专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种由固体反应物和液体反应物制取气体的装置-CN201310395100.4无效
  • 裴彧 - 裴彧
  • 2013-09-03 - 2013-12-11 - B01J7/02
  • 本发明涉及一种由固体反应物和液体反应物制取气体的装置,属于固体与液体反应制取气体技术领域。本装置包括储液箱、加料仓、反应、气液分离、补液瓶和过滤器。储液箱的底部通过管道与反应的底部相连通,其侧面开有排液口。加料仓置于反应的上部,并通过管道与反应的上部相连通。反应上部侧壁开有出气管道,反应与气液分离通过出气管道相连通,气液分离的顶部开有出气管。补液瓶置于气液分离的上部,其下部的补液管伸入气液分离室内。过滤器的进口通过管道与气液分离的底部相连通,其出口通过管道与反应的底部相连通。本装置无需消耗外部电能,即可实现液体自动循环、制气反应自动启停、液体反应物自动补充,使用方便。
  • 一种固体反应物液体制取气体装置
  • [发明专利]一种反应堆容器的下腔结构及反应堆容器-CN202010584140.3有效
  • 田健;王允;张金红;周翀;傅瑶;邹杨 - 中国科学院上海应用物理研究所
  • 2020-06-23 - 2022-09-30 - G21C13/024
  • 本发明公开了一种反应堆容器的下腔结构及反应堆容器。下腔结构包括堆芯支撑底板、反应堆下腔底板、反应堆下腔裙板和反应堆下腔入口;堆芯支撑底板、反应堆下腔底板和反应堆下腔裙板合围形成一下腔空间、且反应堆下腔裙板用于构成下腔空间的周向侧壁反应堆下腔底板与堆芯支撑底板平行;反应堆下腔入口设于反应堆下腔底板上;下腔空间内还设有位于堆芯支撑底板下方的流量分配板圆板;流量分配板圆板与堆芯支撑底板同轴设置、且平行固接;流量分配板圆板的边缘不与下腔空间的内部接触。本发明的下腔结构实现了堆芯通道内流量的合理分配,并且有效改善了下腔的流场特性,避免了下腔中旋涡的出现。
  • 一种反应堆容器下腔室结构
  • [发明专利]利用浮力维持HVPE反应炉预反应速率稳定的镓舟反应-CN202310253893.X在审
  • 王新强;刘强;刘南柳;王琦 - 北京大学东莞光电研究院
  • 2023-03-15 - 2023-06-27 - C30B23/02
  • 本发明公开一种利用浮力维持HVPE反应炉预反应速率稳定的镓舟反应器,包括用于盛放镓金属的腔及内置于腔并依靠镓金属浮力漂浮于镓金属液面上方的活动盖板;腔包括进气通道、出气通道和镓源存放区;活动盖板包括顶盖及与顶盖共同形成气路通道的侧壁侧壁的下方设有基座。本发明盛放镓金属的腔与活动盖板不连通,因此依靠镓金属浮力漂浮于镓金属液面上方的活动盖板可以随着镓金属消耗随着镓金属液面上下运动。由于活动盖板的重量和位于镓金属内部的底部基座体积固定,因此所受到的浮力固定,使侧壁与顶盖形成的气路通道体积固定,可保证镓金属液面下降但是预反应通道固定,以此实现预反应不随镓金属消耗发生变化。
  • 利用浮力维持hvpe反应炉反应速率稳定反应器
  • [实用新型]一种环保零碳排放炼钢设备-CN202021001994.6有效
  • 郑振福;王家标;陈玉航 - 扬州华航特钢有限公司
  • 2020-06-04 - 2021-01-12 - C21C5/42
  • 本实用新型公开了一种环保零碳排放炼钢设备,包括转炉,所述转炉的侧壁固定连接有出液口,所述转炉的顶部设置有防护盖,所述防护盖的内部固定连接有进气管,所述防护盖的顶部固定连接有直管,所述直管远离防护盖的一端固定连接有拉伸管,所述拉伸管远离直管的一端固定连接有反应,所述反应的内部固定连接有过滤板,所述反应的内部固定连接有反应吸附板,所述反应侧壁固定连接有排气管,所述转炉的外侧壁固定连接有多个转轴,所述转轴远离转炉的一端固定连接有支撑杆
