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[发明专利]测温装置的调整固定装置及半导体设备-CN202211041485.X在审
发明人：关啸尘;杨帅;杨慧萍;黄嵘彪 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-08-29 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： F27B1/28 文献下载
摘要：本发明提供一种测温装置的调整固定装置及半导体设备，测温装置包括水平段和与水平段连接的竖直段，水平段贯穿半导体反应腔室，由半导体反应腔室的外部伸入至内部，竖直段位于半导体反应腔室内，由半导体反应腔室的底部延伸至顶部，调整固定装置包括固定支撑组件和第一调节组件，固定支撑组件设置在半导体反应腔室内，第一调节组件设置在固定支撑组件上，并与水平段位于半导体反应腔室内的部分相配合，用于通过调节水平段的水平度，来调节竖直段的垂直度本发明提供的测温装置的调整固定装置及半导体设备，能够提高设备稳定性，从而能够提高测温准确性，进而能够提高控温准确性，改善半导体工艺结果。
测温装置调整固定半导体设备

[发明专利]一种套管式半导体组件、空调及温差发电装置-CN201911118347.5在审
发明人：刘小江 -专利权人：刘小江
申请日： 2019-11-15 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： H01L35/08 文献下载
摘要：本发明提供一种套管式半导体组件、空调及温差发电装置。套管式半导体组件包括第一导热管、第二导热管、外套管及多个半导体单元；半导体单元包括N型半导体、P型半导体与第一导电件，第一导电件连接N型半导体与P型半导体；间隔设置的所述N型半导体与所述P型半导体通过第二导电件连接；第一导热管内以及外套管内，分别通过存在温差且流动方向相逆的两股流体；第一导电臂与第二导电臂分别与N型半导体与P型半导体连接后，均与直流供电装置连接；或者，第一导电臂与第二导电臂均与电器负荷连接。本发明提供的套管式半导体组件结构紧凑，换热效率更高，可广泛应用于制冷空调及采暖空调，冰箱、冷库、温差发电、余热利用等许多领域。
导电臂导电件导热管套管式半导体单元半导体组件外套管半导体组件结构温差发电装置直流供电装置热效率采暖空调电器负荷间隔设置两股流体温差发电余热利用制冷空调冷库温差紧凑冰箱空调流动应用

[实用新型]套管式半导体组件、空调及温差发电装置-CN201921974717.0有效
发明人：刘小江 -专利权人：刘小江
申请日： 2019-11-15 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： H01L35/08 文献下载
摘要：本实用新型提供一种套管式半导体组件、空调及温差发电装置。套管式半导体组件包括第一导热管、第二导热管、外套管及多个半导体单元；半导体单元包括N型半导体、P型半导体与第一导电件，第一导电件连接N型半导体与P型半导体；间隔设置的所述N型半导体与所述P型半导体通过第二导电件连接；第一导热管内以及外套管内，分别通过存在温差且流动方向相逆的两股流体；第一导电臂与第二导电臂分别与N型半导体与P型半导体连接后，均与直流供电装置连接；或者，第一导电臂与第二导电臂均与电器负荷连接。本实用新型提供的套管式半导体组件结构紧凑，换热效率更高，可广泛应用于制冷空调及采暖空调，冰箱、冷库、温差发电、余热利用等许多领域。
套管半导体组件空调温差发电装置

[发明专利]半导体装置及其制造和运行方法和制造半导体组件的方法-CN201410450708.7有效
发明人： G.比尔;I.埃舍尔-珀佩尔;J.赫格尔;O.霍尔费尔德;P.坎沙特 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2014-09-05 - 公布日： 2017-09-15 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置及其制造和运行方法和制造半导体组件的方法。该半导体装置包括上和下接触板以及多个芯片组件。每个芯片组件具有半导体芯片，其具有半导体本体，半导体本体具有上侧和与上侧对置的在垂直方向上隔开的下侧。在上侧上分别布置有单独的上主电极和控制电极。芯片组件分别具有独立的布置在有关的芯片组件的半导体芯片的下侧上的下主电极或在每个芯片组件中布置在该芯片组件的半导体本体的下侧上的共同的下主电极。在每个芯片组件中借助其控制电极能够控制在上主电极与下主电极之间的电流。芯片组件通过介电填料以材料决定的方式彼此连接成固定复合体。嵌入复合体中的控制电极互连结构将芯片组件的控制电极彼此导电连接。
半导体装置及其制造运行方法组件

[实用新型]半导体晶片顶起机构-CN201621363737.0有效
发明人：李华春 -专利权人：深圳市东飞凌科技有限公司
申请日： 2016-12-13 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体封装共晶固晶设备的技术领域，公开了一种半导体晶片顶起机构，安装于半导体封装共晶固晶设备中并用以顶起半导体晶片，该半导体晶片顶起机构包括底座，设置于底座上并可沿竖直方向上下移动的用于吸附并刺破蓝膜以将该蓝膜上的半导体晶片顶起的顶针组件，以及设置于底座上的用于驱动顶针组件上下移动的驱动组件，该驱动组件与顶针组件传动连接。如上所述，通过在底座上设置顶针组件和驱动组件，利用驱动组件驱动顶针组件上下移动，使得顶针组件吸附并刺破蓝膜以将该蓝膜上的半导体晶片顶起，如此，有效提高了顶晶速度，同时，还使得顶起晶片的水平度可有效控制，从而使得半导体封装共晶固晶设备能够更精准和稳定地吸取晶片。
半导体晶片顶起机构

