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- [实用新型]一种石英镓舟-CN202221267335.6有效
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曾国治;周铁军;罗小龙;易明辉
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广东先导微电子科技有限公司
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2022-05-25
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2022-12-30
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C30B29/42
- 本实用新型提供了一种石英镓舟。将石英镓舟本体设置为圆柱形，并在石英镓舟本体的上侧开设槽口；以及将连接件的一端固定于槽口的一侧，另一端固定于槽口的另一侧。通过上述公开的石英镓舟，通过在石英镓舟本体的槽口处增加连接件，能够增加槽口处的束缚力，进而提升石英镓舟整体的稳定性，进而能够保证石英镓舟本体在高温条件下合成多晶料棒时不会变形，并保证了多晶料棒的形状，相较于现有技术，由于本实用新型的石英镓舟本体不会在高温条形下变形，使得石英镓舟本体不会因变形而破裂，有效避免石英镓舟本体内的砷原料泄漏而污染环境。
- 一种石英
- [实用新型]HVPE密封式自动镓源注入系统-CN202021897628.3有效
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王亮;李枝旺
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镓特半导体科技（铜陵）有限公司
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2020-09-03
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2021-06-01
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C30B25/02
- 本实用新型公开了HVPE密封式自动镓源注入系统，它包括：镓舟（1）；附属镓舟（2），所述附属镓舟位于镓舟上方并通过管道与镓舟连通；控制阀（3），所述控制阀安装于附属镓舟与镓舟之间的管道上；电子天平（4）；所述电子天平安装在附属镓舟上；PLC（5），所述PLC与控制阀和电子天平信号连接；电脑（6），所述电脑与PLC信号连接。本实用新型的有益效果是利用电脑控制整个系统，实现自动化的控制，而且精确度和可靠性较高，同时也可以减少对HVPE反应腔的污染，更好地保证镓舟内镓源的品质同时提高了产品的良率，减小了不必要的生产成本。对其保养或者注入新镓源时，勿需拆下整体设备进行处理，大大减少人力物力以及保养时间，更有效地降低生产成本。
- hvpe密封自动注入系统
- [发明专利]一种生长室和氮化镓体材料生长方法-CN200710176647.X有效
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张剑平;高英;武帅;周瓴
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张剑平;高英
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2007-10-31
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2008-07-23
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C30B29/38
- 本发明公开了一种生长室和氮化镓体材料生长方法，属于半导体工艺领域。所述生长室包括：气体加热腔、喷淋头、镓舟蒸气室、水冷生长室壁、加热装置和生长托。所述方法包括：持续向气体加热腔通入氨气和载气，把金属镓置于镓舟蒸气室内；持续向镓舟蒸气室输入氮气、氢气或氩气，使镓舟蒸气室的压力大于气体加热腔的压力；缓慢升高生长托的温度到大于或等于1050℃；缓慢升高镓舟蒸气室和气体加热腔的温度，将温度升高到大于或等于1100℃，镓蒸气与氨气在生长托上的衬底表面进行反应生成氮化镓；生长完成后，降低镓舟蒸气室和气体加热腔的温度，再降低生长托的温度，取出生成的氮化镓体材料。本发明的生长速度快，且氮化镓的质量高。
- 一种生长氮化材料方法
- [发明专利]氢化物气相外延的镓舟结构-CN201910554424.5有效
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庞云玲
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紫石能源有限公司
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2019-06-25
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2023-02-10
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C30B25/14
- 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种氢化物气相外延的镓舟结构，包括舟体，还包括：所述舟体的顶部设置镓源入口，所述舟体内用于盛放液态镓源，所述舟体内设置反应物出口管路，所述反应物出口管路的顶端高于液态镓源的液面，所述反应物出口管路的底端穿出所述舟体的底壁；以及分气盘，所述分气盘设置在所述舟体内的底壁上，在所述分气盘的侧面设置氯化氢进口，在所述分气盘的管路的顶端设置至少一个氯化氢出口，各个所述氯化氢出口均位于液态镓源的液面的下方该镓舟结构具有氯化氢转化率高、氯化氢与液态镓源的接触面积大以及有效地延长了氯化氢的路径的优点。
- 氢化物外延结构
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