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[发明专利]改善锗硅膜层厚度均一性的方法-CN201110388437.3无效
发明人：钱志刚;季伟 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-11-29 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善锗硅膜层厚度均一性的方法，该方法在常规的锗硅膜低温外延生长工艺中，在生长锗硅膜前的任意一个或多个连续的工艺步骤中，用常温气体吹承载硅片的基座，所述常温气体中不含有能够刻蚀所述基座的气体本发明通过用大量常温气体吹硅片基座，提高了硅片上热量分布的均匀性，有效改善了后续生长的锗硅膜层厚度的面内均一性，从而提高了产品电性参数的面内均一性和良率。
改善锗硅膜层厚度均一方法

[发明专利]铬铝钛氮合金涂层及制备方法-CN201810253112.6有效
发明人：米文博;刘国柱 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-03-26 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明专利涉及一种铬铝钛氮合金涂层及制备方法；基底为单面抛光的GH3128高温合金基底，基底厚度为1.5mm，基底面积为10mm×10mm，铬铝钛氮合金涂层厚度为1.2μm。本发明从工业化生产角度和实际应用角度出发，利用对向靶磁控溅射法制备表面厚度均一、晶粒尺寸均一、薄膜与基底紧密结合、工艺重复性好的铬铝钛氮合金涂层；在溅射电流为0.25A、溅射电压为500V、基底温度为250℃、N：Al：Cr：Ti原子比为4：3：2：2时，制备的铬铝钛氮合金涂层表面厚度均一并且具有最好的平整度。
基底钛氮合金铬铝制备厚度均一工艺重复性晶粒尺寸均一磁控溅射促进作用单面抛光高温合金溅射电压试件表面涂层表面对向靶平整度原子比结焦试件薄膜金属覆盖应用

[发明专利]片状银粉的制作方法-CN200410037190.0无效
发明人：王振兴 -专利权人：远东技术学院
申请日： 2004-06-09 - 公布日： 2005-02-23 - 主分类号： B22F9/00 文献下载
摘要：一种片状银粉的制作方法，利用镀膜具有均一厚度特性，选择使用容易被移除和破坏的材料当基板，先在基板上镀有一层银金属层，续将此试件粉碎和移除基板，或先移除基板材料再粉碎，其所剩即为片状银粉，该片状银粉厚度均一
片状银粉制作方法

[实用新型]一种改善氮化硅薄膜膜厚均一性的炉管石英外管-CN201721251982.7有效
发明人：张乐成;张召 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-09-27 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种改善氮化硅薄膜膜厚均一性的炉管石英外管，所述石英外管的外表面从上到下设置有粗糙度、颜色、厚度其中一项或多项不同的涂层，所述涂层设置上部涂层、中部涂层和下部涂层。使得能够得到均一性更好的氮化硅薄膜。通过加设石英外管的外表面涂层，并改变外表面涂层的能对热辐射造成影响的厚度、颜色、粗糙度的三个参数，通过对三个参数的调整达到调整氮化硅薄膜均一性的目的。且外表面涂层的厚度、颜色、粗糙度三个参数能渐变或分区域的改变。
石英外管氮化硅薄膜外表面涂层粗糙度本实用新型膜厚均一性均一性炉管从上到下分区域热辐射渐变

[发明专利]一种提高底部选择栅极下氧化物厚度均一性的方法-CN201710755336.2有效
发明人：隋翔宇;唐兆云;赵治国;陆智勇;王攀;江润峰;王香凝;赵新梅;石晓静;王恩博 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-08-29 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本发明提供了一种提高底部选择栅极下氧化物厚度均一性的方法，所述方法在衬底上底部选择栅极(BSG)的边缘和中心区域的底部选择栅极(BSG)下部氧化物的基础上沉积氮化硅作为保护层，避免了在刻蚀堆叠结构形成核心区域台阶结构时的高温和富氢(H)环境下将氮化硅(SIN)牺牲层的边缘区域氧化成氮氧化硅(SION)，从而使得后续湿法刻蚀氧化底部选择栅极(BSG)氮化硅(SIN)牺牲层的边缘和中心区域的厚度均一性更好，进而使得后续底部选择栅极(BSG)的厚度均一性更好，从而提高底部选择栅极(BSG)的击穿电压(BV)，防止击穿失效，从而提高了3D NAND闪存的性能。
一种提高底部选择栅极氧化物厚度均一方法

