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[发明专利]反应腔室的上盖结构和反应腔室-CN201410705206.4有效
发明人：张伟涛 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2014-11-27 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种反应腔室的上盖结构，包括线圈盒、隔板、盖板、多个开盖挂钩和与多个开盖挂钩一一对应的盖板挂钩，所述开盖挂钩在对正位时与所述盖板挂钩对正，在脱离位时与所述盖板挂钩相错开，所述开盖挂钩包括第一钩持部本发明还提供一种反应腔室。与现有技术相比，本发明中的上盖结构上升时，开盖挂钩不需要移动一段空行程，因而可以减少铜连接条受到的拉力。
钩持部挂钩开盖盖板反应腔室上表面上盖结构下表面隔板铜连接条逐渐降低空行程上升时线圈盒错开对正贴合匹配脱离移动

[发明专利]腔室上盖及包含该上盖的反应腔室-CN200610165461.X有效
发明人：张风港 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2006-12-20 - 公布日： 2008-06-25 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开了一种腔室上盖及包含该上盖的反应腔室，腔室上盖的上部设有进气口、下部设有多个气孔，腔室上盖的内部还设有空腔，工艺气体可依次通过进气口、空腔、多个气孔注入反应腔室，对反应腔室内的半导体硅片进行刻蚀使得反应腔室内的气体分布更加均匀，从而得到满意的刻蚀效果。尤其适用于半导体晶片加工设备的反应腔室，也适用于其它的腔室。
腔室上盖包含反应

[发明专利]上电极组件及反应腔室-CN201510701261.0在审
发明人：王婷婷 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2015-10-26 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种上电极组件及反应腔室，包括介质桶、环绕在该介质桶周围的线圈以及用于冷却介质桶的冷却机构，该冷却机构包括冷却通道，该冷却通道位于线圈的内侧，通过向冷却通道内通入冷却介质，来冷却介质桶；并且冷却通道被设置为使通入其内的冷却介质直接与介质桶相接触本发明提供的上电极组件，其不仅可以提高对介质桶的冷却效果，而且还可以提高介质桶的温度均匀性，从而可以提高工艺均匀性。
电极组件反应

[发明专利]上电极装置及工艺腔室-CN202111486114.8在审
发明人：刘珊珊 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01J37/04 文献下载
摘要：本发明提供一种上电极装置及工艺腔室，其中，上电极装置包括顶部盖板、电极组件和驱动组件，顶部盖板用于设置于工艺腔室的腔体顶部；电极组件包括匹配器、线圈和连接结构，匹配器通过连接结构与线圈连接，匹配器用于和电源连接，以通过线圈在腔体内产生电场；顶部盖板上开设有供连接结构穿过及移动的开口，匹配器位于顶部盖板背离腔体一侧，线圈位于顶部盖板朝向腔体一侧；驱动组件设置在顶部盖板上，用于驱动线圈在开口范围内移动，以改变线圈相对于腔体的位置本发明提供的上电极装置及工艺腔室，能够提高电场调节的效率，提高产能，并能够维持设备及工艺的稳定性。
电极装置工艺

[发明专利]用于EPI腔室的上圆顶-CN201580045879.4有效
发明人：刘树坤;穆罕默德·图格鲁利·萨米尔;常安忠 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-08-14 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：圆顶组件包括上圆顶与上周边凸缘，所述上圆顶包含凸形弧中央窗，所述上周边凸缘在所述中央窗的周缘处啮合所述中央窗。
用于 epi 圆顶

[发明专利]上电极组件及反应腔室-CN201710623176.6有效
发明人：陈鹏;徐奎;丁培军;常大磊;姜鑫先;张璐;刘建生;苏振宁;宋巧丽 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2017-07-27 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种上电极组件及反应腔室，其包括线圈，在该线圈上设置有功率馈入点，该功率馈入点位于线圈的除端点之外的位置处，且线圈的端点接地，以将线圈自功率馈入点形成相互并联的多个线圈分部。本发明提供的反应腔室，其可以减小线圈上存在的电位分布差异，从而可以提高等离子体的分布均匀性，进而可以提高工艺均匀性。
电极组件反应

[实用新型]制程腔室上的连接装置-CN200820057694.2有效
发明人：胡旭峰;胡凯峰;毛国胤;陈亮 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2008-04-24 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： H01R4/30 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种制程腔室上的连接装置，用于连接电源线和等离子产生源。
制程腔室上连接装置

[实用新型]MOCVD反应腔室的上盖-CN202122255056.X有效
发明人：张森;王祥;费磊 -专利权人：宁波沁圆科技有限公司
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本实用新型提供一种MOCVD反应腔室的上盖，所述上盖包括盖板本体，所述盖板本体上设有：探测窗口，其沿所述盖板本体的厚度方向贯通，多个进气口，位于所述盖板本体的第一端面上，且所述盖板本体内部具有用于连通所述进气口及与所述第一端面相对的第二端面的气流通道该MOCVD反应腔室的上盖水路通道结构简单、易于加工、成本低及搭建便捷灵活。
mocvd 反应

