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[发明专利]套刻误差量测方法和装置-CN202210096917.0在审
发明人：张基智;吴长明;冯大贵;姚振海;金乐群;王绪根;朱联合;杨伟 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种套刻误差量测方法和装置。所述套刻误差量测方法包括以下步骤：提供半导体器件，所述半导体器件包括相邻的当前互连层和量测互连层，所述量测互连层位于所述当前互连层下；量测确定第一套刻误差，所述第一套刻误差为所述当前互连层相对于所述量测互连层的套刻误差；量测确定第二套刻误差，所述第二套刻误差为所述量测互连层的套刻误差；使得在所述第一套刻误差基础上叠加带有权重系数的第二套刻误差后，作为所述当前互连层的优化套刻误差。所述套刻误差量测装置用于执行该套刻误差量测方法。本申请提供的套刻误差量测方法和装置，可以解决相关技术中套刻误差量测不准确，容易造成返工的问题。
误差方法装置

[发明专利]对准量测标记结构及对准量测方法-CN202110360791.9有效
发明人：刘文奇 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-04-02 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种对准量测标记结构及对准量测方法，包括：第一套刻标记；第二套刻标记，所述第二套刻标记包括待量测图形结构；其中，所述第一套刻标记与所述第二套刻标记位于相邻层，且所述第一套刻标记在所述第二套刻标记所在层的正投影位于所述第二套刻标记内侧，或所述第一套刻标记在所述第二套刻标记所在层的正投影位于所述第二套刻标记的外围。本发明的对准量测标记结构通过设置待量测图形结构作为第二套刻标记，在使用对准量测标记结构进行对准时即可实现待量测图形结构的量测，可以提高对准和量测的工作效率；同时本发明的对准量测标记结构可以使用光学量测方式对待量测图形进行量测，量测过程中不会产生气体副产物，不会对晶圆造成污染。
对准标记结构方法

[发明专利]一种套刻标记、套刻标记设置方法及套刻量测方法-CN202310289040.1在审
发明人：陈震东 -专利权人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G03F1/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种套刻标记、套刻标记设置方法及套刻量测方法，应用于半导体集成电路制造工艺领域，包括：沿垂直方向设置在多层套刻光刻层中的套刻量测标记，每层套刻光刻层中至少设置一个套刻量测标记；一层套刻光刻层中，套刻量测标记沿一个标准水平坐标对称设置；不同套刻光刻层中的标准水平坐标在垂直方向上重合；在不同套刻光刻层中，同一个水平坐标对应的多个套刻量测标记的标记线宽，在垂直方向逐渐增大。本发明通过将不同套刻光刻层中的标记线宽，设置为沿垂直方向逐渐增大，且套刻量测标记沿一个标准水平坐标对称设置，能够使一个套刻标记完成多层套刻对准，降低了对切割道和芯片内部空间的占用。
一种标记设置方法套刻量测

[发明专利]一种半导体套刻精度的控制方法及叠层标记-CN201911032221.6有效
发明人：张伟 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-10-28 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体套刻精度的控制方法，该方法包括根据所述主套刻叠层标记获取主量测值；根据所述辅助套刻叠层标记获取辅助量测值；基于所述主量测值和所述辅助量测值进行套刻补偿。另外，还公开了一种半导体套刻叠层标记。采用本发明提高了半导体套刻的精度。
一种半导体精度控制方法标记

[发明专利]一种获取套刻误差量测数据的方法及装置-CN202010057340.3有效
发明人：马恩泽;韦亚一;张利斌;董立松 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-01-19 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种获取套刻误差量测数据的方法及装置，包括：获取套刻误差的标记方式，根据标记方式确定套刻标记；基于套刻标记，确定线条上的量测区域，量测区域包括多组待量测区间，待量测区间的数量根据标记方式确定；针对每个量测区域，对多组待量测区间进行量测，获取对应的量测数据；基于预设的筛选标准，对量测数据进行筛选，获取符合筛选标准的量测数据；根据符合筛选标准的量测数据确定套刻误差的目标量测数据；如此，因待量测区域包括多个，即使在晶圆出现多个chuck spot或focus spot问题的情况下，本申请也可将不符合筛选标准的量测数据筛选掉，进而可以利用保留下的有效量测数据确定出最终的目标量测数据。
一种获取误差数据方法装置

