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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]薄膜晶体管阵列基板的制造方法-CN200610007372.2有效
发明人：李佳宗 -专利权人：广辉电子股份有限公司
申请日： 2006-02-13 - 公布日： 2006-09-06 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：在基板上依序形成图案化介电层与图案化半导体层，以覆盖部分扫描配线。在基板上依序形成图案化透明导电层与图案化金属层，以定义出多条数据配线、多个源极/漏极、多个像素电极与多个刻蚀保护层。刻蚀保护层分别包覆未被图案化介电层与图案化半导体层覆盖而曝露的扫描配线，并与扫描配线电性并联。在基板上形成保护层。移除像素电极上方的保护层与像素电极的图案化金属层，以曝露出图案化透明导电层，并且同时移除刻蚀保护层与数据配线之间的扫描配线上方的图案化半导体层，以暴露出图案化介电层。
薄膜晶体管阵列制造方法

[发明专利]阵列基板的制备方法及阵列基板-CN202110973150.0有效
发明人：卢马才;刘念 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2021-08-24 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种阵列基板的制备方法及阵列基板，以同一道光罩形成图案化的源漏极层、图案化的有源层和图案化的第二绝缘层，从而在形成用于使图案化的像素电极与连接走线连接的过孔时，只需要刻蚀第一绝缘层和钝化层而第一绝缘层刻蚀难度较低，第二绝缘层刻蚀难度较大，因此，同一道光罩形成图案化的源漏极层、图案化的有源层和图案化的第二绝缘层，可以降低形成用于使图案化的像素电极与连接走线连接的过孔的蚀刻难度，进而降低采用同一道光罩工艺形成图案化的钝化层和图案化的像素电极层的制程难度
阵列制备方法

[发明专利]用于电活性液晶眼科设备的图案化电极-CN200580019189.8无效
发明人： G·梅雷迪思 -专利权人：庄臣及庄臣视力保护公司
申请日： 2005-04-11 - 公布日： 2007-10-17 - 主分类号： G02F1/13 文献下载
摘要：本发明提供一种电活性设备，这种设备包括：封闭在一对透明基底(10，100)之间的液晶层(20)；位于该液晶层与第一透明基底(10)的向内朝向的表面之间的一个或多个图案化电极组(30)，所述图案化电极组各包括形成相对的图案的两个或多个电极，所述电极由绝缘层隔离，其中在形成图案化电极组的电极之间没有水平间隙；以及在液晶层与第二透明基底(100)的向内朝向的表面之间的导电层(40)。
用于活性液晶眼科设备图案电极

[发明专利]用于电子束投影光刻系统的图案化发射器及其制造方法-CN202110077228.0在审
发明人：文剑锋;曹雪丽;唐涛;李明;李新宇;余静;崔丽丹 -专利权人：桂林理工大学
申请日： 2021-01-20 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于电子束投影光刻系统的图案化发射器及其制造方法，其中，所述发射器包括发射电极层、图案电极层和基电极层。当基电极层接通电源时，图案电极层中的金属图案也会接通电源，发射电极层中的纳米电极便分为两部分：一部分与图案电极层中预设图案相接触，这些纳米电极也会接通电源；另一部分与预设图案不接触，由绝缘体隔开，这些纳米电极便不会接通电源；当电压达到开启电压时，接通电源的纳米电极便会发射电子，从而达到图案化电子光源的目的。
用于电子束投影光刻系统图案发射器及其制造方法

[发明专利]篡改检测装置、系统和方法-CN202010991833.4在审
发明人：托马斯·苏瓦尔德;斯特凡·梅尔 -专利权人：恩智浦有限公司
申请日： 2020-09-18 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： G01D5/241 文献下载
摘要：描述了一种用于检测在包装方面的篡改的篡改检测装置，所述装置包括：i)包括第一经图案化结构的第一电极，以及ii)包括第二经图案化结构的第二电极。所述第一电极和所述第二电极被布置成使得所述第一经图案化结构和所述第二经图案化结构彼此至少部分地相对。在所述第一经图案化结构和所述第二经图案化结构相对于彼此的第一布置状态下，第一电容是可测量的，在所述第一经图案化结构和所述第二经图案化结构相对于彼此的第二布置状态下，第二电容是可测量的，其中所述第一电容不同于所述第二电容
篡改检测装置系统方法