[实用新型]一种用于半导体测试的固定装置-CN202121722023.5有效
发明人：季承;李欣宇;孙经岳 -专利权人：西安精华伟业电气科技有限公司
申请日： 2021-07-28 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： B25B11/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于半导体测试的固定装置，包括承重盘、半导体，半导体均位于承重盘顶部的四周，所述承重盘顶部的四角均开设有配合半导体使用的限位槽，所述限位槽的内部设置有压紧组件，所述限位槽内壁的底部设置有弹起组件本实用新型通过设置控制器，便于使用者按一下控制器启动电机将测试完成的半导体转到另一边，再拉一下压紧组件使弹起组件将半导体弹出，提高了测试半导体的速度，解决了现有的半导体在进行防水性能测试时承重盘对半导体进行固定的效果不是很好，并且对半导体不能连续性的进行防水性能测试，从而降低了测试的速度的问题，达到了放取方便和对提高对半导体进行防水性能测试速度的效果了。
一种用于半导体测试固定装置

[发明专利]一种半导体加工用表面清洁装置-CN202111547869.4在审
发明人：向国清;向宇;谢景柱;向卉 -专利权人：芷江积成电子有限公司
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： B08B3/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体加工用表面清洁装置，包括基座，基座的底端固定设有悬架组件，悬架组件的顶端设有固定组件，固定组件的顶端固定有半导体本体，半导体本体的两端均卡合连接有一卡架，两个卡架的相背方向的一端均设有同步翻转组件，同步翻转组件的底端固定设有位置调节组件，基座的一侧固定设有超声波发生器，基座的另一侧固定设有吸收板。该种半导体加工用表面清洁装置，超声波发生器进行超声波的产生，然后超声波经过半导体本体时进行震动除尘，在除尘过程中不会对半导体本体表面造成磨损或划痕，且利用金属杆将半导体表面的静电导出，实现了对半导体的保护
一种半导体工用表面清洁装置

[发明专利]3D打印平台及3D打印机-CN202110091782.4有效
发明人：刘辉林;唐京科;陈春;敖丹军;刘一辰 -专利权人：深圳市创想三维科技股份有限公司
申请日： 2021-01-23 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： B29C64/245 文献下载
摘要：一种3D打印平台，包括平台组件、供电装置、半导体制冷片、散热装置、温度补偿装置和控制器，平台组件用于承载打印的模型，半导体制冷片连接平台组件，半导体制冷片还电连接于供电装置，散热装置连接半导体制冷片，温度补偿装置设于散热装置背离半导体制冷片一侧，控制器电连接于供电装置、散热装置和温度补偿装置，用于控制供电装置对半导体制冷片进行正向或反向供电，并根据供电方向控制散热装置对半导体制冷片进行散热，冷却平台组件，或控制温度补偿装置对半导体制冷片提供热补偿，以加热平台组件。上述3D打印平台和3D打印机能使模型从平台组件上自行脱落，提高平台组件的加热效率。
打印平台打印机

[实用新型]半导体制冷的空调服-CN202122182981.4有效
发明人：陈冬明;桂小燕;陈毅敏;陈毅涛 -专利权人：深圳敏涛科技有限公司
申请日： 2021-09-09 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： A41D29/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种半导体制冷的空调服，其中，半导体制冷的空调服包括半导体制冷装置和服装，半导体制冷装置包括调温组件、电源组件以及电线，调温组件包括散热件、半导体制冷片以及导热结构，导热结构包括隔热板和两相对设置的均温板，隔热板夹设于两均温板之间，隔热板设有安装孔，半导体制冷片设于安装孔内，且半导体制冷片相对的两表面分别抵接于一均温板，散热件和电源组件通过电线连接，半导体制冷片和电源组件通过电线连接，服装包括衣服主体和口袋，口袋与衣服主体连接，调温组件和电源组件位于口袋内，并可脱离口袋。
半导体制冷空调

[实用新型]一种半导体分立器件转动设备-CN202223162950.3有效
发明人：焦建坤;张一鸣;张捷纯 -专利权人：深圳市集芯源电子科技有限公司
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体分离器加工装置技术领域，具体涉及一种半导体分立器件转动设备，包括用于对半导体分立器件的工作装置进行支撑与固定的底板，用于对半导体分立器件的工作装置进行转动的转动组件，用于对半导体分立器件的工作装置进行夹紧工件并且进行固定的夹紧组件，本实用新型的有益效果是：在半导体分离器加工装置的上端设置有多个夹紧组件，可以对多个半导体分立器件进行夹紧，而后同时对三个半导体器件进行加工与检测，并且在夹紧组件的下端设置有转动组件，可以对上端夹紧组件进行转动，方便从各个方向进行操作，并且下端的升降组件可以控制工作台进行上下滑动，方便不同身高的人进行操作，方便快捷。
一种半导体分立器件转动设备