[发明专利]低温多晶硅TFT基板结构及其制作方法-CN201510139978.0有效
发明人：张晓星 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2015-03-27 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明提供一种低温多晶硅TFT基板结构及其制作方法，通过将驱动TFT区域与显示TFT区域的缓冲层设置成不同的厚度，使驱动TFT区域的缓冲层的厚度较大，显示TFT区域的缓冲层的厚度较小，在多晶硅结晶过程中形成了不同的温度梯度，实现了对结晶颗粒大小的控制，使得驱动TFT区域的多晶硅层在晶化过程中形成较大的晶格尺寸，提高了电子迁移率，使得显示TFT区域的多晶硅层在晶化过程中实现碎晶，保证了晶界均一性，提高了电流的均一性，从而满足了不同TFT的电性要求，提高了OLED发光的均一性。
缓冲层均一性低温多晶硅TFT 多晶硅层基板结构晶化过程驱动电子迁移率多晶硅结晶电性要求结晶颗粒温度梯度晶格晶界制作发光保证

[发明专利]液晶面板用基板及其制造方法、液晶显示面板和电子设备-CN03105166.9有效
发明人：泷泽圭二;小田切頼广;中野智之 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2003-03-03 - 公布日： 2003-09-17 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：本发明提供了一种液晶面板用基板，在该液晶面板用基板中，具备：基板；配置在上述基板上，界定显示区域外缘的第1遮光区域；在上述显示区域内配置在基板上的单元厚度调整层；配置在上述单元厚度调整层上，界定上述显示区域内的多个象素区域的边界的第2遮光区域，上述单元厚度调整层的厚度被规定为使得上述第2遮光区域全体的厚度不小于上述第1遮光区域全体的厚度。通过设置单元厚度调整层，使第2遮光区的各层提高，使其整体的厚度成为与第1遮光区的厚度相等或比之还厚，使单元间隙遍及整个显示区域地均一化。由此，可以防止因单元间隙的不均一而造成的显示不均匀。
液晶面板用基板及其制造方法液晶显示面板电子设备

[实用新型]液晶面板用基板、液晶显示面板和电子设备-CN03204689.8无效
发明人：泷泽圭二;小田切頼广;中野智之 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2003-03-04 - 公布日： 2006-02-22 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种液晶面板用基板，在该液晶面板用基板中，具备：基板；配置在上述基板上，界定显示区域外缘的第1遮光区域；在上述显示区域内配置在基板上的单元厚度调整层；配置在上述单元厚度调整层上，界定上述显示区域内的多个象素区域的边界的第2遮光区域，上述单元厚度调整层的厚度被规定为使得上述第2遮光区域全体的厚度不小于上述第1遮光区域全体的厚度。通过设置单元厚度调整层，使第2遮光区的各层提高，使其整体的厚度成为与第1遮光区的厚度相等或比之还厚，使单元间隙遍及整个显示区域地均一化。由此，可以防止因单元间隙的不均一而造成的显示不均匀。
液晶面板用基板液晶显示面板电子设备

[发明专利]管翅单体和具有其的换热器、空调器-CN201810474368.X在审
发明人：何哲旺;北本学;武滔;陈新厂 -专利权人：广东美的制冷设备有限公司;美的集团股份有限公司
申请日： 2018-05-17 - 公布日： 2018-08-17 - 主分类号： F28F1/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种管翅单体和具有其的换热器、空调器，所述管翅单体，包括：本体，所述本体的厚度不均一；多个通道部，多个所述通道部彼此间隔开地设在所述本体上，多个所述通道部与所述本体为一体成形件，每个所述通道部的厚度大于所述本体的厚度根据本发明的管翅单体，通过设置使本体的厚度不均一，当管翅单体应用于换热器时，可以提高换热器的换热效率。而且，通过将通道部与本体设置为一体成形件，并使本体的厚度小于通道部的厚度，增强了通道部与本体之间的导热效率。
通道部换热器管翅一体成形件空调器均一热效率导热效率两端敞开流道种管应用

[实用新型]管翅单体和具有其的换热器、空调器-CN201820752671.7有效
发明人：何哲旺;北本学;武滔;陈新厂 -专利权人：广东美的制冷设备有限公司;美的集团股份有限公司
申请日： 2018-05-17 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： F28F1/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种管翅单体和具有其的换热器、空调器，所述管翅单体，包括：本体，所述本体的厚度不均一；多个通道部，多个所述通道部彼此间隔开地设在所述本体上，多个所述通道部与所述本体为一体成形件，每个所述通道部的厚度大于所述本体的厚度根据本实用新型的管翅单体，通过设置使本体的厚度不均一，当管翅单体应用于换热器时，可以提高换热器的换热效率。而且，通过将通道部与本体设置为一体成形件，并使本体的厚度小于通道部的厚度，增强了通道部与本体之间的导热效率。
通道部换热器管翅本实用新型一体成形件空调器均一热效率导热效率两端敞开流道种管应用