[发明专利]像素结构及其制造方法-CN200610108636.3有效
发明人：宋慧敏;洪孟锋 -专利权人：中华映管股份有限公司
申请日： 2006-07-27 - 公布日： 2008-01-30 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：提供具有一不透光区与一部分透光区的一光罩，并利用此光罩在半导体材料层上形成一图案化光阻层。以图案化光阻层为遮罩移除部分金属层、部分栅极绝缘层与部分半导体材料层，以形成一栅极、一下电极、一图案化栅极绝缘层与一半导体层。移除部分图案化光阻层，以暴露出下电极上方的半导体层。以图案化光阻层为遮罩移除下电极上方的图案化栅极绝缘层与半导体层。移除图案化光阻层。在半导体层上形成一源极与一漏极。在基板上依序形成一图案化保护层与一像素电极。
像素结构及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200510132354.2有效
发明人：赵振衍 -专利权人：美格纳半导体有限会社
申请日： 2005-12-21 - 公布日： 2006-08-09 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：该方法包括：形成通过层间绝缘层的接触塞；在所述层间绝缘层上顺序地形成下电极层，电介质层以及上电极层；图案化上电极层；图案化电介质层以及下电极层，从而获得包括上电极，图案化的电介质层以及下电极的电容器；以及顺序地形成与所述接触塞连接的第一金属互连线以及与所述电容器连接的第二金属互连线
半导体装置及其制造方法

[发明专利]具有垂直沟道晶体管的半导体装置及其制造方法-CN201410332054.8有效
发明人：金玟锡;尹孝燮 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2014-07-11 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：所述方法包括以下步骤：在半导体衬底上顺序沉积栅电极材料和牺牲绝缘层；将栅电极材料和牺牲绝缘层图案化以形成暴露出半导体衬底的表面的一个或更多个孔；在孔的内侧壁上形成栅绝缘层；形成一个或更多个柱体图案，每个柱体图案被填充在孔中且在柱体图案的顶部上被凹陷；在柱体图案上形成接触单元和电极单元；去除图案化的牺牲绝缘层，且在去除图案化的牺牲绝缘层的半导体衬底上形成间隔件氮化物材料；以及去除间隔件氮化物材料和图案化的栅电极材料在柱体图案之间的部分。
具有垂直沟道晶体管半导体装置及其制造方法

[发明专利]半穿透反射式液晶显示阵列基板的像素结构及制造方法-CN200710187303.9有效
发明人：林永伦;董修琦;柳俐萍 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2007-11-19 - 公布日： 2008-04-16 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本发明公开了一种半穿透反射式液晶显示阵列基板的像素结构，该像素结构包括图案化第一导电层、图案化第二导电层以及图案化透明导电层，图案化第一导电层形成于基板上，且包括第一部分用以耦接像素电极电位，图案化第二导电层包括第一部分用以耦接共同电极电位，并与图案化第一导电层的第一部分形成第一储存电容，图案化透明导电层耦接像素电极电位而与图案化第二导电层的第一部分形成第二储存电容，一种半穿透反射式液晶显示阵列基板的制造方法也在此揭露。
穿透反射液晶显示阵列像素结构制造方法

[发明专利]二次电池及其制造方法以及电池组-CN202280004420.X在审
发明人：李闰范;尹俊晧;韩昌玟 -专利权人：株式会社LG新能源
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01M50/178 文献下载
摘要：本发明提供了一种二次电池，包括：电极组件，电极引线粘合到所述电极组件；袋，配置成容纳电极组件并设有密封部；以及引线膜，配置成密封所述密封部与电极引线之间的部分，其中，在密封部与引线膜之间的粘合部分上设置图案化层，该图案化层配置成图案化密封部和引线膜以增加密封部与引线膜之间的粘合面积。
二次电池及其制造方法以及电池组

