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[发明专利]存储装置-CN202010766527.0在审
发明人：金熙城;申铉旭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-08-03 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种存储装置，其包括第一非易失性存储器装置、第二非易失性存储器装置和数据线。第二非易失性存储器装置具有与第一非易失性存储器装置不同的类型。数据线被第一非易失性存储器装置和第二非易失性存储器装置共享。通过数据线将第一数据同时提供至第一非易失性存储器装置和第二非易失性存储器装置，将第一数据写入至第二非易失性存储器装置，并且通过从第二非易失性存储器装置读取第一数据并将读取的第一数据提供至第一非易失性存储器装置将第一数据再编程至第一非易失性存储器装置中。
存储装置

[发明专利]存储设备和操作该存储设备的方法-CN201911035318.2在审
发明人：安震悟;申铉旭;全镇完 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-10-29 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：公开了存储设备和操作该存储设备的方法。在一种操作包括非易失性存储器(NVM)的存储设备的方法中，所述非易失性存储器包括存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括第一平面和第二平面，所述方法包括接收用于所述第一平面和所述第二平面的数据感测的读取命令集；基于所述读取命令集同时将存储在所述第一平面中的第一页面数据加载到第一平面的第一页面缓冲区中、并将存储在所述第二平面中的第二页面数据加载到第二平面的第二页面缓冲区中；接收包括所述第一平面的数据输出命令集；并基于所述数据输出命令集连续地发送第一页面数据和第二页面数据。
存储设备操作方法