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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]氧化物TFT、其制造方法、使用其的显示面板和显示装置-CN201611270971.3有效
发明人：裵钟旭;张容豪;裵俊贤;智光焕;尹弼相;卢智龙 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：公开了氧化物薄膜晶体管、其制造方法以及使用其的显示面板和显示装置，其中，在由氧化物半导体形成的半导体层的端部处设置有第一导电部和第二导电部。氧化物TFT包括：设置在缓冲层上的并且包含氧化物半导体的半导体层；覆盖半导体层和缓冲层的栅极绝缘层；设置在栅极绝缘层上以与半导体层的一部分交叠的栅电极；以及覆盖栅电极和栅极绝缘层的钝化层。
氧化物 tft 制造方法使用显示面板显示装置

[发明专利]非挥发性记忆体及其制作方法-CN200610078544.5有效
发明人：陈进贤;陈盈佐;刘建宏;黄守伟 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2006-05-10 - 公布日： 2007-11-14 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：接着，于二开口之间的基底上形成堆叠闸极结构，堆叠闸极结构包括第一介电层、电荷储存层、第二介电层与第一导体层。之后，于二开口底部及侧壁形成衬层，衬层的顶部表面低于基底的顶部表面。继之，于二开口底部的衬层上形成第二导体层，其中第二导体层的顶部表面与衬层的顶部表面共平面。然后，于第二导体层与衬层上形成第三导体层，其中第三导体层的顶部表面至少与基底的顶部表面共平面，且低于第一介电层的顶部表面。
挥发性记忆体及其制作方法

[发明专利]隧道效应薄膜晶体管及其制造方法和使用其的显示器件-CN200610150748.5有效
发明人：金哲世 -专利权人： LG.菲利浦LCD株式会社
申请日： 2006-10-24 - 公布日： 2007-12-19 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：该薄膜晶体管包括：栅极；与所述栅极重叠的半导体层；置于所述半导体层和所述栅极之间的第一绝缘层；以所述半导体层作为沟道且置于不同层的第一电极和第二电极。该薄膜晶体管还包括置于所述第一电极和第二电极其中之一电极与所述半导体层之间的第二绝缘层；以及置于所述第一电极和第二电极中另一电极与所述半导体层之间的第一掺杂半导体层。
隧道效应薄膜晶体管及其制造方法使用显示器件

[发明专利]母线连接系统-CN200810210927.2有效
发明人：罗恩·达曼 -专利权人：泰科电子荷兰公司
申请日： 2008-08-12 - 公布日： 2009-02-18 - 主分类号： H02B1/20 文献下载
摘要：一种母线连接系统(2)，其包括：相互间隔的至少两个可插连接器(4)，用以分别容纳至少两个导体(6)中的至少一个，所述导体(6)以一定的距离相互间隔。每个连接器(4)包括：用于接触各个导体(6)的至少一个接触构件(8)；和设置成夹持接触构件(8)的至少一个施压构件(10)，用于在接触构件(8)和导体(6)之间提供接触力。至少一个连接器(4)的接触构件(8)和施压构件(10)沿横截导体(6)的适配方向的方向具有弹性，以允许补偿导体(6)之间的距离(D₁)与预定距离(D₀)之间的偏差
母线连接系统

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200810133942.1有效
发明人：高桥典之 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2008-07-18 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：提供了一种使用引线框架的多引脚结构的半导体器件。所述半导体器件包括：具有芯片支撑表面的垫片，所述芯片支撑表面的尺寸小于所述半导体芯片的背部表面；布置在所述垫片周围的多条引线，所述半导体芯片安装在所述垫片的芯片支撑表面上方；多条悬挂引线，其用于支撑所述垫片；四条条引线，其布置在所述垫片外侧以便围绕所述垫片，并且其耦合至所述悬挂引线；多条导线，用于在半导体芯片和所述引线之间进行耦合；以及密封体，用于利用树脂来密封所述半导体芯片和所述导线，第一缝隙分别形成在条引线的用于与所述悬挂引线耦合的第一耦合部分中
半导体器件及其制造方法

