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[发明专利]阻气性膜、水蒸气阻隔性评价试验片及阻气性膜的水蒸气阻隔性评价方法-CN201880057076.4有效
发明人： 森孝博 -专利权人：柯尼卡美能达株式会社
申请日： 2018-08-15 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： B32B15/08 文献下载
摘要：本发明的技术问题是提供可以高精度地对纵向条纹状的微细的划痕、横段状地出现的阻气性变化的周期性进行检测的阻气性膜。本发明的阻气性膜(1)在长条状的树脂基材(4)上具备阻气层(5)、第1及第2水蒸气阻隔性试验区域部(10)、(20)，第1及第2水蒸气阻隔性试验区域部(10)、(20)分别具有第1或第2水分反应性金属层(12)、(22)和密封第1或第2水分反应性金属层(12)、(22)的第1或第2水蒸气非透过性层(11)、(21)，第1水分反应性金属层(12)和第2水分反应性金属层(22)形成为下述构成：以从树脂基材(4)的长度方向及宽度方向的至少一个方向观察时存在彼此部分重叠的部分(L1)的方式而配置而成的构成。
气性水蒸气阻隔评价试验方法

[发明专利]电子设备-CN201780081021.2有效
发明人：河村朋纪;森孝博 -专利权人：柯尼卡美能达株式会社
申请日： 2017-12-08 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供耐弯曲性优异且高温·高湿环境下的耐久性优异的电子设备。本发明的电子设备(10)是利用气体阻隔性的密封层(40)密封配置在基板(20)上的多个功能构成部的电子设备(10)，将从该多个功能构成部中随机选出的相邻的二个功能构成部设为有机EL元件部(11)(第一构成部)和有机光电转换元件部(12)(第二构成部)时，在随机选出的与基准面(44)垂直的截面中，有机EL元件部(11)上的密封层(40)的最大高度h1max和有机光电转换元件部(12)上的密封层(40)的最大高度h2max分别为0.2～3.0mm的范围内，且有机EL元件部(11)与有机光电转换元件部(12)之间的最短距离dmin为1～100mm的范围内。
电子设备

[发明专利]气体阻隔性膜和气体阻隔性膜的制造方法-CN201780080718.8有效
发明人：高木宏司;森孝博 -专利权人：柯尼卡美能达株式会社
申请日： 2017-12-19 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： B32B9/00 文献下载
摘要：本发明的气体阻隔性膜是在基材上依次形成有第一气体阻隔层和第二气体阻隔层的气体阻隔性膜，上述第二气体阻隔层为聚硅氮烷改性层，且上述第二气体阻隔层的表面的以纳米压痕法测定的弹性模量和硬度满足下述条件[A]和[B]。[A]弹性模量：8～17GPa的范围内，[B]硬度：硬度≤0.18×弹性模量+2.1GPa。
气体阻隔制造方法

[发明专利]发光装置-CN201680068450.1有效
发明人： 森孝博 -专利权人：柯尼卡美能达株式会社
申请日： 2016-11-22 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： H05B33/04 文献下载
摘要：本发明的课题是提供能够实现携带时的小型化的发光装置。本发明的发光装置依次层叠有发光面侧树脂基材、有机发光元件和背面侧基材，其特征在于，在上述发光面侧树脂基材与有机发光元件之间和上述有机发光元件与背面侧基材之间中的至少任一方具有以无机材料为主成分的气体阻隔层，并且，发光装置在支承部件上具有固定部和可动部地被支承，而且，具有携带时上述有机发光元件的上述可动部所形成的曲面的曲率半径为1.0～10.0mm的范围内的曲面部。
有机发光元件发光装置树脂基材发光面可动部侧基背面气体阻隔层无机材料依次层叠支承部件携带固定部曲面部地被支承

[发明专利]气体阻隔膜、气体阻隔性膜、气体阻隔膜的制造方法、及气体阻隔性膜的制造方法-CN201880017865.5在审
发明人： 森孝博 -专利权人：柯尼卡美能达株式会社
申请日： 2018-03-09 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： C23C16/42 文献下载
摘要：制作如下的具有高的气体阻隔性和透明性的气体阻隔膜：在将组成用SiOxCy表示时，在厚度方向上以20nm以上且1000nm以下的范围具有在将横轴设为x、将纵轴设为y的正交坐标上由A(x＝0.8、y＝0.8)、B(x＝1.2、y＝0.8)、C(x＝1.9、y＝0.1)、D(x＝1.9、y＝0.0)、E(x＝0.8、y＝0.55)这5点包围的区域内存在的组成，算术平均粗糙度(Ra)为2.0nm以下。
气体阻隔膜气体阻隔性膜算术平均粗糙度气体阻隔性正交坐标横轴制造包围制作

