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- [发明专利]存储器-CN201810050025.0有效
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不公告发明人
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长鑫存储技术有限公司
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2017-04-28
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2020-11-20
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H01L27/115
- 本发明提供了一种存储器，字线包括位于所述有源区中的栅极和位于隔离区中的导电层，栅极和导电层相互连接，在对应字线位置且靠近栅极下方的衬底的隔离区中还形成有微沟槽，微沟槽中填充有导电层，从而使填充有导电层的微沟槽和有源区中的衬底在高度方向上至少部分空间重叠当存储晶体管导通时，在微沟槽与有源区衬底空间重叠的衬底区域中也能够形成一导电区域，导电区域构成了导电沟道的一部分，这相当于增加了导电沟道的宽度，有利于提高存储晶体管的驱动电流和导通电流。
- 存储器
- [发明专利]存储器-CN201310088451.0有效
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亚历山大;俞冰
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西安华芯半导体有限公司
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2013-03-19
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2013-07-03
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G11C7/06
- 本发明提供一种存储器，主要解决了现有存储器中加入的两个额外的存储阵列中的存储单元不能读写，从而导致晶元面积利用率低，产品成本高的问题。该存储器包括多个存储阵列，各存储阵列之间均设置有灵敏放大器阵列；两端部存储阵列的外侧设置有基准电位提供模块，基准电位提供模块与端部存储阵列之间设置有灵敏放大器阵列；基准电位提供模块是选通管或电容，选通管与存储阵列中的选通管类型相同，大小为存储阵列中的选通管大小的N倍，N为一个字线上所连接的存储单元的个数。该存储器提高晶元面积利用率，极大地减少了芯片的体积和加工成本。
- 存储器
- [发明专利]存储器-CN201010203863.0有效
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杨光军
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上海宏力半导体制造有限公司
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2010-06-09
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2011-12-14
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G11C7/00
- 一种存储器包括具有多条位线的虚拟接地阵列、灵敏放大器、若干列选通电路、输入输出电路、第一开关和第二开关，所述存储器的目标存储单元的读操作包括读预充电阶段、读数据阶段和放电阶段，第一开关和第二开关分别与所有位线连接，其中，在读预充电阶段，所述第一开关用于输出读预充电电压至所有位线；在读数据阶段，所述灵敏放大器通过列选通电路和输入输出电路将与目标存储单元连接的一条位线的电压下拉至低于预充电电压的第一电压，所述灵敏放大器通过列选通电路和输入输出电路从与目标存储单元连接的另外一条位线读出数据本发明存储器所占面积小，而且，不会影响读操作和写操作的速度。
- 存储器
- [发明专利]存储器-CN201010175951.4有效
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张扬;胡永凉;郑再魁
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英业达股份有限公司
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2010-05-13
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2011-11-16
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G11B33/02
- 本发明提供了一种存储器，适于安装在机架上，此存储器包括机箱、存储单元、电源模组、管理模组及转接板，其中机箱包括底板、第一、第二侧壁与间隔板，间隔板位于底板的上方，将机箱分隔为上、下层容置空间。存储单元配置于上层容置空间内，而电源模组配置于下层容置空间内，用于对存储器供电，此电源模组包括电源背板及插接于电源背板的电源供应器。管理模组配置于下层容置空间内，且具有扩展接口以外接提供存储单元的伺服器或外接存储单元以扩展存储器的容量，并管理存储单元。转接板配置于下层容置空间内，电性连接电源背板、管理模组以及存储单元。
- 存储器
- [发明专利]存储器-CN201010125875.6有效
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杨光军;肖军
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上海宏力半导体制造有限公司
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2010-03-08
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2011-09-21
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G11C16/06
- 一种存储器，包括若干个存储区域；电荷泵，用于提供编程/擦除参考电压，还包括：分压单元，包括电压输出端和若干个分别相应于所述存储区域的存储区域分压单元；预译码单元，根据输入其的地址信号，选择相应的存储区域分压单元，所述被选择的存储区域分压单元将所述电荷泵提供的编程/擦除参考电压分压后作为提供给相应的存储区域的编程/擦除电压输出至所述电压输出端。本发明可以提高存储器的耐疲劳性、保持性低，并可以对不同的存储区域分别进行优化，提高存储器的可靠性。
- 存储器
- [发明专利]存储器-CN201010125884.5有效
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杨光军;肖军
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上海宏力半导体制造有限公司
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2010-03-08
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2011-09-21
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G11C16/06
- 一种存储器，包括若干个存储区域；一电压源，向所述存储区域提供读取参考电压；分压单元，包括相应于所述若干个存储区域的若干个存储区域分压单元；预译码单元，与所述分压单元连接，根据输入该预译码单元的地址信号，选择相应的存储区域分压单元，被选择的存储区域分压单元将所述电压源提供的读取参考电压分压后作为提供给相应存储区域的读取电压输出。降低存储器的功耗，并且可以优化存储器的读取时间；另外，可以避免在长时间对某些存储区域进行读取数据时，容易造成与相邻存储区域之间的串扰现象。
- 存储器
- [发明专利]存储器-CN02131882.4有效
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船场诚司;西尾洋二
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尔必达存储器股份有限公司
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2002-09-05
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2003-03-19
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G06F13/00
- 在有控制器和多个存储单元一起安装在母板上的存储器中，高速操作是依靠抑制反射引起的波形畸变来执行的，因为，当控制器执行关于存储模块上的存储单元的写/读数据时发生信号反射，控制器和存储单元中包括了有源终止器单元这些有源终止器单元，为了终止存储单元中的这些总线，这些有源终止器单元供数据总线和/或时钟总线用。当要接收数据时，为控制器和存储单元提供的有源终止器单元可进入无源状态。
- 存储器
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