[发明专利]金属氧化物半导体晶体管及其制作方法-CN200710108879.1有效
发明人：陈能国;黄建中 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2007-06-05 - 公布日： 2008-12-10 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明公开一种金属氧化物半导体晶体管及其制作方法。一种制作金属氧化物半导体晶体管的方法，包括首先提供半导体基底，半导体基底上包含有栅极结构、源极区域与漏极区域。然后，在半导体基底上形成应力缓冲层，并覆盖在栅极结构、源极区域与漏极区域上。之后，再在应力缓冲层上形成应力覆盖层，且应力覆盖层的伸张应力值大于应力缓冲层的伸张应力值。由于应力缓冲层可以避免应力覆盖层断裂，因此本发明可在金属氧化物半导体晶体管上覆盖具有极高伸张应力的应力覆盖层。
金属氧化物半导体晶体管及其制作方法

[发明专利]混入磁性体粉末的半导体装置及其制造方法-CN200810088198.8有效
发明人：青木由隆 -专利权人：卡西欧计算机株式会社
申请日： 2008-02-13 - 公布日： 2008-12-10 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本发明涉及混入磁性体粉末的半导体装置及其制造方法。根据本发明，因为由在树脂中混入了磁性体粉末的材料形成密封膜，所以借助于密封膜中的磁性体粉末，能够抑制从半导体基板上表面侧的集成电路到外部、或者与其相反地从外部到半导体基板上表面侧的集成电路的干扰电磁辐射噪音另外，通过在包括螺旋形状薄膜电感元件的被称为CSP的半导体装置中，在半导体基板和薄膜电感元件之间设置由在树脂中混入了磁性体粉末的材料所形成的磁性膜，能够降低由半导体基板中产生的涡流所引起的薄膜电感元件的涡流损耗
混入磁性粉末半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体封装及半导体封装的制造方法-CN200810161769.6有效
发明人：吉冈心平;渡边尚威 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2008-09-26 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明提供一种能减少制作工序的半导体封装以及半导体封装的制造方法。该半导体封装(1)具有：具有第1主面(11)以及第2主面(12)的半导体元件(10)；设置在第1主面(11)侧的第1电极板(20)；设置在第2主面(12)侧的第2电极板(30)；以及设置在半导体元件(10通过使设置在第1电极板(20)上的突起部(22)的侧面的多个开口部(26)、与设置在将布线基板(40)的突起部(22)贯入的贯入口(43)的内侧面并且与开口部(26)对应的多个卡合部(45)分别卡合来构成半导体封装
半导体封装制造方法

[发明专利]半导体芯片以及包含该半导体芯片的封装及电子装置-CN200610101185.0有效
发明人：苏昭源;林忠毅 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2006-07-03 - 公布日： 2007-04-18 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本发明为一种可降低应力影响的半导体芯片以及包含该半导体芯片的封装及电子装置。该半导体芯片包括：一转角区域以及一中心区域；以及一排除区域，包括该转角区域，其中该转角区域的对角线长度大于该半导体芯片的对角线长度的约百分之一，其中一模拟电路位于排除区域之外，且其中该半导体芯片利用90nm或更小尺寸的半导体工艺技术所制成。
半导体芯片以及包含封装电子装置

[发明专利]高增益环形天线-CN200510084553.0有效
发明人：陈安家;汤嘉伦 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2005-07-26 - 公布日： 2007-01-31 - 主分类号： H01Q1/24 文献下载
摘要：本发明提供一种高增益循环天线，包含一导体接地面、一馈入信号线、一辐射元件、以及一介质元件；此介质元件配置于导体接地面与辐射元件之间；此辐射元件包含两匹配段与一导体线圈，此两匹配段连接馈入信号线与导体线圈，以达成二者之间的阻抗匹配；调整此两匹配段之间距离与长度都可改变导体线圈的输入阻抗；此导体线圈作为电流通过时激发天线操作模态；因而本发明不但可以使得辐射场型在水平面上为最大，还可简化制作时的困扰；同时其频率调整机制明确
增益环形天线