[发明专利]功能性膜层叠体及电子器件的制造方法-CN201780083581.1在审
发明人： 森孝博 -专利权人：柯尼卡美能达株式会社
申请日： 2017-12-19 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： B32B27/00 文献下载
摘要：本发明涉及功能性膜层叠体及电子器件的制造方法，所述功能性膜层叠体具备：具有在基材的第1面侧所形成的功能性层及在基材的第2面侧所形成的树脂固化层的功能性膜、和与树脂固化层相接地贴合的可剥离的保护膜；树脂固化层的平均表面粗糙度(算术平均粗糙度Ra)为1.1nm以上且5nm以下，保护膜的粘合力用平均值表示，为0.15N/25mm以上且0.5N/25mm以下，并且[粘合力(N/25mm)/Ra(nm)]的值为0.1以上且0.3以下。
功能性膜树脂固化层层叠体电子器件保护膜粘合力基材面侧平均表面粗糙度算术平均粗糙度功能性层可剥离贴合制造

[发明专利]气体阻隔性膜、使用它的气体阻隔性膜材和使用它们的电子设备、以及气体阻隔性膜的制造方法-CN201780046487.9在审
发明人： 森孝博 -专利权人：柯尼卡美能达株式会社
申请日： 2017-07-11 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明提供能够使气体阻隔性膜兼得优异的弯曲性和高温高湿环境下的高水蒸气阻隔性的手段。本发明涉及一种气体阻隔性膜，在厚度方向进行XPS组成分析时得到的原子组成分布曲线中，由M1M2_xN_y表示组成时，具有满足下述式(1)和下述式(2)的区域(a)。M1M2_xN_y，0.2≤x≤3.0(1)，0.6≤y≤1.4(2)，x：过渡金属M2与非过渡金属M1原子的存在原子比，y：氮原子与非过渡金属M1原子的存在原子比。
气体阻隔性膜过渡金属式( 1 )式( 2 )原子比与非高温高湿环境水蒸气阻隔性电子设备分布曲线原子组成氮原子弯曲性制造分析

[发明专利]气体阻隔性膜和电子设备-CN201580038447.0有效
发明人： 森孝博 -专利权人：柯尼卡美能达株式会社
申请日： 2015-06-24 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： B32B27/00 文献下载
摘要：本发明提供一种具有高的气体阻隔性和优异的气体阻隔性的面内均匀性的气体阻隔性膜。此外，本发明提供一种在高温高湿环境下的耐久性优异的电子设备。一种气体阻隔性膜，其在基材上依次具有锚固涂层、与上述锚固涂层接触且通过真空成膜法形成的气体阻隔层，上述锚固涂层是对含有聚硅氮烷的层施加能量来进行改性处理而得到的层，且在将上述锚固涂层的厚度设为A(nm)、将上述锚固涂层整体的氮原子相对于硅原子的原子比(N/Si)设为B时，A×B≤60。
气体阻隔电子设备

[发明专利]气体阻隔性膜及电子器件-CN201680067430.2在审
发明人：西尾昌二;森孝博 -专利权人：柯尼卡美能达株式会社
申请日： 2016-11-22 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： B32B9/00 文献下载
摘要：本发明的课题是提供气体阻隔性及光学各向异性得到了改善的气体阻隔性膜。该气体阻隔性膜在基材上具有气体阻隔层，上述气体阻隔层至少在厚度方向上沿厚度方向连续地具有5nm以上的混合区域，该混合区域是含有非过渡金属M1及过渡金属M2的区域，上述过渡金属M2对于上述非过渡金属M1的原子数比的值(M2/M1)在0.02～49的范围内，上述基材在23℃·55％RH的环境下测定光波长590nm处的延迟值Ro的绝对值在0～30nm的范围内。
气体阻隔性膜非过渡金属气体阻隔层过渡金属混合区域基材光学各向异性气体阻隔性电子器件原子数比光波长延迟

[发明专利]气体阻隔性膜的卷体和气体阻隔性膜的制造方法-CN201380074861.8有效
发明人： 森孝博 -专利权人：柯尼卡美能达株式会社
申请日： 2013-03-21 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： C23C16/54 文献下载
摘要：本发明的目的是提供具有高的气体阻隔性、且具有良好的平面性的气体阻隔性膜。本发明是具有基材和气体阻隔性层的气体阻隔性膜的卷体，气体阻隔性层含有硅原子、氧原子和碳原子，将从气体阻隔性层的表面起的距离设为X值，将碳原子的含量相对于硅原子、氧原子和碳原子的合计量的比率设为Y值的碳分布曲线具有极大值和极小值，基材的与配置有气体阻隔性层的一侧为相反侧的面具有500～10000个/mm²的从粗糙中心面起的高度为大于等于10nm且小于100nm的突起A、以及0～500个/mm²的从粗糙中心面起的高度为100nm以上的突起B，并且基材的按照JIS K‑7136测定而得的雾度为1％以下，气体阻隔性膜在特定条件下测定的平面性指标在0～5的范围。
气体阻隔性膜气体阻隔性层碳原子基材硅原子平面性氧原子中心面突起卷体粗糙气体阻隔性碳分布曲线相反侧雾度面具配置制造

