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[发明专利]回收制备太阳能级硅材料的方法-CN201410166001.3有效
发明人：赵丽丽;吕铁铮;卢乔;宋爱利;单宇 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2014-04-23 - 公布日： 2014-07-16 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：回收制备太阳能级硅材料的方法，它涉及太阳能级硅材料的制备方法，它提供了一种用表面带有二氧化硅层的硅微粉制造硅材料的方法。本方法包含步骤如下：收集硅微粉，放在密闭炉中，在纯氢气氛中加热至熔点以下的的温度范围，在持续通入干氢气的条件下保温，使硅粉末表面的二氧化硅层与其他杂质被除掉，得到太阳能级硅材料。利用本法可利用回收的表面带有二氧化硅层的硅微粉制备太阳能级硅材料，包括利用硅晶体切割加工过程中的锯屑制备太阳能级硅材料。
回收制备太阳能级材料方法

[发明专利]一种硅料的铸锭方法-CN201110278002.3有效
发明人：黄林;吴彬辉;张泽兴;张小东;张理辉 -专利权人：江西旭阳雷迪高科技股份有限公司
申请日： 2011-09-19 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：一种硅料的铸锭方法，包括配料，按冶金级硅与太阳能级硅的重量比4：8备料，其中太阳能级硅中包含2-5%总重量的细碎硅料；布料，将细碎太阳能级硅铺设在坩埚底部，将冶金级硅铺设在细碎硅料上面和坩埚侧面，形成“凹”形，在坩埚中间铺设剩余太阳能级硅料，并根据目标电阻率加入掺杂剂；加热，将装有上述原料的坩埚置于铸锭炉中进行抽真空加热，分阶段升温使上部和四周的硅料熔化，至熔化后期延长熔化时间，使底部硅料全部熔化，然后进入长晶阶段；长晶，在长晶阶段，分阶段降温，使晶体由下至上生长，待晶体长成后，经退火冷却得到硅锭。该方法易于操作、成本低，适合规模化生产，制备的硅锭收益率高，且其回收料可重复利用。
一种铸锭方法

[发明专利]太阳能级多晶硅和电子级多晶硅联产的方法和系统-CN201710756829.8在审
发明人：相文强;宋高杰;侯雨;张伟;夏祥剑;孙荣义;陈朝霞;王惠 -专利权人：新特能源股份有限公司
申请日： 2017-08-29 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能级多晶硅和电子级多晶硅联产的方法和系统，1)将生产太阳能级多晶硅的尾气与生产电子级多晶硅的尾气混合通过尾气分离得到分离开的粗制氢气、粗制氯硅烷；2)通过氢气初级提纯得到太阳能级氢气；通过氯硅烷初级提纯得到太阳能级氯硅烷；3)将部分太阳能级氢气用来作为生产太阳能级多晶硅的原料，其余部分通过氢气中级提纯得到电子级氢气；将部分太阳能级氯硅烷用来作为生产太阳能级多晶硅的原料，其余部分通过氯硅烷中级提纯得到电子级氯硅烷；4)生产太阳能级多晶硅；生产电子级多晶硅。实现单套系统具备同时进行太阳能级多晶硅和电子级多晶硅的生产能力，在不进行电子级多晶硅生产期间仍可以生产太阳能级多晶硅。
太阳能级多晶硅电子级多晶硅氢气氯硅烷太阳能级生产尾气初级提纯电子级提纯粗制联产生产期间生产能力

[发明专利]一种太阳能电池片的制造方法-CN201110333979.0无效
发明人：孔繁敏;孙湘航;司继良;张小翠 -专利权人：山西纳克太阳能科技有限公司
申请日： 2011-10-28 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种太阳能电池片的制造方法，包括以下工艺步骤：（一）将金属硅在高周波电磁诱导精炼炉中熔化为熔融硅，并对熔融硅进行造渣除硼、一次直拉除金属、连续真空除磷、二次直拉得到6N以上提纯好的太阳能级多晶硅；（二）将6N以上的太阳能级多晶硅送入粉体制备设备，并制成太阳能级多晶硅微纳米粉体；（三）将太阳能级多晶硅微纳米粉体置于成型设备，将太阳能级多晶硅微纳米粉体制成太阳能级多晶硅片；（四）将太阳能级多晶硅片制作成太阳能级多晶电池片本发明从金属硅到太阳能级多晶硅的提纯生产过程是完全没有酸碱参与处理的，把多晶硅提纯、多晶硅微纳米粉制备、热压成型、电池片制作相结合在一个生产系统里面完成。制作工艺投入少、流程短。
一种太阳能电池制造方法

