路的期望的第1配线与第1共通配线间的路径设为第2路径，在包含期望的存储单元所含的开关元件从断开状态转移到接通状态的时点的期间内，将第1及第2路径的一条设定为电导通状态，且将另一条设定为电非导通状态。
- 存储装置
- [发明专利]存储装置-CN202010135551.4在审
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初田幸辅
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铠侠股份有限公司
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2020-03-02
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2021-03-19
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G11C13/00
- 实施方式提供一种能够进行稳定的读出动作的存储装置。实施方式的存储装置具备：第1配线(WL)，在第1方向延伸；第2配线(BL)，在与所述第1方向交叉的第2方向延伸；存储单元(MC)，包含阻变存储元件及串联连接于阻变存储元件的开关元件；以及判定电路(50)，判定阻变存储元件中预先设定的判定对象电阻状态；开关元件具有如下特性：当施加至2端子间的电压增加而达到第1电压时从断开状态转为接通状态，当施加至2端子间的电压减少而达到低于第1电压的第2电压时从接通状态转为断开状态，判定电路基于开关元件从接通状态转为断开状态时施加至第1配线与第2配线之间的判定对象电压对判定对象电阻状态进行判定。
- 存储装置
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