[发明专利]一种套刻误差量测和问题评估的方法-CN201710796702.9有效
发明人：陈巧丽;许箭;杨正凯 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-09-06 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种套刻误差量测和问题评估的方法，包括：输入套刻误差量测方案，输入全部套刻误差量测标识信息，输入目标上下限以及套刻误差异常评估标准，完成数据收集，将量测值与上下限对比，超出的数据点标记为问题点，根据评估标准，判断是否需增加新的数据收集方案，若问题点所占比例超过设定值，则生成套刻误差异常报告，否则根据评估标准判断需将哪些量测标识纳入新的数据收集方案进行量测，若新得到的量测数据中还有问题点，则将其标记，直到套刻误差的量测数据均落在目标上下限范围内，生成套刻误差问题和问题影响程度报告。本发明可减少确定套刻误差问题范围时间，得到套刻误差问题和问题影响程度，便于工程师判断并采取下一步处理方案。
套刻误差量测数据收集上下限量测数据评估标准标识信息输入目标问题评估误差问题一步处理异常报告异常评估输入套数据点误差量工程师

[发明专利]一种套刻精度量测标记及其使用方法-CN202010584741.4在审
发明人：刘必秋 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本发明提供一种套刻精度量测标记及其使用方法，本发明针对光刻当层，利用DBO衍射量测的特征，同时IBO量测图形不参与衍射结果，相对于传统的IBO量测具有更高的精准度和准确度；在刻蚀后，利用IBO量测标记可以表征刻蚀后套刻精度的性能，弥补DBO量测标记在刻蚀后无法量测的缺点。本发明的套刻精度量测标记不仅可以满足光刻当层套刻精度的检查要求且可以得到刻蚀后相应的套刻精度的测试结果，节省了器件空间，而提供了不同工艺过程中套刻精度测试需求。
一种精度标记及其使用方法

[发明专利]量测图形结构及其使用方法-CN202310085990.2在审
发明人：张驰;赵弘文;郑春杰 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-02-01 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种量测图形结构，包括量测图形，量测图形包括第一量测图形和第二量测图形，量测图形设置在切割道以及die中；其中，第一、二量测图形呈矩阵分布，量测图形中的X方向和Y方向均至少存在一个第一量测图形和第二量测图形；第一量测图形由多个条形图形组成，第一量测图形用于形成前层套刻标记；第二量测图形为矩形形状，第二量测图形用于形成当层套刻标记。本发明使用一个特殊设计的量测图形，可同时用于套刻精度和关键尺寸的量测，且该量测图形具有较小的尺寸，可以用于曝光区域内部高阶套刻精度和关键尺寸均一性补偿，从而在保证产品套刻精度和关键尺寸均一性表现的前提下可以节约芯片内有效面积
图形结构及其使用方法

[发明专利]一种套刻精度量测标记及其使用方法-CN202010878460.X在审
发明人：刘必秋 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-08-27 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本发明提供一种套刻精度量测标记及其使用方法，本发明针对光刻当层，利用DBO衍射量测的特征，同时CDSEM量测图形不参与衍射结果；在刻蚀后，利用CDSEM量测标记可以表征刻蚀后套刻精度的性能，弥补DBO量测标记在刻蚀后无法量测的缺点本发明的套刻精度量测标记不仅可以满足光刻当层套刻精度的检查要求且可以得到刻蚀后相应的套刻精度的测试结果，可以精确表征图形当前层器件的最准精度和连通情况。节省了器件空间，而提供了不同工艺过程中套刻精度测试需求。
一种精度标记及其使用方法

[发明专利]一种改善因晶圆形变引起的套刻精度变差的曝光方法-CN202111417575.X在审
发明人：王建涛;郭晓波 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种改善因晶圆形变引起的套刻精度变差的曝光方法，对不同翘曲值的标准晶圆进行曝光，量测并获得整片标准晶圆上的套刻精度并对其进行分析和拟合，生成不同的套刻精度高阶补正子程式；建立翘曲值与套刻精度高阶补正子程式的关系；将翘曲值与套刻精度高阶补正子程式的关系输入至生产系统；曝光前量测晶圆的翘曲值，并将量测的翘曲值送入生产系统；通过生产系统中所述翘曲值与套刻精度高阶补正子程式的关系，调用与所量测的翘曲值匹配的套刻精度高阶补正子程式；利用所调用的与所量测的翘曲值匹配的套刻精度高阶补正子程式对所述晶圆进行曝光，并对其进行套刻精度量测，根据量测结果拟合出套刻精度与翘曲值的对应关系，并反馈给所述生产系统。
一种改善圆形引起精度曝光方法

