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[发明专利]半导体存储器装置和其形成方法-CN202110324343.3在审
发明人：藤本稔泰;佐佐木隆;寺田忍 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-03-26 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本申请案涉及半导体存储器装置和其形成方法。一种半导体存储器装置包含存储器单元区；存储器片块末端区；存储器片块，其包含所述存储器单元区和所述存储器片块区；多个第一硅区，其布置于所述存储器单元区中；第二硅区，其布置于所述存储器片块末端区中；第一导电层，其设置在所述存储器单元区和所述存储器片块末端区中；且其中所述存储器片块末端区中的所述第二硅区的上表面位置高于所述存储器单元区中的所述第一硅区的所述上表面位置；且其中所述存储器片块末端区中的所述第一导电层的所述上表面位置高于所述存储器单元区中的所述第一导电层的所述上表面位置
半导体存储器装置形成方法

[发明专利]具有部分阵列刷新的存储器-CN201911235624.0在审
发明人： D·H·希斯科克;D·M·贝尔;M·卡明斯基;J·E·阿尔茨海默;A·D·韦切斯;J·S·雷赫迈耶 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-12-05 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：本文揭示具有对存储器阵列中的存储器区的部分阵列刷新控制的存储器装置和系统及相关联方法。在一个实施例中，存储器系统包含存储器控制器和可操作地连接到所述存储器控制器的存储器装置。所述存储器装置包含(i)存储器阵列，其具有经配置在多个存储器区中的多个存储器单元；及(ii)抑制电路。在一些实施例中，所述抑制电路经配置以停用所述多个存储器区的一或多个存储器区使其无法接收刷新命令，使得在所述存储器装置的刷新操作期间不刷新所述一或多个存储器区的存储器单元。在这些和其它实施例中，所述存储器控制器经配置以跟踪包含所利用的存储器单元的存储器区及/或根据所述存储器装置的编程序列将数据写入到所述存储器区。
具有部分阵列刷新存储器

[发明专利]存储器装置布局-CN202211083619.4在审
发明人： H·加达姆塞蒂;J·A·瓦恩加德 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： G11C11/408 文献下载
摘要：本申请涉及存储器装置布局。一种存储器装置包含存储器分区。所述存储器分区包含：存储器区，其包括耦合到所述存储器区的字线的存储器元件；感测放大器区，其包括耦合到所述存储器元件以感测所述存储器元件的数据状态的感测放大器；子字线区，其耦合到所述存储器区的所述字线；以及微隙区，其安置于所述子字线区与所述感测放大器区的相交处。所述微隙包含第一多个晶体管，所述第一多个晶体管在至少一个方向上跨所述微隙区具有与所述感测放大器区的第二多个晶体管连续的布局。
存储器装置布局

[发明专利]集成组件和形成集成组件的方法-CN202280008633.X在审
发明人： A·N·斯卡伯勒;J·D·霍普金斯;J·D·格林利 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-01-04 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H10B43/27 文献下载
摘要：一些实施例包含一种集成组件，其具有第一存储器区、从所述第一存储器区偏移的第二存储器区，以及在所述第一存储器区与所述第二存储器区之间的中间区。沟道材料支柱布置在所述存储器区内。导电柱布置在所述中间区内。面板跨所述存储器区和所述中间区延伸。所述面板横向处于第一存储器块区与第二存储器块区之间。掺杂半导体材料在所述存储器区和所述中间区内，且紧邻所述面板。所述掺杂半导体材料是所述存储器区内的导电源极结构的至少一部分。绝缘环横向包围所述导电柱的下部区且在所述导电柱与所述掺杂半导体材料之间。绝缘内衬沿着所述导电柱的上部区。一些实施例包含形成集成组件的方法。
集成组件形成方法

[发明专利]存储器控制器及包括存储器控制器的存储器系统-CN202210194368.0在审
发明人：李宗珉 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-03-01 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： G06F13/16 文献下载
摘要：本公开涉及一种存储器系统。该存储器系统可以包括存储器装置、缓冲存储器装置和存储器控制器，存储器装置包括多个存储块。缓冲存储器装置包括读取缓冲区和保持缓冲区，读取缓冲区被配置为存储从存储器装置读取的数据，保持缓冲区被配置为存储读取数据的一部分。存储器控制器操作以根据在从存储器装置读取数据时保持数据中的错误位数量来识别读取缓冲区中存储的数据之中的保持数据，将保持数据存储在保持缓冲区中，并且从读取缓冲区中移除保持数据。存储器控制器可以基于与保持数据相关的信息将保持数据存储在多个存储块的任意一个存储块中。
存储器控制器包括系统