[发明专利]非易失性半导体存储装置及其制造方法-CN200710193000.8有效
发明人：鬼头杰;井上裕文 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2007-10-17 - 公布日： 2008-04-23 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：根据本发明的一个方面，提供了一种非易失性半导体存储装置，包括：衬底；柱状半导体，被设置为垂直于所述衬底；电荷存储叠层膜，被设置在所述柱状半导体周围；第一导体层，其与所述电荷存储叠层膜接触并具有第一端部分，所述第一端部分具有第一端面；第二导体层，其与所述电荷存储叠层膜接触，与所述第一导体层分离并具有第二端部分，所述第二端部分具有第二端面；第一接触插塞，被设置在所述第一端面上；以及第二接触插塞，被设置在所述第二端面上
非易失性半导体存储装置及其制造方法

[发明专利]可变谐振器、可变带宽滤波器、电路装置-CN200710149629.2有效
发明人：河合邦浩;冈崎浩司;楢桥祥一 -专利权人：株式会社NTT都科摩
申请日： 2007-09-10 - 公布日： 2008-03-12 - 主分类号： H01P7/00 文献下载
摘要：一种可变谐振器，包括：设置在介质电路板(5)上，周长为谐振频率中的1波长或1波长的整数倍的环状导体线路(2)；以及两个以上的电路开关(3₁、3₂)，在各电路开关(3₁、3₂)中，其一端(31)电连接到环状导体线路(2)，其另一端(32)电连接到介质电路板(5)上所形成的接地导体(4)，可以切换接地导体(4)和环状导体线路(2)之间的电连接/非连接，各电路开关(3₁、3₂)的一端(31)连接环状导体线路(2)的部位是各自不同的可变谐振器。
可变谐振器带宽滤波器电路装置

[发明专利]发光二极管、具有其的封装结构及其制造方法-CN200810025948.7有效
发明人：樊邦弘;翁新川 -专利权人：鹤山丽得电子实业有限公司
申请日： 2008-01-19 - 公布日： 2008-07-16 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：该发光二极管包括：衬底；形成于衬底的正面上的n型半导体材料层；形成于n型半导体材料层上的发光层；形成于发光层上的p型半导体材料层；保护层，覆盖p型半导体材料层；穿透保护层形成于p型半导体材料层上的阳极；以及围绕n型半导体材料层形成并与之电接触的阴极。
发光二极管具有封装结构及其制造方法

[发明专利]用于安装半导体芯片的装置-CN200710090401.0有效
发明人：石敦智;赖俊魁;蔡奇陵;苏建嘉 -专利权人：均豪精密工业股份有限公司
申请日： 2007-04-06 - 公布日： 2008-10-08 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明揭示一种用于安装半导体芯片的装置，其是用于将半导体芯片安装固定在衬底或导线架的封装设备。所述预压模块会将多个半导体芯片依序放置在已送到定位的衬底表面，并施加压力使所述半导体芯片与所述衬底初步结合。然后所述主压合模块中的多个压合头会同时触压所述多个半导体芯片，并使所述多个半导体芯片与所述衬底紧密结合。
用于安装半导体芯片装置

[发明专利]金属膜形成装置和金属膜形成方法-CN201510982989.5有效
发明人：平冈基记;柳本博;佐藤祐规 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2015-12-24 - 公布日： 2018-10-02 - 主分类号： C25D5/02 文献下载
摘要：一种金属膜形成装置包括：阳极；树脂基板，其表面上形成有用作阴极的导体图案层；固体电解质膜，其包含金属离子并且位于阳极与所述树脂基板之间，所述固体电解质膜在金属膜形成时接触所述导体图案层的表面；电源；以及导电部件，其被设置为在所述金属膜形成时接触所述导体图案层，以使得所述电源的负电极被电连接到所述导体图案层，所述导电部件为可从所述导体图案层拆卸的，其中，当施加电压时，所述金属离子被还原而在所述导体图案层的所述表面上沉积形成所述金属膜的金属
金属膜形成装置方法

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