  • 一种环保排放炼钢设备
  • [实用新型]一种稀土化合物沉淀的连续制取装置-CN201921687607.6有效
  • 周武风;钟杨根;陈晓红;朱小春;罗胜铭 - 江西金世纪新材料股份有限公司
  • 2019-10-10 - 2020-06-09 - C22B3/02
  • 本实用新型涉及化工设备领域,更具体地说,是一种稀土化合物沉淀的连续制取装置,包括反应、投料管、过滤和过滤网,所述反应的顶部安装有投料管,反应的一侧设有过滤,过滤的底部安装有循环管,过滤的外侧壁固定连接有第二电机,第二电机的轴伸端固定连接有丝杆,过滤的内部安装有刮板,丝杆贯穿刮板,刮板与丝杆转动连接,过滤的内部安装有过滤网,过滤侧壁铰接有活动板,利用搅拌叶、螺旋板搅动混合液,使稀土离子料液和沉淀剂充分混合,搅拌轴转动时带动螺旋板转动,利用螺旋板带动混合液上下翻腾,使混合液混合更加充分,混合液在反应、过滤之间循环,进行稀土化合物沉淀的连续制取作业。
  • 一种稀土化合物沉淀连续制取装置
  • [发明专利]半导体设备和半导体设备的反应的清理方法-CN201710325667.2有效
  • 郝亮 - 北京北方华创微电子装备有限公司
  • 2017-05-10 - 2021-03-02 - H01J37/32
  • 本发明公开了一种半导体设备和该半导体设备的反应的清理方法,属于半导体制造技术领域。所述半导体设备包括反应,用于容纳待处理晶片,所述半导体设备还包括位于所述反应侧壁且靠近所述反应顶部的进气清理组件,所述进气清理组件包括至少一个喷嘴,所述喷嘴可沿所述反应的径向伸缩,以调节所述喷嘴伸入到所述反应腔室内部的长度,以清理位于所述反应顶部的残留物。能够有效提高待处理晶片的加工良率,同时,还能够减少反应维护后的恢复时间。
  • 半导体设备反应清理方法
  • [实用新型]反应、设备和装置-CN201320319175.X有效
  • J·伊尔马里宁;T·洪卡宁 - BENEQ有限公司
  • 2013-06-05 - 2013-12-25 - C23C16/448
  • 本实用新型涉及用于利用气溶胶辅助沉积工艺在衬底(28)上提供涂层(30)的反应(4)、设备和装置,在所述气溶胶辅助沉积工艺中,使得一种或多种前体材料在衬底(28)的表面(29)上反应反应(4)包括用于形成反应空间(24)的底部(26)、顶壁(2)和侧壁(34),所述反应空间具有反应空间高度(H1)和反应空间宽度(W1);一个或多个前体供应装置(10,18,20),其用于将一种或多种前体材料供应到反应空间(24);和一种或多种排放装置(8),其用于从反应空间排放前体材料。根据本实用新型,反应空间(14)沿着反应(4)的侧壁(34)在边缘区域(36)处具有降低的高度(H5)。
  • 反应设备装置
  • [实用新型]一种炭黑反应炉燃烧-CN201621450342.4有效
  • 张永昌 - 天津永达科技有限公司
  • 2016-12-27 - 2017-07-11 - C09C1/50
  • 本实用新型公开了一种炭黑反应炉燃烧,包括燃料喷头、空气整流装置、配风箱、空气整流装置和配风,所述配风上安装有进风管,进风管的内部安装有配风箱,配风的内部安装有燃料喷管和空气整流装置,燃料喷头包括喷管和雾化喷头,雾化喷头的安装在喷管的输出端,喷管的输入端穿过配风的一端侧壁与燃料供给装置的输出端连接,空气整流装置安装在喷管的侧壁与配风的内侧壁之间。该炭黑反应炉燃烧其设计巧妙,其上在配风室里加装了由螺旋叶、支架、固定环和轴承构成的空气整流装置,其能够使得吹进燃烧室里的空气流速平稳,使得燃料在燃烧室里能够平稳的燃烧,该炭黑反应炉其燃烧效率高,火焰平稳