[发明专利]刻蚀腔室与设计及制造刻蚀腔室的上电极的方法-CN202110004630.6在审
发明人：黄海辉;霍宗亮;刘高山;郑亮;王星;张小强 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-01-04 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种刻蚀腔室，包括上电极，包括可相互分离的中心电极和边缘电极，其中所述中心电极包括可相互分离的多个电极部件；下电极，与所述上电极相对设置，所述下电极耦接射频功率源，以使所述下电极与所述电极部件之间形成电场本发明的刻蚀腔室，可实现刻蚀工艺进行中，根据刻蚀图案的需要，便捷地对上电极的中心电极的下表面、形貌进行调节，实现在满足刻蚀大深宽比图案的深度要求的同时，等离子密度分布亦可具有较好的均一性，从而改善此时刻蚀图案的剖面倾斜程度
刻蚀设计制造电极方法

[发明专利]腔室的内衬和腔室-CN201710357147.X有效
发明人：张军 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2017-05-19 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明属于半导体加工技术领域，具体涉及一种腔室的内衬和腔室。该腔室的内衬包括抽气内衬和均流内衬，所述均流内衬环绕设置于所述抽气内衬的内侧，所述均流内衬至少包括本体和隔离部，所述隔离部上开设有至少两个孔洞，以将所述均流内衬与所述抽气内衬之间的间隙隔离为连通的进气区域与出气区域；所述腔室内的气体经所述进气区域进入所述孔洞进行均流后，进一步通过所述抽气区域连通的排气口排出至所述抽气内衬的外部。该腔室的内衬，实现了对出气口与进气口之间的空间区域的划分，实现了工艺气体及副产物经过匀流后被真空抽走，实现了气体分布的均匀性。
内衬

[发明专利]腔室组件及反应腔室-CN201810457537.9有效
发明人：师帅涛;丁安邦;陈鹏;史小平;李春雷;兰云峰 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-05-14 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供一种腔室组件及反应腔室，该腔室组件包括：电极板，其与射频源电连接，且在电极板上设置有进气口；匀流部件，其采用绝缘材料制作，且与电极板共同构成匀流空间，进气口与匀流空间连通，并且在匀流部件上设置有多个出气口，出气口分别与匀流空间和反应腔室连通。本发明提供的腔室组件，其避免产生空心阴极放电，从而可以提高等离子体的稳定性。
组件反应

[发明专利]腔室组件及反应腔室-CN201811511088.8有效
发明人：王帅伟;兰云峰;王勇飞 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-12-11 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供一种腔室组件，包括腔体、腔室盖，其特征在于，还包括铰接模块，所述铰接模块设置在所述腔体与所述腔室盖之间，用于实现所述腔室盖的开合，且在所述铰接模块内设有气体通路，所述气体通路用于将外部气源提供的工艺气体经所述腔体和所述腔室盖通入所述腔体的内部即使腔室盖处于开启状态，气体通路仍然处于封闭状态，而不会暴露在大气环境中，从而避免了在开启腔室盖，以取放衬底或者维护腔室时，因人为操作导致的颗粒掉落进气体通路，进而可以保证腔室的洁净度，降低薄膜的颗粒缺陷
组件反应

[发明专利]上电极组件及半导体工艺腔室-CN202111563611.3在审
发明人：刘建;王炳元 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开一种上电极组件及半导体工艺腔室，所述上电极组件包括射频线圈(100)、供电装置和过温保护装置(300)；所述过温保护装置(300)包括盒体(310)和温度控制件(320)，所述温度控制件(320)设置于所述盒体(310)上，所述盒体(310)开设有内腔(310a)，所述射频线圈(100)的至少部分位于所述内腔(310a)中，所述射频线圈(100)与所述供电装置通过所述温度控制件(320)电连接，所述温度控制件(320)用于检测所述内腔(310a)的温度，当所述内腔(310a)的温度大于预设温度时，所述温度控制件(320)断路，以使所述射频线圈(100)与所述供电装置断路。上述方案能够解决半导体工艺腔室的安全性和可靠性较差的问题。
电极组件半导体工艺

[发明专利]半导体工艺腔室及其上电极结构-CN202210452382.6在审
发明人：王磊;杨帆;田西强 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-04-27 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01J37/34 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体工艺腔室及其上电极结构，上电极结构包括磁控管组件、发射组件、接收组件、靶材和信号处理装置；磁控管组件位于靶材上方；发射组件与接收组件对称设置在磁控管组件沿水平方向的两侧，且高度均与磁控管组件对应
半导体工艺及其电极结构

[发明专利]上电极组件及半导体工艺腔室-CN202210586098.8在审
发明人：王岩;余江浦;王伟 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01J37/244 文献下载
摘要：本发明公开一种上电极组件及半导体工艺腔室，上电极组件包括盖板、喷嘴、位置检测机构和调节机构；所述盖板开设有安装孔，所述喷嘴设置于所述安装孔内；所述位置检测机构设置于所述盖板上，所述位置检测机构用于检测所述喷嘴在所述安装孔内的径向位置上述方案能够解决半导体工艺腔室的工艺性能较差的问题。
电极组件半导体工艺

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