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- [发明专利]线束配线作业支援装置-CN201680082910.6有效
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川濑贤司;石川优;青木克树
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日立金属株式会社
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2016-03-01
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2022-07-08
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G06F30/20
- 本发明提供一种无需熟练就可以在短时间内进行线束的配线作业的线束配线作业用程序。一种线束配线作业用程序，其使计算机作为显示单元(21)和选择单元(22)而发挥作用，该显示单元(21)在画面中显示工序显示区域(100)和配线位置显示区域(200)，该工序显示区域(100)显示表示线束的配线路径的顺序的配线路径编号(110)、以及针对每个配线路径编号(110)以与线束的配线工序的顺序对应的方式配置的1个或多个配线工序选择按钮(120)，该配线位置显示区域(200)显示与所选择的配线工序选择按钮(120)对应的线束的配线位置，该选择单元(22)将所选择的配线工序选择按钮(120)通知给显示单元(21)。
- 线束配线作业支援装置
- [发明专利]弹性波装置-CN201180004898.4有效
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落合博昭;西井润弥;仲井刚
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京瓷株式会社
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2011-01-12
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2012-08-29
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H03H9/25
- SAW装置(1)具有：基板(3)；设于基板(3)的第一主面(3a)的SAW元件(10)；设于第一主面(3a)且与SAW元件(10)连接的第一配线(中间配线(29)及输出侧配线(31))；层叠于第一配线的绝缘体(21)；层叠于绝缘体(21)并与第一配线构成立体配线部(39)的第二配线(第二接地配线(33b)及第三接地配线(33c))；密封SAW元件(10)及立体配线部(39)的盖体(5)。在第一主面(3a)与盖体(5)之间形成有不收容SAW元件(10)但收容立体配线部(39)的配线空间(53)。
- 弹性装置
- [发明专利]半导体装置-CN202010799755.8在审
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末山敬雄;小森阳介
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铠侠股份有限公司
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2020-08-11
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2021-09-03
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H01L29/417
- 实施方式提供一种缓和配线内的空位局部集中的情况且可靠性较高的半导体装置。本实施方式的半导体装置具备第1金属配线。第1金属配线设置在衬底的上方，且以第1宽度在第1方向上延伸。至少1条第2金属配线连接于第1金属配线，且以比第1宽度窄的第2宽度从第1金属配线沿第2方向延伸。虚设金属配线与至少1条第2金属配线相邻配置，连接于第1金属配线且从该第1金属配线沿第2方向延伸。然而，虚设金属配线不电连接于第1金属配线以外的配线。
- 半导体装置
- [发明专利]主动元件阵列基板-CN200510108103.0有效
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吴铭仁;任坚志
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中华映管股份有限公司
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2005-09-29
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2007-04-04
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H01L27/12
- 一种主动元件阵列基板，其包括一基板、多条第一配线、多条第二配线、多个主动元件、多个像素电极与多条共享配线，其中这些第一配线与这些第二配线设置于基板上，并于基板上划分出多个像素区域。这些主动元件分别设置于这些像素区域内，且各主动元件电连接至对应之第一配线与第一配线。这些像素电极分别设置于这些像素区域内，而各像素电极电连接至对应之主动元件。这些共享配线与这些第一配线大致平行，且这些共享配线与这些第一配线交替设置于基板上。各共享配线具有自两侧边缘向外延伸之多条分支，且这些分支分别与这些第二配线重叠。
- 主动元件阵列
- [发明专利]电子束设备和图像显示设备-CN201010174072.X无效
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桥爪洋平
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佳能株式会社
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2010-05-06
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2010-11-17
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H01J29/02
- 该电子束设备11包括：基板1；第一电极配线2，形成在基板1上；绝缘层4，覆盖第一电极配线2；第二电极配线3，形成在绝缘层4上，从而与第一电极配线2交叉；以及电子发射器件6，其在基板1上位置远离第一电极配线2和第二电极配线3彼此交叉的电极配线交叉区域9，并被连接到第一电极配线2和第二电极配线3两者，从而从第一电极配线2和第二电极配线3接收驱动能量，其中，在电极配线交叉区域9的至少一部分中，在第一电极配线2与第二电极配线3之间形成空隙5。
- 电子束设备图像显示
- [发明专利]半导体装置-CN201710117552.4有效
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涌井太一;末松靖弘;清水有威
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东芝存储器株式会社
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2017-03-01
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2020-10-13
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H01L27/02
- 实施方式的半导体装置包含：第1及第2配线(22)，连接于端子(10)；第3及第4配线，连接于接地电压配线(20)；第1NMOS晶体管(12)，连接于第1配线(22)及第3配线(21a)；第2NMOS晶体管(12)，连接于第1配线(22)及第4配线(21b)；及第3NMOS晶体管(12)，连接于第2配线(22)及第4配线(21b)。从第1配线(22)经由第1NMOS晶体管(12)及第3配线(21a)到达接地电压配线(20)的第1电流路径的电阻值，高于从第1配线(22)经由第2NMOS晶体管(12)及第4配线(21b)到达接地电压配线
- 半导体装置
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