  • 一种炭黑反应炉燃烧室
  • [实用新型]一种气化炉-CN202123141537.4有效
  • 马志超;孙中卫;周三 - 新奥科技发展有限公司
  • 2021-12-14 - 2022-05-10 - C10J3/48
  • 本实用新型涉及一种气化炉,包括气化反应和氢氧反应;其中,所述气化反应包括上下连通的加氢气化反应区和排渣区;所述氢氧反应围设于所述加氢气化反应区的外部,且与所述氢氧反应下段相对应的加氢气化反应区的侧壁上开设有若干通气孔,所述氢氧反应与所述加氢气化反应区通过所述通气孔相连通;所述气化反应的顶部和底部分别开设有煤粉进口和半焦出口,所述气化反应的中部开设有粗煤气出口;所述氢氧反应的顶部设有氢气进口和氧气进口。本实用新型提供的气化炉,过量氢气与氧气在氢氧反应室内发生反应生成高温氢气后,再进入到加氢气化反应区内与煤粉混合进行加氢气化反应,可避免氧气与煤粉接触,保障气化性能。
  • 一种气化
  • [发明专利]有通道的举升销-CN202011548209.3在审
  • R.辛古;D.南德瓦纳;T.R.邓恩;S.斯瓦米纳坦;B.佐普;C.L.怀特 - ASMIP私人控股有限公司
  • 2020-12-24 - 2021-07-06 - C23C16/458
  • 一种反应器系统可包括:反应,其由侧壁封闭;以及基座,其在所述反应中设置在包括于所述反应中的反应空间与下空间之间。所述基座可包括销孔,所述销孔被设置成穿过所述基座,使得所述销孔与所述反应空间和所述下空间流体连通,并且使得所述反应空间与所述下空间流体连通。举升销可以设置在所述销孔中。所述举升销可包括销主体,所述销主体包括由销通道表面限定的销通道,所述销通道设置在所述销主体中,使得当所述举升销设置在所述销孔中时,所述反应空间与所述下空间流体连通。
  • 通道举升销
  • [发明专利]刻蚀装置-CN200710119400.4有效
  • 邢涛 - 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
  • 2007-07-23 - 2009-01-28 - H01L21/00
  • 本发明公开了一种刻蚀装置,包括反应反应室内部设有下电极,反应的侧下方连接有抽气反应下部的侧壁上设有圆环型凸起,圆环型凸起与下电极之间形成圆环型气体通道,反应室内的气体可通过圆环型气体通道进入抽气在进行半导体加工过程中,反应基团与被刻蚀晶片表面发生的化学反应速度差异较小,反应产物的分布均匀,刻蚀速率和刻蚀图形均具有较好的均匀性。
  • 刻蚀装置
  • [发明专利]气相生长装置及气相生长方法-CN201880056079.6在审
  • 醍醐佳明;石黑晓夫;伊藤英树 - 纽富来科技股份有限公司
  • 2018-08-08 - 2020-04-21 - H01L21/205
  • 实施方式的气相生长装置具备:反应;基板保持部,设置于反应之中,能够载置基板,具有能够具有规定的间隙地保持基板的外周的保持壁;过程气体供给部,设置于反应的上方,具有第1区域和第2区域,该第1区域对反应供给第1过程气体,该第2区域设置于第1区域的周围,能够对反应供给与第1过程气体相比碳/硅原子比更高的第2过程气体,第2区域的内周直径为保持壁的直径的75%以上130%以下;侧壁,设置于反应之中的、过程气体供给部与基板保持部之间的区域,内周直径为第2区域的外周直径的110%以上200%以下;第1加热器,设置于基板保持部的下方;第2加热器,设置于侧壁反应的内壁之间;及旋转驱动机构,使基板保持部旋转。
  • 相生装置方法

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