[发明专利]一种半导体器件表面厚度均一化方法-CN201510189260.2在审
发明人：纪登峰 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2015-04-17 - 公布日： 2015-08-19 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明揭示了一种半导体器件表面厚度均一化方法，在半导体衬底上形成金属线路层之后，依次沉积氮化硅层与二氧化硅层，然后研磨掉金属线路上方的二氧化硅层。本发明通过在金属线路层完成之后，依次沉积氮化硅层与二氧化硅层，二氧化硅层的厚度比现有技术中需要沉积的二氧化硅厚度减少4～5μm，沉积完成后，采用化学机械研磨二氧化硅层，直至金属线路上的氮化硅层暴露，继续研磨，当二氧化硅完全被研磨去除后，氮化硅层仍能够完全覆盖金属线路，且经研磨后氮化硅表面与其它部分厚度较为一致。因此本发明降低了二氧化硅的研磨量，且通过继续研磨半导体器件表面，利用氮化硅的耐研磨性，控制半导体器件表面各处厚度的均一性。
一种半导体器件表面厚度均一方法

[实用新型]一种新型厚度均匀的冷库板、冷库-CN202222881296.5有效
发明人：谢海军;罗伟贤 -专利权人：广州金誉制冷设备有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： E04C2/292 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型厚度均匀的冷库板，包括冷库板主体；所述冷库板主体包括依次紧密连接的第一板体、聚氨酯发泡层和第二板体；所述聚氨酯发泡层内设置有若干支撑柱，所述支撑柱为实心柱状结构；所述支撑柱的高度与聚氨酯发泡层的厚度相同，支撑柱用于使第一板体和第二板体的间距均一。通过支撑柱的设计，板体间复合时，支撑柱分别抵顶第一板体和第二板体，通过支撑柱提供刚性支撑，以使第一板体和第二板体的间距均一，避免了在聚氨酯发泡过程中，发泡体因其他板体而出现塌陷等问题。最终使得聚氨酯发泡层的厚度均一，效果比现有技术更好，保障冷库板的保温性能。
一种新型厚度均匀冷库

[发明专利]一种曝光系统-CN201410099166.3有效
发明人：史大为;郭建 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2014-03-17 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种曝光系统。该曝光系统包括光源和载台，光源和载台相对设置，载台用于放置待曝光膜，光源发出的光线能对待曝光膜进行曝光，还包括厚度测量单元和光强调节单元，厚度测量单元和光强调节单元电连接；厚度测量单元用于测量不同区域的待曝光膜的厚度；光强调节单元用于根据不同区域的待曝光膜的厚度，对相应区域的待曝光膜的曝光光强进行调节。该曝光系统通过设置厚度测量单元和光强调节单元，能够改善由于不同区域的待曝光膜的厚度不均从而导致的经曝光后待曝光膜上形成的图形尺寸均一性差的问题，从而使得显示产品显示面板中各功能层的图形尺寸更加均一，进而使得显示产品的性能更加稳定
一种曝光系统

[发明专利]一种喷墨打印装置-CN201910866992.9有效
发明人：邹敏;李文星 -专利权人：昆山国显光电有限公司
申请日： 2019-09-12 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： B41J2/01 文献下载
摘要：本发明提供了一种喷墨打印装置，其特征在于，包括：多个喷头，所述喷头构造为对待喷墨基板进行喷墨打印；以及与所述多个喷头分别对应的多个驱动机构，所述驱动机构构造为驱动所述喷头沿着预设轨迹运动；其中，所述喷头距离所述待喷墨基板的中心越远通过设置多个喷头，使每个喷头的喷墨量变小，扩散时间变短，扩散区域变小，提高喷墨打印效率与膜层厚度均一性。通过驱动机构驱动喷头沿着预设轨迹运动，使喷头边运动边喷墨，提高喷墨打印膜层厚度均一性。喷头距离待喷墨基板的中心越远，从垂直方向向待喷墨基板中心倾斜的角度越大，通过如此设置喷头，进一步提高喷墨打印膜层厚度均一性。
一种喷墨打印装置

[发明专利]粘接片及电子零件-CN202080068823.1在审
发明人：见上竜雄 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2020-09-14 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： C09J7/30 文献下载
摘要：本发明提供一种粘接片以及电子零件，所述粘接片具有粘接层，所述粘接层含有平均一次粒径为100nm以下及矫顽力Hc为400Oe以上的FeCo系磁性粉末且厚度变动小于10％，所述电子零件具有粘接层，所述粘接层含有平均一次粒径为100nm以下及矫顽力Hc为400Oe以上的FeCo系磁性粉末且厚度变动小于10％。
粘接片电子零件