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[发明专利]生产高纯硅坯料的方法和装置-CN200910163402.2有效
发明人：储晞 -专利权人：储晞
申请日： 2009-08-17 - 公布日： 2010-02-03 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明提供一种生产高纯硅坯料的方法和装置，该装置包括：高纯硅生产设备，用于制备流态高纯硅；高纯硅坯料加工设备，用于将所述高纯硅生产设备制备得到的流态高纯硅进行加工处理制成高纯硅坯料；输送管道，所述输送管道的一端与所述高纯硅生产设备的产品出口相连，所述输送管道的另一端与所述高纯硅坯料加工设备的原料入口相连。本发明提供的生产高纯硅坯料的方法和装置，通过输送管道将高纯硅生产设备和高纯硅坯料加工设备进行连接，使得制备出的流态高纯硅直接被加工为高纯硅坯料，减少了冷却和运输高纯硅的过程，降低了生产高纯硅坯料的能耗。
生产高纯坯料方法装置

[发明专利]高纯硅生产器具及高纯硅生产器具的制备方法-CN200910173834.1有效
发明人：储晞 -专利权人：储晞
申请日： 2009-09-14 - 公布日： 2010-03-17 - 主分类号： C01B33/021 文献下载
摘要：本发明提供一种高纯硅生产器具及高纯硅生产器具的制备方法，该方法包括：采用高纯硅为原材料，通过机械加工、压制、浇铸或气相沉积成型的方法制备得到用于生产高纯硅的器具；将所述器具在保护气氛中或真空中、且在高温下进行退火处理本发明提供的高纯硅生产器具及高纯硅生产器具的制备方法，采用高纯硅为原料，通过机械加工、压制、浇铸或气相沉积成型的方法对不同形态的高纯硅进行相应的处理，制备得到用于生产高纯硅的器具，并将该器具在保护气氛或真空中进行退火处理以消除该器具中残余的内应力，使用该器具生产高纯硅，可以避免对高纯硅的污染，提高和保证高纯硅的质量，降低高纯硅的生产成本。
高纯生产器具制备方法

[发明专利]用于制造高纯硅的方法、通过该方法得到的高纯硅、以及用于制造高纯硅的硅原料-CN201280073015.X有效
发明人：德丸慎司;日吉正孝;近藤次郎;堂野前等;岸田丰;中泽滋;尾上浩三 -专利权人：菲罗索拉硅太阳能公司
申请日： 2012-03-08 - 公布日： 2015-01-07 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明提供：一种通过熔融硅的单向凝固制造高纯硅的方法，所述方法能够廉价地并且工业上容易地制造高纯硅，所述高纯硅具有低氧浓度和低碳浓度并且适用于如制造太阳能电池的用途；通过这种方法得到的高纯硅；以及用于制造高纯硅的硅原料一种当通过使熔融硅原料在铸造容器中单向凝固来制造高纯硅时使用含有100至1000ppmw的碳和0.5至2000ppmw的锗作为原料制造高纯硅的方法，通过这种方法得到的高纯硅，以及用于制造高纯硅的硅原料。
用于制造高纯方法通过得到以及原料

[发明专利]一种高纯硅钨粉的制备方法-CN202210256005.5在审
发明人：张龙辉;徐国钻;周俊安;羊求民;王韶毅;刘莉;林丽萍;黄春燕;黄月玲 -专利权人：崇义章源钨业股份有限公司
申请日： 2022-03-15 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： B22F3/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种高纯硅钨粉的制备方法，为了解决传统的硅钨粉制备过程中容易生成二氧化硅以及高纯硅钨粉中氧含量不能有效降低等问题，本发明提供了一种高纯硅钨粉的制备方法。本发明以高纯钨粉、高纯硅粉为原料，经混合、高温烧结后制备得到高纯硅钨粉团聚体，然后经气破处理，制备得到分散性较好的高纯硅钨粉。采用本发明的高纯硅钨粉的制备方法，可以制备得到分散性更好的高纯硅钨粉，能够更好的满足高纯度钨硅靶材对高纯硅钨粉原料的需求，在电子栅门材料以及电子薄膜领域的应用市场非常广阔。
一种高纯硅钨粉制备方法

