专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体装置-CN201480081265.7有效
  • 及川隆一;落合俊彦;仮屋崎修一;萱岛祐治;木田刚 - 瑞萨电子株式会社
  • 2014-12-24 - 2019-11-05 - H01L23/32
  • 半导体装置包括搭载在搭载于配线基板的中介部上且经由中介部而彼此电连接的第一及第二半导体部件。并且,中介部的多个配线层具有从作为基准的主面侧依次层叠的第一配线层、第二配线层及第三配线层。并且,在中介部的夹在第一半导体部件和第二半导体部件之间的第一区域中,第三配线层中的基准电位用配线的比例比第一配线层中的基准电位用配线的比例大。并且,在第一区域中,第一配线层中的信号用配线的比例比第三配线层中的信号用配线的比例大。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体器件-CN201310685194.9有效
  • 落合俊彦 - 瑞萨电子株式会社
  • 2013-12-13 - 2018-02-27 - H01L27/04
  • 本发明涉及半导体器件。该半导体器件包括贯穿硅衬底的TSV。密封环被设置为从最对于硅衬底最近的第一低相对介电常数薄膜至对于硅衬底最远的第二低相对介电常数薄膜。密封环被形成为在从晶圆正面的硅衬底的鸟瞰图中围绕TSV。这就能实现包括了低相对介电常数薄膜和TSV的半导体器件中的低相对介电常数薄膜中的裂缝的产生或发展的抑制。
  • 半导体器件
  • [发明专利]成象装置-CN94107837.X无效
  • 竹内昭彦;落合俊彦;加藤基;宫代俊明;铃木健彦 - 佳能株式会社
  • 1994-06-29 - 2000-11-22 - G03G15/01
  • 本发明为一个成象装置,包括一个电照相感光鼓;一个对感光鼓充电以在该感光鼓上形成静电潜象的充电器;一个以调色剂对潜象显象的显象装置;一个可在转印位置与感光鼓接触的转印部件,该转印部件由导电基体、高电阻表面层以及介于导电基体和表面层之间的低电阻或中等电阻导电层组成;以及对转印部件施加转印电压的转印电压施加装置。
  • 成象装置

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