专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202010585384.3有效
  • 周飞 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
  • 2020-06-24 - 2023-09-12 - H01L21/336
  • 种半导体结构及其形成方法,形成方法包括:提供基底,基底包括衬底和位于衬底上的第掺杂层;在第掺杂层上形成牺牲材料层形成牺牲材料层的工艺窗口较大,易精准控制牺牲材料层的厚度,且形成牺牲材料层的厚度均一性较高,刻蚀牺牲材料层,形成牺牲层,牺牲层的厚度较为精准,且牺牲层的厚度均一性较高,去除牺牲层后,在功函数层和衬底之间形成隔离槽,在衬底表面法线方向上,隔离槽的尺寸满足工艺需求,且隔离槽各处的尺寸均一性较高,使得形成在隔离槽中的隔离层的厚度满足工艺要求,且隔离层的厚度均一性较高,所述隔离层电隔离的能力的均一性高,有利于提高半导体结构的电学性能以及性能均一性。
  • 半导体结构及其形成方法
  • [实用新型]种医用凡士林纱布-CN03239803.4无效
  • 江勇 - 江勇
  • 2003-02-28 - 2004-04-28 - A61L15/00
  • 本实用新型公开了种医用凡士林纱布,由交织的纤维和涂布其上的凡士林涂层构成,其特征在于:凡士林涂层厚度为0.02-0.50毫米并且厚度均一。由于其凡士林涂层厚度合适并且均一,用来填塞鼻腔止血或保护创伤面,既不会损伤创伤面,也不会发生溢流,均具有良好效果。
  • 一种医用凡士林纱布
  • [发明专利]平坦度控制方法、装置、设备及介质-CN202211474828.1在审
  • 杨志远;徐乃康 - 上海积塔半导体有限公司
  • 2022-11-23 - 2023-03-03 - B24B37/10
  • 本申请涉及种平坦度控制方法、装置、设备及介质,所述方法包括:获取所述目标晶圆的当前表面的厚度均一性参数及相对研磨量,所述相对研磨量为所述目标晶圆的当前厚度值与目标厚度值的差值;根据所述厚度均一性参数、所述相对研磨量及目标修正模型,计算所述目标晶圆的绝对研磨量,所述目标修正模型包括所述绝对研磨量与所述厚度均一性参数及所述相对研磨量的关联关系;根据所述绝对研磨量控制所述机台执行所述预设化学机械研磨工艺。
  • 平坦控制方法装置设备介质
  • [实用新型]种免修正耐磨底板及打磨机-CN201921228692.X有效
  • 龙其瑞;黄军;韦金卫;高磊;刘峰 - 广东工科机电有限公司
  • 2019-07-31 - 2020-05-26 - B24B41/00
  • 本实用新型公开了种免修正耐磨底板,从上到下包括耐磨层、粘接填充层、固定层,所述耐磨层包括若干个在同平面上呈矩形阵列的阵列块,所有的阵列块包括若干个基础耐磨块、至少个基准耐磨块,基准耐磨块的厚度均相等,每个基础耐磨块的厚度均小于基准耐磨块,所有的阵列块的上表面平齐设置,固定层与基础耐磨块抵接,固定层具有刚性且平直设置,固定层的厚度均一,所有的阵列块均通过粘接填充层与固定层连接。在制作时只需要确保基础耐磨块的厚度小于基准耐磨块、基准耐磨块的厚度相同、固定层的厚度均一即可,所以两者连接后,本实用新型的厚度均一,最终实现免修正。本实用新型还提供种打磨设备。
  • 一种修正耐磨底板打磨
  • [发明专利]CMP工艺条件调整控制方法-CN200710094357.0有效
  • 刘艳平;张震宇;金新 - 上海华虹NEC电子有限公司
  • 2007-11-30 - 2009-06-10 - B24B1/00
  • 本发明公开了种CMP工艺条件调整控制方法,收集整理制品前膜、残膜膜厚均一性与工艺条件之间的关系,建立根据前膜厚度范围调整工艺条件的表格;每个制品在CMP工艺进行前步,进行前膜膜厚测量,获得前膜厚度范围;在CMP工艺进行的过程中,CMP设备根据前膜厚度范围大小,依据建立的根据前膜厚度范围调整工艺条件的表格选定相应的CMP工艺条件进行研磨。采用该方法能实现对CMP研磨后膜厚均一性的有效控制。
  • cmp工艺条件调整控制方法
  • [发明专利]改善晶圆面内厚度均一性的方法-CN202210076913.6在审
  • 王银帅 - 上海华力集成电路制造有限公司
  • 2022-01-24 - 2022-05-13 - H01L21/311
  • 本发明提供种改善晶圆面内厚度均一性的方法,提供沉积机台和晶圆,将晶圆置于沉积机台内部的炉管;利用沉积机台在晶圆上形成生长层;在炉管中通入刻蚀气体,利用刻蚀气体刻蚀生长层;清除刻蚀气体以及刻蚀气体与生长层产生的副产物;多次在生长层上形成另层生长层,重复执行向炉管通入刻蚀气体以及之后的清除刻蚀后产生的副产物,在晶圆上形成多层生长层。本发明通过在每层生长层形成的循环中通入刻蚀气体,缩小晶圆边缘至中间梯度性变薄趋势,进而改善晶圆面内厚度均一性。
  • 改善晶圆面内厚度均一方法

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