[发明专利]高纯硅棒的热处理方法和硅片的制备方法-CN202010809469.5在审
发明人：王体虎;宗冰;丁小海;肖建忠;鲍守珍 -专利权人：亚洲硅业(青海)股份有限公司;青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
申请日： 2020-08-12 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明提供一种高纯硅棒的热处理方法和硅片的制备方法。高纯硅棒的热处理方法，包括：将高纯硅棒置于绝缘保护套中，然后射频加热所述高纯硅棒；所述射频加热之前使用微波进行第一预热，然后射频加热至结束；或者，在所述绝缘保护套中设置用于热辐射的感应体，通过射频加热所述感应体进而对所述高纯硅棒进行第二预热硅片的制备方法，包括：使用所述的高纯硅棒的热处理方法加热高纯硅棒，然后经过热应力破碎得到高纯硅块；将所述高纯硅制成晶体硅棒，然后切片得到所述硅片。本申请提供的加热高纯硅棒的方法，热效率高，加热过程中硅棒污染少。
高纯热处理方法硅片制备

[发明专利]一种高纯碳化硅制备方法及对应的高纯碳化硅-CN202111149260.1在审
发明人：陈鹏磊;徐所成;王亚哲;姚秋鹏;程周鹏;皮孝东 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： C01B32/984 文献下载
摘要：本申请公开了一种高纯碳化硅制备方法，包括以下步骤：S1、将高纯碳粉置于石墨坩埚内，使用高温真空的方法提纯高纯碳粉；S2、将块状硅放入石墨坩埚内，加热使块状硅融化，旋转石墨坩埚使高纯碳粉和块状硅混合均匀，反应合成高纯碳化硅。本申请使用块状硅代替硅粉，块状硅的纯度远高于硅粉末；在块状硅融化成液体硅后，通过石墨坩埚高速旋转，使硅溶液内部形成对流，高纯碳粉可均匀的分布在硅溶液中，冷却后可形成高纯度，高合成度的高纯碳化硅，高纯碳化硅的纯度普遍高于
一种高纯碳化硅制备方法对应

[实用新型]一种高纯硅生产加工用筛选装置-CN202022398474.X有效
发明人：林敦莺;林洁静 -专利权人：福建新航凯材料科技有限公司
申请日： 2020-10-26 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： B07B9/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高纯硅生产加工用筛选装置，包括箱体，所述箱体的上方中间开设有进口，所述支撑杆的左侧底端固接在箱体的左侧顶端，所述支撑杆的上方右侧内壁套接有电动推杆。该高纯硅生产加工用筛选装置，使高纯硅间接性排放，避免大量高纯硅堆积，利于接下来对高纯硅筛选彻底，解决了现有的高纯硅生产加工用筛选装置，由于不能控制高纯硅下料的量，使得大量的高纯硅堆积，造成筛选不彻底的问题，筛选处的大颗粒通过两侧的出口排出箱体外收集可以再次投放筛选，保证高纯硅筛选精细，利于下一道工序加工，解决了现有的高纯硅生产加工用筛选装置，只能粗略的对高纯硅进行筛选，使得筛选后的仍存在大颗粒，从而影响下一道工序的问题
一种高纯生产工用筛选装置

[发明专利]生产高纯颗粒硅的方法-CN201410031137.3有效
发明人：储晞 -专利权人：储晞
申请日： 2009-06-17 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种生产高纯颗粒硅的方法，是200910149144.2生产高纯颗粒硅的反应器和方法的分案。该方法包括：a.形成高纯粒状硅床层；b.加热高纯粒状硅床层，使其温度为100℃－1400℃；c.使高纯粒状硅床层中粒状硅处于相对运动状态；d.通入辅助气体和原料气体，所产反应尾气排出；e.对生产得到的高纯颗粒硅进行收集或输送到下一工艺单元本发明使用处于运动状态的密集堆积的高纯粒状硅床层，避免了粒状硅之间的粘结，减小了反应器体积，并且通过密集堆积的高纯粒状硅床层捕获反应尾气中的高纯粉末硅作为种子，还利用反应尾气的余热为补充的粒状硅加热，实现了超大型、高效、节能、连续、低成本生产高纯颗粒硅。
生产高纯颗粒方法