[发明专利]阻气性膜-CN201680011634.4在审
发明人： 森孝博 -专利权人：柯尼卡美能达株式会社
申请日： 2016-02-24 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： B32B9/00 文献下载
摘要：本发明提供一种高温高湿环境下耐久性优异的阻气性膜。一种阻气性膜，其在树脂基材上具有层(A)，其含有过渡金属化合物，并且，通过气相成膜法形成；阻气层(B)，其与所述层(A)相接，并且通过涂布含有聚硅氮烷的涂布液并进行干燥而得到的涂膜施加真空紫外线而形成，所述涂膜表面的所述真空紫外线的照射能量为1.0J/cm2以上。
气性

[发明专利]气体阻隔膜及电子设备-CN201280057161.3有效
发明人： 森孝博 -专利权人：柯尼卡美能达株式会社
申请日： 2012-11-16 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： B32B9/00 文献下载
摘要：本发明提供一种气体阻隔膜(10)，其在基体材料(11)上具备对含有聚硅氮烷的层实施真空紫外线照射而成的气体阻隔层(14)，其中，所述气体阻隔层(14)相对于该气体阻隔层整体在1质量％以上且40质量％以下的范围含有满足下述(a)、(b)、(c)全部的化合物A。(a)具有Si-O键，且具有与Si直接键合的有机基团。(b)具有Si-H基或Si-OH基。(c)分子量为90以上且1200以下。
气体阻隔电子设备

[发明专利]气体阻隔性膜、气体阻隔性膜的制造方法及电子器件-CN201280031320.2有效
发明人： 森孝博 -专利权人：柯尼卡美能达株式会社
申请日： 2012-06-13 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： B32B9/00 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供具有非常优异的气体阻隔性能和高的耐久性的气体阻隔性膜、其制造方法及使用了其的电子器件。本发明的气体阻隔性膜为在基材上层叠了至少含有Si、O和N的气体阻隔层2层以上的气体阻隔性膜，其特征在于，在气体阻隔层全体中厚度方向的组成分布如下：从接近基材方依次具有满足下述(A)的组成范围的在厚度方向上连续了的20nm以上的区域和满足下述(B)的组成范围的在厚度方向上连续了的50nm以上的区域。(A)在由SiOwNx表示气体阻隔层的组成时，为w≥0.8、x≥0.3、2w＋3x≤4。(B)在由SiOyNz表示气体阻隔层的组成时，为0＜y≤0.55、z≥0.55、2y＋3z≤4。
气体阻隔制造方法电子器件

[发明专利]气体阻隔性膜及电子器件-CN201180062272.9有效
发明人： 森孝博 -专利权人：柯尼卡美能达株式会社
申请日： 2011-12-01 - 公布日： 2013-08-28 - 主分类号： B32B9/00 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供气体阻隔性能、耐热性优异的气体阻隔性膜和使用了其的耐久性优异的电子器件。本发明在基材上按以下顺序具有通过物理蒸镀法或化学蒸镀法形成了的含有Si和N的第1气体阻隔层和涂布含有聚硅氮烷化合物的溶液而形成了的第2气体阻隔层，该第2气体阻隔层照射真空紫外线而实施改性处理，在将各自的层的组成用SiOxNy表示时，该第2气体阻隔层的厚度方向中的组成SiOxNy的分布满足由下述(A)规定的条件。(A)该第2气体阻隔层在厚度方向具有50nm以上的0.25≤x≤1.1且0.4≤y≤0.75的区域。
气体阻隔电子器件

[发明专利]印刷版材料-CN200780049476.2无效
发明人： 森孝博 -专利权人：柯尼卡美能达医疗印刷器材株式会社
申请日： 2007-12-20 - 公布日： 2009-11-04 - 主分类号： B41N1/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于CTP方式的印刷版材料，以高灵敏度，能够维持良好的机上显影性，同时，具有优异的耐印刷性、保存稳定性。一种印刷版材料，其包括基体材料和位于基体材料上的图像形成层，其中，所述图像形成层含有下述(A1)或(A2)：(A1)为聚合物粒子，其使用具有羧基的聚合性单体和具有酰胺基的聚合性单体，通过乳液聚合而形成，并且其玻璃化转变温度Tg为70℃以上；(A2)为通过乳液聚合而形成、并具有核壳结构的聚合物粒子，该聚合物粒子的壳由下述聚合物制成，该聚合物使用具有羧基的聚合性单体和具有酰胺基的聚合性单体进行聚合而形成，该聚合物的玻璃化转变温度Tg为70℃以上。
印刷材料

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