[发明专利]一种用晶体硅切割废料电热冶金制备太阳能多晶硅的方法-CN201310031510.0有效
发明人：邢鹏飞;庄艳歆;李大纲;都兴红;边雪;付念新;涂赣峰 -专利权人：东北大学
申请日： 2013-01-28 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： C01B33/023 文献下载
摘要：本发明属于冶金技术领域，特别涉及一种用晶体硅切割废料电热冶金制备太阳能多晶硅的方法。本发明方法是将晶体硅切割工序中产生的“超细碳化硅废料”、“一次切割废料”和“二次切割废料”这三种废料按照任意比例进行混合作为原料，进行酸洗除杂后进行高温真空处理，配入二氧化硅粉料，加入粘结剂，混合均匀后压制成球团并烘干，放入矿热炉或电弧炉内，进行高温冶炼制备出纯度≥99.9wt％的高纯硅，对高纯硅再进行定向凝固，得到太阳能级的多晶硅产品。本发明将晶体硅切割工序中产生的废料变废为宝，并通过电热冶炼的方法获得了太阳能级的多晶硅，实现了资源的高效再生利用。
一种晶体切割废料电热冶金制备太阳能多晶方法

[发明专利]一种基于晶体硅刚线废料制备太阳能级单晶硅的方法-CN202210160170.0在审
发明人：邢鹏飞;张照阳;吴纪清;王艺澄;庄艳歆;郭晓琳;李海煜;王帅;陶昌年 -专利权人：东北大学;江苏美科太阳能科技股份有限公司
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于晶体硅刚线废料制备太阳能级单晶硅的方法，属于二次资源利用领域，具体步骤如下：首先将刚线废料烘干，然后与添加剂进行充分混合，混合后的物料直接装入多晶炉所用的坩埚中，在装料的过程中加入一定比例的晶体硅作为籽晶，装料结束后入炉铸锭，铸锭完成去除表面渣，剩余部分进行破碎、酸洗，检测其纯度，纯度达到6N以上进行拉晶，拉晶结束后得到太阳能级单晶硅棒，如果检测铸锭试样纯度没有达到6N，则进行二次铸锭，然后再进行拉晶得到太阳能级单晶硅
一种基于晶体硅刚线废料制备太阳能级单晶硅方法

[实用新型]多晶硅定向凝固下拉晶体生长的重心驱动传动机构-CN200720076665.6无效
发明人：周鸿军;张泰生;李红波 -专利权人：上海太阳能工程技术研究中心有限公司
申请日： 2007-10-25 - 公布日： 2008-09-17 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种太阳能级多晶硅铸锭炉，具体涉及一种太阳能级多晶硅铸锭炉中实现多晶硅定向凝固下拉晶体生长技术要求的传动机构。本实用新型结构主要包括特种精密减速器和精密滚珠丝杠等主要零件的回转实现晶体生长下拉的技术要求。由密封圈和零件中空腔等形成冷却水的进出冷却晶体，实现晶体生长定向凝固的要求；由轴承座、轴承、V带轮及联结法兰等主要零件的回转实现晶体生长的回转要求。本实用新型的优点是经济、可靠、稳定及易于批量生产。
多晶定向凝固下拉晶体生长重心驱动传动机构

[实用新型]一种铸造太阳能级高效多晶硅锭的热场装置-CN201621387320.8有效
发明人：朱松涛;冯立学;杨定勇 -专利权人：河北凌樱新能源科技有限公司
申请日： 2016-12-16 - 公布日： 2017-07-07 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种铸造太阳能级高效多晶硅锭的热场装置，属于光伏发电与新能源科技技术领域。该热场装置包括炉体、石英坩埚；侧石墨护板、底石墨护板、侧部加热器、侧部隔热层等。本实用新型所述铸造太阳能级高效多晶硅锭的热场装置结构简单、操作方便，可以降低横向温度梯度，实现减小石英坩埚侧壁形核向内生长的角度，有效的减小侧壁斜状晶生长形成的晶体缺陷，可以优化晶体生长的固液界面的平整度，达到中心部分和边角同步生长柱状晶体，提高晶体生长品质。
一种铸造太阳能级高效多晶装置

[发明专利]太阳能级硅的制备方法-CN201080009534.0无效
发明人：哈山恩·塔沙格 -专利权人：哈山恩·塔沙格
申请日： 2010-02-25 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： C01B33/02 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能级硅的制备方法，该方法包括，在含有硅的过共晶二元或三元合金中，或在精制硅熔体中，结晶出大的高纯度硅晶体，其中将小的硅晶体加入所述熔体中，并将得到的大的硅晶体从所述熔体中分离出。
太阳能级制备方法

[发明专利]一种回收再利用晶体硅切割废料浆的方法-CN201811431790.3在审
发明人：席飞 -专利权人：席飞
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： C01B33/025 文献下载
摘要：本发明公开了一种回收再利用晶体硅切割废料浆的方法，属于硅材料制备的废料回收技术领域，将晶体硅切割废料浆采用固液分离、净化除杂、压制球团、高温熔炼和定向凝固即可得到工业硅、高纯硅或者太阳能级晶体硅，解决了现有回收晶体硅切割废料浆的方法存在工艺复杂
晶体硅切割废料回收再利用太阳能级晶体硅定向凝固废料回收高温熔炼固液分离净化除杂产业化高纯硅工业硅硅材料球团制备压制