[发明专利]一种高纯铝硅合金溅射靶材坯料及其制备方法-CN201811484894.0在审
发明人：徐亚军;马小红;努力古·依明;张博;刘江滨 -专利权人：新疆众和股份有限公司
申请日： 2018-12-06 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明为一种高纯铝硅合金溅射靶材坯料及其制备方法。一种高纯铝硅合金溅射靶材坯料的制备方法，包括：(1)将超纯铝与高纯硅真空熔融，配置成硅含量为7‑13wt％的中间合金熔体；(2)将中间合金熔体铸造成中间合金；(3)将超纯铝与中间合金真空熔融，配置成硅含量为0.9‑1.1wt％的高纯铝硅合金熔体；(4)将高纯铝硅合金熔体在线精炼，得精炼后的高纯铝硅合金熔体；(5)将精炼后的高纯铝硅合金熔体在线过滤，得铝液；(6)将铝液进行棒材坯料铸造，得所述的高纯铝硅合金溅射靶材坯料本发明所述的一种高纯铝硅合金溅射靶材坯料及其制备方法，采用真空熔炼炉自配高纯铝硅中间合金后配制AL‑1wt％Si合金，通过铸造参数控制制备高纯净度、成分均匀且表面质量优异的铝硅合金靶材坯料。
高纯铝硅合金熔体溅射靶材中间合金坯料制备真空熔融超纯铝铝液精炼铸造真空熔炼炉靶材坯料棒材坯料参数控制高纯净度铝硅合金在线过滤在线精炼高纯硅配置合金配制

[发明专利]测定污染高纯硅的污染材料中杂质的量的方法和用于处理高纯硅的炉子-CN201310042914.X有效
发明人： D·德彼萨;J·霍斯特;T·霍索德;A·瑞特莱维斯基 -专利权人：赫姆洛克半导体公司
申请日： 2009-09-24 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： G01N33/00 文献下载
摘要：测定污染高纯硅的污染材料中杂质的量的方法，包括在污染材料中部分地包埋高纯硅的样品的步骤。将包埋在污染材料中的样品在炉子内加热。测定在加热步骤之后高纯硅的杂质含量与在加热步骤之前高纯硅的杂质含量相比的变化。用于热处理高纯硅的炉子，包含限定加热室的外壳。所述外壳至少部分地由低污染物材料形成，所述低污染物材料在于退火温度下加热历时足以使高纯硅退火的时间期间内对高纯硅贡献小于400份每万亿份的杂质，且所述炉子在相同加热条件下对高纯硅贡献平均小于400份每万亿份的杂质
测定污染高纯材料杂质方法用于处理炉子

[发明专利]测定污染高纯硅的污染材料中杂质的量的方法和用于处理高纯硅的炉子-CN200980144575.8无效
发明人： D·德彼萨;J·霍斯特;T·霍索德;A·瑞特莱维斯基 -专利权人：赫姆洛克半导体公司
申请日： 2009-09-24 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： C01B33/021 文献下载
摘要：测定污染高纯硅的污染材料中杂质的量的方法，包括在污染材料中部分地包埋高纯硅的样品的步骤。将包埋在污染材料中的样品在炉子内加热。测定在加热步骤之后高纯硅的杂质含量与在加热步骤之前高纯硅的杂质含量相比的变化。用于热处理高纯硅的炉子，包含限定加热室的外壳。所述外壳至少部分地由低污染物材料形成，所述低污染物材料在于退火温度下加热历时足以使高纯硅退火的时间期间内对高纯硅贡献小于400份每万亿份的杂质，且所述炉子在相同加热条件下对高纯硅贡献平均小于400份每万亿份的杂质
测定污染高纯材料杂质方法用于处理炉子

