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[发明专利]高压电阻半导体装置与制造高压电阻半导体装置的方法-CN201110170369.3有效
发明人：林镇元;林正基;连士进;叶清本 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2011-06-20 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种高压电阻半导体装置与制造高压电阻半导体装置的方法。半导体装置包括半导体衬底、横向半导体二极管、场绝缘结构与多晶硅电阻。二极管形成在半导体衬底的表面区域中，且包含阴极电极与阳极电极。场绝缘结构配置阴极电极与阳极电极之间。多晶硅电阻形成在场绝缘结构上，并介于阴极电极与阳极电极之间。多晶硅电阻电性连接至阴极电极，并电性绝缘于阳极电极。
高压电阻半导体装置制造方法

[发明专利]发光元件和显示器件-CN201980100565.8在审
发明人：吐田真一 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2019-09-19 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：在发光元件中具有：阳极；阴极；发光层，其设置于所述阳极和所述阴极之间；以及空穴输送层，其设置于所述阳极和所述发光层之间；所述空穴输送层包括以层状形成p型半导体材料的p型半导体层和分散于所述p型半导体层的n型半导体材料。
发光元件显示器件

[发明专利]金属掺杂的低能隙纳米晶半导体光阳极薄膜的制备方法-CN200910088193.X无效
发明人：张敬畅;付承宇;杨秀英;曹维良;李海平 -专利权人：北京化工大学;海南科技职业学院
申请日： 2009-07-13 - 公布日： 2009-12-02 - 主分类号： H01G9/042 文献下载
摘要：本发明属于染料敏化太阳能电池领域，具体提供了一种金属掺杂的低能隙纳米晶半导体光阳极薄膜的制备方法。该方法是制备低能隙金属掺杂的纳米二氧化钛粉体和溶胶前驱体，再将上述粉体及溶胶旋涂到导电玻璃基底上，制备出低能隙掺杂态多孔纳米二氧化钛光阳极薄膜，通过一种两种或多种不同金属实现对半导体二氧化钛能隙大小及其LUMO能级位置的控制，拓宽了光阳极薄膜的吸光普带，是阳极在传输电子的同时，也能吸收太阳光，产生光生电子和空穴，提高太阳光利用率，也提高了光阳极薄膜同染料分子的能级匹配性能，同时提高了二氧化钛阳极材料的
金属掺杂低能纳米半导体阳极薄膜制备方法

[发明专利]一种氮化镓半导体器件及芯片-CN202310346971.0在审
发明人：张辉;付杰;严丹妮;刘成;叶念慈 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓半导体器件及芯片，其中，该氮化镓半导体器件包括：半导体基材、多层半导体层、源极、栅极结构、漏极以及金属阳极；其中，多层半导体层设置在半导体基材上，且半导体层远离半导体基材的表面开设有至少一沟槽结构；源极、栅极结构和漏极彼此间隔的设置在半导体层表面，栅极结构设置在源极和漏极之间；金属阳极设置在栅极结构和漏极之间；沟槽结构设置在栅极结构和漏极之间，且金属阳极设置在至少一沟槽结构靠近栅极结构的一侧，金属阳极通过半导体层分别与源极、漏极接触，以形成反向续流二极管；本申请在氮化镓半导体器件上形成反向续流二极管，能有效提升器件耐压，同时减小器件的泄露电流，提升氮化镓半导体器件性能。
一种氮化半导体器件芯片

[发明专利]一种肖特基二极管及其制作方法-CN201510075753.3在审
发明人：张乃千;赵树峰;陈洪维 -专利权人：苏州捷芯威半导体有限公司
申请日： 2015-02-12 - 公布日： 2015-09-02 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种肖特基二极管及其制造方法，该二极管包括：衬底；位于衬底上的第一半导体层；位于第一半导体层上的第二半导体层，第一半导体层与第二半导体层的交界面处形成有二维电子气；位于第二半导体层上的第一钝化介质层，第一钝化层露出部分第二半导体层；位于露出的部分第二半导体层上或延伸至第一钝化介质层上表面的阴极；从第一钝化介质层延伸至二维电子气所在区域或超过二维电子气所在区域的阳极沟槽；位于阳极沟槽上，并延伸至第二半导体层上表面的低功函数阳极；覆盖低功函数阳极的高功函数阳极，高功函数阳极和低功函数阳极电连接。
一种肖特基二极管及其制作方法