[发明专利]套刻误差的量测方法、装置、系统及存储介质-CN202310973540.7在审
发明人：樊竞明;田东卫;温任华 -专利权人：魅杰光电科技（上海）有限公司
申请日： 2023-08-04 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请提供一种套刻误差的量测方法、装置、系统及存储介质，套刻误差的量测方法包括获取套刻图形的套刻标识图像，按照行/列对各个套刻标识图像获得像素灰度；根据像素灰度，获得标识区域中拟合的中线；根据中线，获取套刻标识的中心点以确定套刻误差本说明书实施例的图像算法稳定，提升了套刻误差量测的精准度和高效性。
误差方法装置系统存储介质

[发明专利]套刻误差的量测方法及套刻标记-CN202310425677.9有效
发明人：张迁 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种套刻误差的量测方法及套刻标记，套刻误差的量测方法包括：提供基底，基底包括多个芯片区以及位于相邻芯片区之间的切割道区，每一芯片区包括阵列区和位于阵列区外围的外围区；提供第一套刻标记，第一套刻标记与外围区相对应，且第一套刻标记包括多个规则阵列排布的第一子标记；进行多次图形转移步骤，每一次图形转移步骤中将第一套刻标记转移至外围区中，以在外围区中形成前层第一套刻标记以及当前层第一套刻标记；基于前层第一套刻标记与当前层第一套刻标记的相对位置关系，获取第一套刻误差。本公开实施例提供的套刻误差的量测方法至少可以提高套刻误差的量测精度。
误差方法标记

[发明专利]用于多层套刻精度测量的标记系统及量测方法-CN201711394225.X在审
发明人：赵彬;王剑;戴韫青 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开一种用于多层套刻精度测量的标记系统及量测方法。用于多层套刻精度测量的标记系统包括至少两个以上的套刻标记，各套刻标记均表征不同的光刻层，且所述各套刻标记之间的相对位置已知。用于多层套刻精度测量的标记系统之量测方法，包括，步骤S1在光刻版图中设置标记系统，并通过光刻工艺将套刻标记转移至晶圆上；步骤S2量测机台在套刻标记所在的焦平面对套刻标记拍照获得图像信息，并对图像信息处理，测得图像中两两图形之间的相对偏移值，即为套刻精度值。本发明标记系统不仅具有良好的可扩展性，而且可实现同步量测多层套刻精度，提高生产效率，节约成本。
用于多层精度测量标记系统方法

[发明专利]套刻偏差的量测方法-CN202110913637.X在审
发明人：张海;杨晓松;吴怡旻 -专利权人：中芯南方集成电路制造有限公司
申请日： 2021-08-10 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：一种套刻偏差的量测方法，包括：提供若干批次待测晶圆；在若干批次待测晶圆中获取若干样品晶圆；采用第一光照剂量对样品晶圆进行第一套刻偏差量测，获取第一量测值组；采用第二光照剂量对样品晶圆进行第二套刻偏差量测，获取第二量测值组，所述第一光照剂量高于所述第二光照剂量；获取所述第一量测值组和所述第二量测值组的平均偏差值组；在所述若干批次待测晶圆中获取实测晶圆；采用所述第二光照剂量或所述第一光照剂量对实测晶圆的所有区域点进行第三套刻偏差量测，获取实测晶圆的第三量测值组；采用所述平均偏差值组对所述第三量测值组点对点进行校准，获取实测晶圆的套刻偏差值组。从而，在保证量测精度的同时可以提高量测效率。
偏差方法

[发明专利]图形关键尺寸的量测方法-CN202011468395.X有效
发明人：栾会倩;吴长明;姚振海;金乐群;姜冒泉 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请公开了一种图形关键尺寸的量测方法，涉及半导体制造领域。该图形关键尺寸的量测方法包括利用曝光机对晶圆上的各个曝光单元进行曝光，所述晶圆被曝光后各个曝光单元上形成的特定图形不相同；利用套刻量测机台量测各个曝光单元上形成的特定图形的关键尺寸；在利用套刻量测机台量测各个曝光单元上形成的特定图形的关键尺寸时，针对各个曝光单元建立不同的参照图形；解决了目前曝光单元上特定图形差异较大时，套刻量测机台采用一个参照图形量测全部曝光单元容易出现报错的问题；达到了避免套刻量测机台量测失败，提高关键尺寸的量测稳定性的效果
图形关键尺寸方法

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