[发明专利]存储器装置中的并行存储器存取及计算-CN201910919564.8在审
发明人： G·戈洛夫 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-09-26 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： G06F7/57 文献下载
摘要：本申请案涉及存储器装置中的并行存储器存取及计算。本发明揭示一种囊封在集成电路IC封装内的IC存储器装置。所述存储器装置包含：第一存储器区，其经配置以存储操作数列表；第二存储器区，其经配置以存储依据所述操作数列表产生的结果列表；及至少一个第三存储器区。所述存储器装置的通信接口可从外部处理装置接收请求；且算术计算元件矩阵可并行存取所述存储器装置的存储器区。当所述算术计算元件矩阵正在处理所述第一存储器区中的所述操作数列表并产生所述第二存储器区中的所述结果列表时，所述外部处理装置可通过所述通信接口同时存取所述第三存储器区以将数据加载到所述第三存储器区中，或检索所述算术计算元件矩阵先前已产生的结果
存储器装置中的并行存取计算

[发明专利]存储器结构及其制造方法-CN201610882995.8有效
发明人：胡志玮;叶腾豪 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2016-10-10 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明提供了一种存储器结构及其制造方法。该存储器结构包括多个存储器区段。存储器区段各包括存储器阵列区、存储器选择区、半导体栅电极、半导体通道、栅介电层、栅电极层与通道层。存储器选择区邻近存储器阵列区。栅电极层与半导体通道位于存储器选择区中。栅电极层通过栅介电层分开自半导体通道。通道层与半导体栅电极位于存储器阵列区中。通道层通过栅介电层分开自半导体栅电极。
半导体通道栅电极存储器阵列区存储器选择半导体栅电极层栅介电层通道层存储器结构存储器区段邻近制造

[发明专利]用于管理存储装置中的分区的方法和系统-CN200680023595.6有效
发明人：罗伯特·C·张;迈克尔·霍尔茨曼;法施德·萨伯特－沙吉;保罗·麦卡沃伊;巴赫曼·卡瓦米 -专利权人：桑迪士克股份有限公司
申请日： 2006-06-28 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明提供一种用于重新分配存储器分区空间的大容量存储存储器系统和方法。所述存储系统包含：存储器控制器，其具有微处理器，所述微处理器适合于经由逻辑接口从主机系统接收数据；第一存储器分区，其具有系统区和数据区；以及第二存储器分区，其具有系统区和数据区；其中所述存储器控制器通过使用所述系统区和所述数据区的虚拟区块地址使得所述系统区和所述数据区看似邻接所述主机系统，来将存储器空间从所述第二存储器分区重新分配到已满或已经达到阈值的所述第一存储器分区。
用于管理存储装置中的分区方法系统

[发明专利]具有链表处理器的存储器管理系统-CN200410010495.2有效
发明人：比德·J·兹维尔斯 -专利权人：朗迅科技公司
申请日： 2004-09-29 - 公布日： 2005-07-13 - 主分类号： H04L12/54 文献下载
摘要：适合于处理链表数据文件的一个存储器管理系统(1800)。该系统具有多个低容量高速存储器(1803)和一个低速高容量的大容量存储器(1806)。一个访问流量调节器(1801)生成请求以通过存储器读写链表文件。头部和尾部缓冲区以及链表的任何中间部分缓冲区，都被写入高速存储器。中间部分缓冲区立即从高速存储器被传输到上述大容量存储器，同时将链表的头缓冲区和尾缓冲区留在高速存储器中。在读操作中，从高速存储器中读出头和尾部缓冲区。将中间部分缓冲区从大容量存储器传输到上述高速存储器，并接着从该高速存储器中读出。
具有处理器存储器管理系统

[发明专利]集成式组合件和形成集成式组合件的方法-CN202210085585.6在审
发明人： J·D·霍普金斯;A·N·斯卡伯勒;J·D·格林利 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L27/11548 文献下载
摘要：一些实施例包含具有第一存储器区、从所述第一存储器区偏移的第二存储器区和在所述第一和第二存储器区之间的中间区的集成式组合件。沟道材料柱布置在所述第一和第二存储器区内。导电柱布置在所述中间区内。面板跨所述第一存储器区、所述中间区和所述第二存储器区延伸。所述面板在第一存储器块区和第二存储器块区之间。掺杂半导体材料在所述第一存储器区、所述第二存储器区和所述中间区内，且紧邻所述面板。所述掺杂半导体材料是所述第一和第二存储器区内的导电源极结构的至少部分。绝缘环环绕所述导电柱的下部区且在所述导电柱和所述掺杂半导体材料之间。一些实施例包含形成集成式组合件的方法。
集成组合形成方法