[发明专利]一种染料敏化太阳能电池光阳极涂料及其制备方法-CN202211168838.2在审
发明人：陈鹏;刘静 -专利权人：东莞澳中新材料科技股份有限公司
申请日： 2022-09-24 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01G9/042 文献下载
摘要：本发明提供了一种染料敏化太阳能电池光阳极，包括基底和光阳极活性层，所述光阳极活性层由单体原位光引发聚合形成的三维导电网络，以及分散在所述三维导电网络中的氧化物半导体颗粒组成，在所述三维导电网络中还分布有导电颗粒本发明所述的染料敏化太阳能电池光阳极通过原位聚合得到，无需常规光阳极制备过程中的热处理，利于实现光伏建筑一体化；同时本发明中的光阳极结构可形成三维导电网络，利于载流子传输，阳极在基底上附着性好。
一种染料太阳能电池阳极涂料及其制备方法

[发明专利]一种金属氧化物-绝缘体-半导体结构光阳极的制备方法-CN202011165952.0在审
发明人：龙金林;胡慧杰;韩世同;张洪文;员汝胜;张子重;张璞 -专利权人：福州大学;中国人民解放军军事科学院防化研究院
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： C25B11/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种金属氧化物‑绝缘体‑半导体结构光阳极的制备方法，首先通过水热法制备半导体基体，再通过原子力沉积绝缘层，然后通过表面化学接枝法制备高分散金属氧化物，从而构建金属氧化物‑绝缘体‑半导体MIS结构电极
一种金属氧化物绝缘体半导体结构阳极制备方法

[实用新型]一种氧化镓半导体肖特基二极管-CN201822033721.9有效
发明人：辛倩;杜路路;徐明升;宋爱民 -专利权人：山东大学
申请日： 2018-12-05 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型的氧化镓半导体肖特基二极管，包括半导体层以及设置于半导体层两侧的阳极电极和阴极电极，阳极电极与半导体层为肖特基接触，阴极电极与半导体层为欧姆接触；其特征在于：所述半导体层为Ga₂O₃薄膜，阳极电极为SnO_x薄膜。本实用新型的氧化镓半导体肖特基二极管，半导体层采用宽带隙的Ga₂O₃金属氧化物半导体材料，与半导体层欧姆接触的阳极电极采用锡的氧化物SnO_x
半导体层肖特基二极管阳极电极氧化镓半导体本实用新型欧姆接触阴极电极薄膜金属氧化物半导体材料肖特基势垒二极管肖特基接触理想因子阳极开关比宽带隙氧化物势垒

[发明专利]半导体探测器及半导体探测器制备方法-CN201811165515.1有效
发明人：黎淼;刘涵;曾弘宇;姚童;谢应涛;何丰 -专利权人：重庆邮电大学
申请日： 2018-09-30 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： G01T1/36 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体探测器及半导体探测器制备方法，涉及探测器技术领域。该半导体探测器包括：半导体晶体、阴极和阳极；半导体晶体包括相对设置于半导体晶体两侧的第一面和第二面；阴极设于半导体晶体的第一面；阳极设于半导体晶体的第二面；阳极包括：收集电极和权重栅电极，权重栅电极围绕收集电极布设使用该半导体探测器能够大幅度提升半导体晶体内部载流子的收集效率。
半导体探测器制备方法

