专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]植绒笔头及触屏笔-CN202022495691.0有效
  • 许德泉;王友辉 - 东莞市斯倍秀植绒制品有限公司
  • 2020-10-31 - 2021-08-03 - G06F3/0354
  • 本实用新型属于触屏技术领域,尤其涉及一种植绒笔头及触屏笔,包括基材体,所述基材体内设有空腔,所述基材体的一端设有与所述空腔连通的安装口,所述安装口处设有用于与笔杆固定的安装部,所述基材体的外侧面上设有导电植绒层以提高所述基材体与屏幕之间因相互接触而产生的感应信号;导电植绒层设于基材体的外侧壁上,植绒笔头与屏幕接触时,导电植绒层与屏幕接触,导电植绒层与屏幕进行实现点击屏幕,增大有效接触面积,提高感应效果,同时导电植绒层通过其绒毛纤维可以降低触屏笔书写的阻尼,能够提高书写的灵敏性和流畅性
  • 笔头触屏笔
  • [发明专利]触控电路双面图形结构的制法-CN200810171575.4无效
  • 刘振宇;王净亦;刘正平;李禄兴 - 宸鸿光电科技股份有限公司
  • 2008-10-27 - 2010-06-09 - G02F1/133
  • 一种触控电路双面图形结构的制法,包含:提供双面分别布设第一导电基材层与第二导电基材层的基板,在第一导电基材层顶面接触隔绝紫外线的遮挡层;接触第一光阻层于该遮挡层顶面,接触第二光阻层于该第二导电基材层底面;对该第一、第二光阻层进行曝光,期间通过该遮挡层隔绝基板双面的紫外线;对该基板双面同时进行显影,使该第一导电基材层及该第二导电基材层各自裸露出待接受蚀刻的区域;对该第一导电基材层及该第二导电基材层裸露的区域同时进行蚀刻,使该第一导电基材层形成该触控电路的一第一导电膜,且该第二导电基材层形成该触控电路的一第二导电膜。
  • 电路双面图形结构制法
  • [发明专利]沉积金属薄膜的方法和包括超临界干燥/清洁组件的金属沉积组合工具-CN01808330.7无效
  • M·A·比伯格尔;P·E·施林 - 东京毅力科创株式会社
  • 2001-04-24 - 2003-06-18 - H01L21/768
  • 一种在基材上沉积金属薄膜的方法包括超临界预清洁步骤、超临界解吸步骤、和金属沉积步骤。最好,预清洁步骤包括维持超临界二氧化碳和螯合剂与基材接触,以便从基材的金属表面除去氧化物。更优选的是,预清洁步骤包括维持超临界二氧化碳、螯合剂、酸与基材接触。另一种选择,是预清洁步骤包括维持超临界二氧化碳和胺与氧化物层的接触。解吸步骤包括维持超临界二氧化碳与基材接触,以便从基材除去被吸收的材料。然后,金属沉积步骤将金属薄膜沉积在基材上,同时不使基材暴露于会氧化预清洁的基材表面的氧化材料中,同时不使基材暴露于会吸附到基材上的非挥发性吸附材料中。一种将金属薄膜沉积到基材的装置包括转移组件、超临界加工组件、真空组件、和金属沉积组件。超临界加工组件被连接到转移组件。真空组件将金属沉积组件连接到转移组件。
  • 沉积金属薄膜方法包括临界干燥清洁组件组合工具
  • [发明专利]减少表面缺陷的方法-CN201780010886.X有效
  • J·阿明;金宇辉;K·L·史密斯 - 康宁股份有限公司
  • 2017-08-09 - 2021-05-07 - C03C21/00
  • 本公开提供了一种减少强化基材中含缺陷区域以生产无缺陷基材的方法。所述方法包括使经过强化的含缺陷基材与加热了的含有至少一种一价盐的盐浴接触;并且从该盐浴中取出该强化基材。在与盐浴接触之前,强化基材是具有至少一个含缺陷区域和一个或更多个无缺陷区域的含缺陷基材。从盐浴中取出后,至少一个含缺陷区域已被减少或基本上被除去,从而制得无缺陷基材
  • 减少表面缺陷方法
  • [发明专利]减少表面缺陷的方法-CN202110534859.0有效
  • J·阿明;金宇辉;K·L·史密斯 - 康宁股份有限公司
  • 2017-08-09 - 2023-04-07 - C03C3/093
  • 本公开提供了一种减少强化基材中含缺陷区域以生产无缺陷基材的方法。所述方法包括使经过强化的含缺陷基材与加热了的含有至少一种一价盐的盐浴接触;并且从该盐浴中取出该强化基材。在与盐浴接触之前,强化基材是具有至少一个含缺陷区域和一个或更多个无缺陷区域的含缺陷基材。从盐浴中取出后,至少一个含缺陷区域已被减少或基本上被除去,从而制得无缺陷基材
  • 减少表面缺陷方法

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