[发明专利]用于生产半导体级硅的装置和方法-CN200780023487.3无效
发明人：施泰因·朱尔斯鲁德;蒂克·劳伦斯·纳斯 -专利权人： REC斯坎沃佛股份有限公司
申请日： 2007-06-20 - 公布日： 2009-07-29 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明涉及用于生产半导体级硅锭块、包括太阳能级硅锭块的装置和方法，其中通过在熔融和结晶工艺的热区中使用没有氧化物的材料充分减少或除去了热区中氧的存在。所述方法可以用于任何现有工艺中，包括用于半导体级硅锭块、包括太阳能级硅锭块结晶的工艺，比如布里奇曼工艺、块浇铸工艺和用于生长单晶硅晶体的CZ工艺。
用于生产半导体装置方法

[发明专利]异质结太阳能电池及其界面处理方法和制备工艺-CN201410032530.4在审
发明人：郭万武 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2014-01-23 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结太阳能电池及其界面处理方法和制备工艺，其中，异质结太阳能电池的界面处理方法是在异质结太阳能电池制备工艺中，采用离子注入工艺或扩散工艺对晶体硅片的正表面进行高掺杂处理，从而在晶体硅片正表面上形成一层重掺杂层，改变异质结太阳能电池的晶体硅片表面区域的费米能级，增加内建电场。通过该方法不仅可以增加晶体硅衬底界面的内建电场，能够更加有效地“拉动”耗尽区边界处载流子的分离以及输运，而且能有助于形成薄膜/晶体硅突变结，使得晶体硅基区部分的耗尽层宽度减小，增加了光吸收效率，降低了载流子的复合损耗
异质结太阳能电池及其界面处理方法制备工艺

[发明专利]一种利用晶体硅金刚线切割废料制备太阳能级硅的方法-CN202210160085.4在审
发明人：邢鹏飞;张照阳;吴纪清;王艺澄;庄艳歆;郭晓琳;李海煜;王帅;何光贵 -专利权人：东北大学;江苏美科太阳能科技股份有限公司
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用晶体硅金刚线切割废料制备太阳能级硅的方法，首先对金刚线切割废料进行烘干，然后与造渣剂充分混合，混合后物料直接置于熔炼炉进行造渣精炼，造渣精炼结束后进行通气精炼，保温静置使渣金分离，渣金分离后直接把硅液倒入已预热的铸锭所用的坩埚中，并迅速入炉升温抽真空进行铸锭，把剩下的硅渣倒入另外的模具中冷却处理，铸锭完成后把顶端和底部杂质含量较多的部分去除，即硅纯度低于5N，得太阳能级多晶硅，也可作为单晶原料；对单晶原料破碎、酸洗，然后拉单晶，拉晶结束后得到太阳能级单晶硅；该方法实现了变废为宝，不仅工艺简单、流程短，减少了环境污染问题，还实现了可循环经济的发展模式，提高了产品的高附加值。
一种利用晶体金刚切割废料制备太阳能级方法

[发明专利]一种提纯工业硅制备太阳能级硅的方法-CN200910036966.X有效
发明人：黄新明;张永欣;邝亚镭;郭宽新 -专利权人：晶海洋半导体材料（东海）有限公司
申请日： 2009-01-23 - 公布日： 2009-07-08 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明公开了一种提纯工业硅(2N)制备太阳能级硅的方法，该方法是将工业硅经过初步破碎预处理后，放入高温固相反应炉中，在高温下与活性气体进行气-固反应，达到除去金属杂质的目的，然后对晶体硅进行清洗，晶体硅的纯度达到高于99.999％(5N)，进一步通过电子束真空熔炼，定向凝固处理，最后采用活性气氛等离子体进行进一步的提纯，除去活性高且易被氧化而生成高饱和蒸汽压的易挥发的元素，最后在等离子体多晶硅铸造一体炉中铸造成多晶硅本发明联合了高温气-固反应除去金属杂质，电子束除去容易挥发的元素以及等离子提纯铸造一体炉技术，将多晶硅的纯度提高到99.99999％(7N)，完全满足太阳能电池行业对太阳能级硅的要求。
一种提纯工业制备太阳能级方法

[发明专利]太阳能级硅的制备方法及其微波熔炼炉-CN201810796651.4有效
发明人：羊实;庹开正 -专利权人：江苏斯力康科技有限公司
申请日： 2018-07-19 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了太阳能级硅的制备方法及其微波熔炼炉，解决了现有的太阳能级硅的物理冶炼法能耗高、对于金属杂质较高的金属硅原料的提纯效果有限的问题。本发明包括以下步骤：选取金属硅、粉碎，加入造渣剂装入石英坩埚，并置于可水平旋转的微波熔炼炉中进行真空熔炼，保温熔炼过程中对微波熔炼炉进行旋转，最后分段关闭磁控管控制金属硅逐步凝固，最后将所得硅锭远离微波熔炼炉中心的端部以及与坩埚粘黏的部分去除、清洗、干燥、包装得到太阳能级硅。本发明还公开了一种用于制备上述太阳能级硅的微波熔炼炉。本发明具有制备的太阳能级硅的纯度高，能耗低等优点。
太阳能级硅熔炼炉微波制备金属硅能耗金属硅原料金属杂质石英坩埚水平旋转提纯效果真空熔炼熔炼磁控管冶炼法造渣剂硅锭粘黏坩埚去除装入保温分段凝固清洗

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