[实用新型]一种半导体冷热锅-CN201020232649.3无效
发明人：高俊岭 -专利权人：广东富信电子科技有限公司
申请日： 2010-06-08 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： A47J27/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体冷热锅，包括锅体、锅盖、半导体热电组件、风扇、底座，所述半导体热电组件由热传导器、半导体芯片、翅片式散热器组成，所述锅体设有保温层，所述锅体底部镂空，内置半导体芯片，所述翅片式散热器在底座内本实用新型的半导体冷热锅制热功率可调，兼顾制冷和制热不同状态对工作电流和电压要求的差异，避免半导体热电组件成为本冷热锅热量的输出口所造成的热短路现象，能广泛应用在半导体冷热锅、半导体冷热杯等产品上。
一种半导体冷热

[发明专利]发射辐射和/或接收辐射的半导体组件及其制造方法-CN200480032007.6有效
发明人：赫贝特·布伦纳;哈拉尔德·雅格;约尔格·埃里希·佐尔格 -专利权人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
申请日： 2004-12-14 - 公布日： 2006-12-06 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及发射辐射和/或接收辐射的半导体组件，该组件具有发射辐射和/或接收辐射的半导体芯片以及塑料模制件，该模制件对于由半导体组件待发射和/或待接收的电磁辐射是可穿透的，并且半导体芯片借助该模制件至少部分地再成形，该组件还具有外部的电气端子，这些端子与半导体芯片的电气触点表面电气相连。此外还说明了制造这种半导体组件的方法。
发射辐射接收半导体组件及其制造方法

[发明专利]半导体组件及其制备方法、半导体装置-CN202211590512.9有效
发明人：朱益峰;曹凯 -专利权人：英诺赛科（苏州）半导体有限公司
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体组件及其制备方法、半导体装置，半导体组件包括：第一电气载板和第二电气载板；半导体器件，半导体器件的第一电极与第一电气载板电气连接，半导体器件的第二电极与第二电气载板电气连接；封装体，封装体包裹半导体器件、第一电极与第一电气载板的连接处以及第二电极与第二电气载板的连接处；第一电气载板具有第一散热部，第二电气载板具有第二散热部，电连接部的至少一部分、第一散热部和第二散热部露出封装体。根据本发明实施例的半导体组件，可以形成两个散热路径，增加了半导体器件的导热面积，进一步提高半导体器件的散热效率，从而可以限制半导体器件的内部温度不超过一定值，提高半导体组件的使用可靠性。
半导体组件及其制备方法装置

[发明专利]一种半导体器件的自动检测装置和方法及应用-CN202110241938.2在审
发明人：饶炯辉;雷畅 -专利权人：武汉人和睿视科技有限公司
申请日： 2021-03-04 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： G01N21/95 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件的自动检测装置和方法及应用，包括检测台、第一显微镜、第二显微镜和控制组件，所述第一显微镜和第二显微镜相互垂直设置，所述检测台用于承载半导体器件位于第一显微镜和第二显微镜的视场交点，所述检测台包括半导体吸附组件和半导体移动组件，所述控制组件用于控制半导体移动组件对半导体吸附组件的平移和旋转，以及控制所述第一显微镜和第二显微镜采集半导体器件的表面图像、并判断和记录检测数据，所述第二显微镜为微分干涉显微镜通过第二显微镜发出偏振光至待检测半导体器件的侧面，再反射至第二显微镜的CCD成像系统得到了数字图像，通过算法提取出半导体器件的侧面缺陷，实现对半导体器件的高精度检测。
一种半导体器件自动检测装置方法应用

[发明专利]可减少掩膜数目的具有静电放电电路保护的半导体功率组件-CN201510103697.X在审
发明人：安荷·叭剌;王晓彬;王薇;苏毅;丹尼尔·NG -专利权人：万国半导体股份有限公司
申请日： 2008-12-12 - 公布日： 2015-05-13 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：本发明提供一种设置于一半导体衬底上的半导体功率组件，其包含有一设置于该半导体衬底顶面上的已图案化多晶硅层的一第一部份的静电放电（ESD）保护电路。这半导体功率组件更包含有一作为本体离子植入阻碍层的已图案化ESD多晶硅层的第二部分，以阻碍掺杂的本体离子进入位于该本体离子植入阻碍层下方的半导体衬底。在另一具体实施例中，位于半导体组件的边缘上的静电放电（ESD）多晶硅层更覆盖半导体组件边缘上的一切割道，由此于制作半导体组件时不再需要一钝化层，以减少图案化钝化层所需的掩膜。
减少掩膜数目的具有静电放电电路保护半导体功率组件