[发明专利]存储器装置的分区命名空间中的部分区存储器单元处置-CN202110806082.9在审
发明人： A·巴德瓦杰 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本申请案涉及存储器装置的分区命名空间中的部分区存储器单元处置。接收执行写入操作以在经配置有具有多个区的分区命名空间的存储器装置处写入数据的请求。所述数据与所述存储器装置的所述多个区中的区相关联。将所述数据存储在所述存储器装置的未分区存储器区域的未分区存储器单元处。确定存储在所述未分区存储器单元处且与所述区相关联的数据量是否满足阈值条件。响应于确定存储在所述未分区存储器单元处且与所述区相关联的所述数据满足所述阈值条件，将所述数据从所述未分区存储器单元写入到所述区的区存储器单元。
存储器装置分区命名空间中的部分单元处置

[发明专利]存储器处理单元架构-CN202080049322.9在审
发明人： M·施丹;J·博蒂默尔;C·刘;孟繁萱;T·韦斯利;张振亚;卢伟 -专利权人：麦姆瑞克斯公司
申请日： 2020-04-23 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： G06F12/06 文献下载
摘要：存储器处理单元架构可包括多个存储器区及在多个存储器区之间交错的多个处理区。多个处理区可被配置为执行诸如人工神经网络的模型的计算函数。可以在各个存储器处理区中的计算函数之间传送数据，此外，存储器区可用于在一个处理区中的计算函数和与给定存储器区相邻的另一个处理区中的计算函数之间传送数据。
存储器处理单元架构

[发明专利]半导体存储装置-CN200880008447.6有效
发明人：矢野浩邦;菅野伸一;檜田敏克;松崎秀则;橘内和也;浅野滋博 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2008-12-25 - 公布日： 2010-01-20 - 主分类号： G06F12/00 文献下载
摘要：一种半导体存储装置包括：配置在易失性半导体存储器中的第一存储器区11、配置在非易失性半导体存储器中的第二和第三存储器区12和13、以及执行下面的处理的控制器10。控制器10执行：第一处理，用于通过第一单位将多个数据存储在所述第一存储器区中；第二处理，用于通过第一管理单位将从所述第一存储器区输出的数据存储在所述第二存储器区中；以及第三处理，用于通过第二管理单位将从所述第一存储器区输出的数据存储在所述第三存储器区中
半导体存储装置

[发明专利]存储装置分区管理方法、存储器存储装置及存储器控制器-CN202210130224.9在审
发明人：赖振楠;王嗣钧;詹伟钦 -专利权人：深圳宏芯宇电子股份有限公司
申请日： 2022-02-11 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明提供一种存储装置分区管理方法、存储器存储装置及存储器控制器，该存储装置分区管理方法用于存储器存储装置，其中存储器存储装置包括存储器模块，存储器模块包括多种存储介质，多种存储介质至少包括SCM存储介质和NAND FLASH存储介质，存储装置分区管理方法包括：将存储器模块划分为多个不同的功能区，多个不同的功能区至少包括FAT区和DATA区；根据FAT区和DATA区中需要存储的数据类型不同，选择SCM存储介质来存储FAT区中的数据和选择NAND FLASH存储介质来存储DATA区中的数据。藉此，可实现混合存储的存储策略的优化，提升存储系统的性能。
存储装置分区管理方法存储器控制器

[发明专利]硬件辅助的页面调度机制-CN201910445737.7在审
发明人： A.菲鲁兹沙希安;O.阿兹兹;C.埃伯特;D.汉森;A.克利恩;M.马杜里;M.马哈夫;A.索罗马特尼科夫;J.P.斯蒂弗森 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2019-05-27 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：用于计算机存储器管理的处理电路包括：存储器减小电路，要实现存储器减小技术；以及引用计数信息采集电路，要：访问存储器区，所述存储器区受制于所述存储器减小技术；获得所述存储器区的存储器减小的指示；计算基于与所述存储器区相关联的高速缓存线的存储器减小的指示的度量；以及将所述度量提供给系统软件组件以用于在存储器管理机制中使用。
存储器减小存储器区度量存储器管理机制计算机存储器访问存储器高速缓存线采集电路处理电路计数信息系统软件页面调度硬件辅助电路引用关联管理

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