[发明专利]半导体熔丝及其制法-CN201610004808.6有效
发明人： J·辛格;A·米塔尔 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2016-01-05 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： H01L23/62 文献下载
摘要：本发明涉及半导体熔丝及其制法，其提出具有外延熔丝连接区的半导体熔丝及其制法。该方法包括：制造包含以熔丝连接区电性连接的阳极区和阴极区的半导体熔丝，该制造包括：在该阳极区和该阴极区之间以外延方式形成该熔丝连接区，其中，该熔丝连接区有助于在该阳极区和该阴极区之间施加编程电流时令该半导体熔丝形成断路该半导体熔丝包括：以熔丝连接区电性连接的阳极区和阴极区，其中，该熔丝连接区包括外延结构且有助于在该阳极区和该阴极区之间施加编程电流时令该半导体熔丝的形成断路，其中，该外延结构与该半导体熔丝的该阳极区和该阴极区至少部分结晶对准
半导体及其制法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200610077175.8无效
发明人：须藤仁介 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2006-04-27 - 公布日： 2006-11-01 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：构造半导体器件100，使其具有：半导体衬底102，其具有在其表面部分中形成的第一电导率型半导体区域104(第一电导率型区域)；肖特基势垒二极管的阳极146(金属电极)，其形成在第一电导率型半导体区域104上；第二电导率型保护环114，其形成在第一电导率型半导体区域104表面部分中沿着阳极146周边；隔离绝缘薄膜108，其形成在沿着第一电导率型半导体区域104表面部分中的保护环114周边并且与其隔开，以将阳极146与其它区域隔离；以及阳极形成掩模110a，其覆盖落在阳极146和隔离绝缘薄膜108之间的部分中的半导体衬底表面并且与阳极146的端部接触。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种肖特基二极管及其制作方法-CN201410663922.0有效
发明人：陈洪维 -专利权人：苏州捷芯威半导体有限公司
申请日： 2014-11-19 - 公布日： 2017-11-03 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种肖特基二极管及其制造方法，该肖特基二极管包括衬底；位于衬底上的第一半导体层；位于第一半导体层上的第二半导体层；在第一半导体层和第二半导体层的交界面处形成有二维电子气；位于第二半导体层上的阴极；位于第二半导体层上的第一钝化介质层；位于第一钝化介质层和第二半导体层之内的阳极沟槽；位于阳极沟槽与阴极之间的第一钝化介质层内的场板沟槽；覆盖阳极沟槽、场板沟槽以及阳极沟槽和场板沟槽之间的第一钝化介质层的阳极
一种肖特基二极管及其制作方法

[实用新型]一种LED芯片-CN201020027107.2无效
发明人：周浩明 -专利权人：中山市盈点光电科技有限公司;中山市多点光电科技有限公司
申请日： 2010-01-20 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种LED芯片，包括金属基板；依次层叠设置在金属基板上的阳极金属电极层、电流扩散层、p型半导体材料层、发光层、n型半导体材料层、以及阴极金属电极层；在电流扩散层与p型半导体材料层之间，阳极金属电极层上方对应的位置上由于在阳极金属电极层上方对应的位置上，形成有电流阻挡层，所以流入电流扩散层的电流不会积聚在阳极金属电极层的上方，利用电流阻挡层减少芯片电极上方的电流积聚，减少电极对光的吸收，使电流均匀地扩散在阳极金属电极层上方以外的发光层上，同时出光面上只有一个电极，从而可以最大程度地增加出光面的面积以及减少阳极金属电极层对光的吸收，提高了芯片的出光率。
一种 led 芯片

[发明专利]半导体光集成元件-CN201780095438.4有效
发明人：松本启资;森田佳道 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2017-10-03 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明涉及的半导体光集成元件具有：导电性基板；激光器，其设置于导电性基板；半绝缘性半导体层，其设置于导电性基板之上；光电二极管，其设置于半绝缘性半导体层之上；以及波导，其设置于导电性基板之上，将激光器的输出光引导至光电二极管，光电二极管的阳极与光电二极管的阴极是从光电二极管的上表面侧引出的，波导与光电二极管通过半绝缘性半导体层隔离。
半导体集成元件

[实用新型]一种纳米管阵列结构的染料敏化太阳能电池光阳极-CN201420815735.5有效
发明人：赵紫辰;赵敬忠 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2014-12-19 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： H01G9/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种纳米管阵列结构的染料敏化太阳能电池光阳极，包括导电基板，导电基板上覆盖有导电膜，导电膜上设置有致密半导体底层，两个或两个以上纳米管垂直插入致密半导体底层中；纳米管彼此平行，且呈阵列分布本实用新型用纳米管代替纳米晶薄膜进行电解质的迁移和电荷的传输：有利于缩短电解质的迁移路径，便于电解液传质；纳米管的管壁为半导体单晶，光生电子在电极中的传输路径短，阻力小；纳米管呈阵列分布，增大了光阳极的有效作用面积
一种纳米阵列结构染料太阳能电池阳极

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