[发明专利]图像感测器及其制造方法-CN201710951682.8有效
发明人：游胜闵;孙文檠;严沛文;林雁容 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2017-10-13 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：图像感测器包括一基板、一图案化电极层、一像素隔离结构以及一图案化光电转换层。图案化电极层位于基板上，且包括多个彼此分离的电极层区块。像素隔离结构设置于基板上，且像素隔离结构包括金属卤化物。图案化光电转换层设置于此些电极层区块上形成多个对应的光电转换层区块，此些光电转换层区块包括钙钛矿材料，且此些光电转换层区块彼此经由像素隔离结构分隔开来。
图像感测器及其制造方法

[发明专利]形成存储器电容的方法-CN201710826528.8有效
发明人：张峰溢;李甫哲;陈界得 -专利权人：联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2017-09-14 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：首先提供一基底，基底中具有多个存储点，然后在基底上形成一图案化支撑层。在图案化支撑层上形成一底电极层，底电极层共形地形成在图案化支撑层上以及其开口的表面上，并接触存储点。接着在底电极层上形成一牺牲层。后续进行一软蚀刻工艺，以移除位于图案化支撑层的顶面上以及位于开口的部分侧壁上的底电极层，其中软蚀刻工艺包含使用一含氟化合物、一含氮与氢化合物以及一含氧化合物。接着完全移除牺牲层，并移除部分的图案化支撑层，在底电极层上形成一电容介电层，最后在电容介电层上形成一顶电极层。
形成存储器电容方法

[发明专利]液晶显示器的像素结构及其形成方法-CN200910133189.0有效
发明人：张祖强;陈柏仰;吴昭慧;施博盛 -专利权人：瀚宇彩晶股份有限公司
申请日： 2009-04-15 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： G02F1/136 文献下载
摘要：一种液晶显示器像素结构的形成方法，包含：在像素区域形成图案化的第一电极层；在第一电极层上形成绝缘层；在绝缘层上形成半导体层；图案化半导体层使形成多个转态种子产生区域；以及形成图案化的第二电极层连接半导体层
液晶显示器像素结构及其形成方法

[发明专利]MEMS器件、器件和MEMS热传感器的制造方法-CN201910870362.9有效
发明人：洪蔡豪;郭仕奇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-16 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： B81B3/00 文献下载
摘要：一种制造MEMS热传感器的方法包括：在衬底上形成分别具有第一电极指和第二电极指的第一感测电极和第二感测电极，以及形成在一对第一电极指之间具有矩形横截面的图案化层。第一电极指和第二电极指以交叉指型配置形成并且悬置于衬底之上。该方法还包括改性图案化层以在该对第一电极指之间具有弯曲横截面，在改性图案化层上形成弯曲的感测元件以耦合到该对第一电极指，以及去除改性图案化层。本发明的实施例还涉及MEMS器件和器件的制造方法。
mems 器件传感器制造方法

[发明专利]反射式液晶面板及折射率匹配透光电极层-CN200810083013.4无效
发明人：范姜冠旭;廖炳杰;陈燕晟 -专利权人：立景光电股份有限公司
申请日： 2008-03-17 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： G02F1/136 文献下载
摘要：本发明公开了一种反射式液晶面板，其包括不透光基板、图案化电极层、第一配向膜、液晶层、第二配向膜、折射率匹配透光电极层以及透光基板。图案化电极层配置于不透光基板上。第一配向膜配置于图案化电极层之上。折射率匹配透光电极层配置于第二配向膜上。透光基板配置于折射率匹配透光电极层上。第一配向膜、第二配向膜、折射率匹配透光电极层与透光基板的折射率彼此匹配，以提升由透光基板入射的光被图案化电极层反射的比例。本发明还公开了一种折射率匹配透光电极层。
反射液晶面板折射率匹配透光电极

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