[实用新型]生产高纯碳化硅用原料硅源的提纯装置-CN201920255371.2有效
发明人：李显坪;陈琦;唐宝发 -专利权人：扬州中天利新材料股份有限公司
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：生产高纯碳化硅用原料硅源的提纯装置，涉及高纯硅源/碳源得到的高纯硅和高纯碳高温合成法生产高纯碳化硅的工业化生产技术，特别是碳化半导体用高纯碳化硅的合成设备的技术领域，主要由蒸馏釜、精馏塔、冷却器、接受罐和尾气处理装置组成；选用低沸点的硅源和碳源进一步提纯确保提纯后合成高纯碳化硅原料的纯度，在此实施了硅源的提纯装置。
高纯碳化硅提纯装置高纯硅提纯硅源工业化生产技术尾气处理装置高温合成法合成设备低沸点高纯碳接受罐精馏塔冷却器原料硅蒸馏釜碳化半导体合成节能生产环保

[发明专利]一种提高多晶硅还原炉能效的高纯石英质硅芯-CN202111339544.7在审
发明人：聂陟枫;王亚君;王晨;郭崎均;宋玉敏;郭婷婷;王海;谢刚 -专利权人：昆明学院
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高多晶硅还原炉能效的高纯石英质硅芯，本发明将硅芯设置成空心结构且以高纯石英质材料制得，所述高纯石英质硅芯为空心硅芯，所述高纯石英质硅芯替代原多晶硅还原炉内的实心硅芯，所述高纯石英质硅芯以纯度为99.99%以上的高纯度结晶石英为原料，使用胶体处理方法制得；本发明有效克服了传统实心硅芯直径小、沉积面积受限的弊端，大幅度提高了多晶硅化学气相沉积速度，提升了多晶硅还原炉能效。
一种提高多晶还原能效高纯石英质硅芯

[发明专利]一种硅材料制作方法-CN201910871221.9有效
发明人：邹星礼;庞忠亚;唐蔚;施天宇;汪淑娟;鲁雄刚;许茜 -专利权人：上海大学
申请日： 2019-09-16 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： C25B1/33 文献下载
摘要：本发明公开了一种直接由二氧化硅或硅酸钙连续制备高纯硅的方法。以二氧化硅为原料，通过添加氧化钙辅助熔解形成硅酸根离子，或直接利用硅酸钙为原料，在氯化钙熔盐中直接电沉积制备高纯硅。本发明采用高纯石英坩埚为反应容器、高纯石墨棒/石墨片或金属、合金为电极、高纯氩气为保护气氛，通过对氯化钙熔盐进行间歇性预电解技术净化，并通过周期性加入高纯二氧化硅或硅酸钙原料，从而实现直接电沉积连续制备高纯硅在恒电流或脉冲电流条件下，在850℃可实现高纯晶体硅膜(99.999％)、硅纳米线、晶硅粉的可控制备并实现原位电掺杂形成p型/n型硅。本发明可实现从廉价二氧化硅或硅酸钙直接制备高纯硅膜用于光伏应用。
一种材料制作方法

[发明专利]高纯硅造渣剂的制备工艺-CN201710241216.0在审
发明人：韩至成;陈睿;朱兴发;李亚逸 -专利权人：苏州振吴电炉有限公司
申请日： 2017-04-13 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明公开了一种高纯硅造渣剂的制备工艺，将活性石灰、氟石、硅砂按适当比例投入熔烧炉内预熔，熔烧后得到预熔渣，该预熔渣即为高纯硅造渣剂。本发明高纯硅造渣剂的制备工艺，其能制备适用于冶金法提炼高纯硅工艺的造渣剂，且造渣剂的使用效果好。
高纯造渣制备工艺

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