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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]存储装置-CN200410063618.9有效
  • 渡边和嗣 - 松下电器产业株式会社
  • 2004-07-07 - 2005-02-09 - G06F12/14
  • 在多个过程中使用同一存储器时，利用不是进行写入的过程的其它过程能够读出存储器中保持的内容，保密性降低。本发明的存储装置根据状态保持单元中存储了是哪个过程对存储器进行写入的，以及是否由想要读出存储器内容的过程写入的数据，然后利用屏蔽机构(12)对存储器中保持的数据进行运算，通过这样来提高保密性。
  • 存储装置
  • [发明专利]存储装置-CN201710022633.6有效
  • 片山明 - 东芝存储器株式会社
  • 2017-01-12 - 2021-04-16 - G11C11/16
  • 本发明涉及存储装置，具备：存储单元阵列，具有多个存储单元；生成电路，生成参考电流；读出放大器，对在存储单元流通的单元电流和参考电流进行比较，检测存储单元所存储的数据；第1钳位晶体管，连接在读出放大器的第1输入端子与存储单元之间；第2钳位晶体管，连接在读出放大器的第2输入端子与生成电路之间；第1布线层，连接于第1钳位晶体管的栅，在第1方向延伸；第2布线层，连接于第2钳位晶体管的栅，在第1方向延伸，与第1
  • 存储装置
  • [发明专利]存储装置-CN201611232739.0有效
  • 王兴隆;何佳;陈晓岩 - 上海宝存信息科技有限公司
  • 2016-12-28 - 2021-03-02 - G06K19/077
  • 本发明提出一种存储装置，包括一主板、一主控芯片、一第一存储芯片单元、一第二存储芯片单元以及一散热器。该主板包括一金手指连接部。主控芯片设于该主板之上并对应该金手指连接部。第一存储芯片单元耦接该主板，并位于该主控芯片的一侧，其中，该第一存储芯片单元包括多个第一存储芯片。第二存储芯片单元耦接该主板，并位于该主控芯片的另一侧，其中，该第二存储芯片单元包括多个第二存储芯片。散热器热连接该主控芯片，该散热器位于该第一存储芯片单元与该第二存储芯片单元之间。
  • 存储装置
  • [发明专利]存储装置-CN201810149169.1有效
  • 清水峻 - 铠侠股份有限公司
  • 2018-02-13 - 2022-12-02 - H01L27/11529
  • 实施方式提供一种使晶体管的动作速度提高的存储装置。实施方式的存储装置具备：多个第1电极层，在第1方向上积层；两个以上的第2电极层，在所述第1方向上积层在所述第1电极层上；信道层，在所述第1方向上贯穿所述第1电极层及所述第2电极层；以及电荷累积层，设置在所述第
  • 存储装置
  • [发明专利]存储装置-CN201810134843.9有效
  • 初田幸辅;长田佳晃;藤野赖信;周洁云 - 铠侠股份有限公司
  • 2018-02-09 - 2023-04-11 - G11C11/16
  • 实施方式的存储装置具备存储单元、前置放大器以及读出放大器。前置放大器是通过对第1路径流通与所述存储单元相关的第1电流，对与所述第1路径电分离的第2路径流通与所述第1电流相关的第2电流，而进行产生第1电压的第1读取，对进行过所述第1读取的所述存储单元进行第1数据的写入，并且通过对所述第1路径流通与写入有所述第1数据的所述存储单元相关的第3电流，对所述第2路径流通与所述第3电流相关的第4电流，而进行产生第2电压的第2读取。读出放大器是基于所述第1电压及所述第2电压，对在进行所述第1读取时存储至所述存储单元的数据进行判定。
  • 存储装置
  • [发明专利]存储装置-CN201680089201.0有效
  • 荒屋朋子;本间充祥 - 铠侠股份有限公司
  • 2016-09-23 - 2023-08-22 - G11C16/06
  • 存储装置具备：第一存储器单元和与第一存储器单元相邻的第二存储器单元；以及序列发生器，在从第一存储器单元读出数据的情况下，对第二存储器单元进行第一读出，对第一存储器单元进行第二读出，对第二存储器单元的栅极施加与第二读出时不同的电压，并对第一存储器单元进行第三读出，基于第一～第三读出的结果生成存储于第一存储器单元的第一数据和用于对第一数据进行修正的第二数据。
  • 存储装置
  • [发明专利]存储装置-CN201810887534.9有效
  • 村越笃;佐佐木広器 - 铠侠股份有限公司
  • 2018-08-06 - 2023-07-04 - H10B41/35
  • 实施方式提供一种提升存储单元的存储保持特性且能够微细化的存储装置。实施方式的存储装置具备：多个电极膜，在第1方向积层，且在与所述第1方向交叉的第2方向延伸；第1半导体膜，接近所述多个电极膜而设置，且在所述第1方向延伸；第1电荷保持膜，设置在所述多个电极膜中的1个电极膜与所述半导体膜之间
  • 存储装置
  • [发明专利]存储装置-CN201810053618.2有效
  • 岡嶋睦 - 铠侠股份有限公司
  • 2018-01-19 - 2023-07-11 - H10B63/00
  • 实施方式提供一种能够提高集成度的存储装置。实施方式的存储装置具备：多条字线，在与第1方向及第2方向正交的第3方向上积层；多条主位线，包含第1主位线，且在第2方向上伸长；多个晶体管，包含第1与第2晶体管，第1与第2晶体管的第1方向的通道宽度宽于多条主位线的第
  • 存储装置
  • [发明专利]存储装置-CN201910922541.2有效
  • 全贞澔;李知勋 - 爱思开海力士有限公司
  • 2019-09-27 - 2023-04-07 - G06F12/0871
  • 本发明涉及一种存储装置，该存储装置可以包括：控制器；非暂时性计算机可读存储介质，被配置为存储用于使控制器执行操作的操作代码；以及缓冲器，被配置为通过控制器的控制在主机装置和非暂时性计算机可读存储介质之间临时存储数据，其中操作包括响应于主机装置的命令监控缓冲器的前台缓冲器使用率，以及基于所监控的前台缓冲器使用率调整用于缓冲器中的命令的前台缓冲器容量。
  • 存储装置
  • [发明专利]存储装置-CN201811003608.4有效
  • 岩本敏幸 - 铠侠股份有限公司
  • 2018-08-30 - 2023-04-18 - H10B63/00
  • 存储装置包含衬底；第一及第二绝缘层，其在第一方向上延伸；第一导电层，其在所述第一方向上延伸，在垂直于所述衬底的第二方向上处于所述第一及第二绝缘层之间；第二导电层，其在所述第二方向上延伸；可变电阻层，其提供于所述第一导电层与所述第二导电层之间
  • 存储装置
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