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[发明专利]闪存颗粒容量的计算方法、装置、设备及存储介质-CN202211251715.5有效
发明人：张辉;胡来胜;陈向兵;张如宏 -专利权人：深圳三地一芯电子股份有限公司
申请日： 2022-10-13 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：该计算方法包括：计算各列地址线对应的坏页；按照预设剔除规则对各所述列地址线依次剔除，所述预设剔除规则为基于列地址线中所述坏页的数量进行依次降序循环剔除，通过优先排除当前未剔除的所述列地址线中包含所述坏页最多的所述列地址线；按照预设判定规则判定每次剔除所述列地址线后的好块；根据所述好块以及所述好块包含的好页，计算得到每次剔除相应所述列地址线后的容量值；将最大的所述容量值作为所述闪存颗粒的目标容量值。
闪存颗粒容量计算方法装置设备存储介质

[发明专利]半导体存储器件和用于半导体存储器件的冗余控制方法-CN200480042775.X有效
发明人：杉本智;古山孝昭;长尾光洋 -专利权人：斯班逊有限公司;斯班逊日本有限公司
申请日： 2004-02-20 - 公布日： 2007-07-18 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：块冗余判断部分(13)将用于标识存储块的地址(AddS)与预先存储在待补救块存储部分(11)中的地址信息相比较，并且基于确定地址一致，输出冗余块选择信号BRED。响应于块冗余期间冗余块选择信号(BRED)的激活，存储块列选择部分(15)在不考虑地址信号(AddB)的情况下选择包括冗余存储块的存储块列，并输出存储块列选择信号(Sm，m＝0至3)。列冗余存储部分(17)根据存储块列选择信号(Sm)选择与位于存储块列中的冗余存储块相关的列冗余的地址信息。
半导体存储器件用于冗余控制方法

[发明专利]一种AMOLED显示面板-CN201210220941.7有效
发明人：永井肇;邱勇;黄秀颀;胡思明 -专利权人：昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司
申请日： 2012-06-29 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种AMOLED显示面板，包括：像素矩阵，由像素按照等间隔排列组成；行驱动器，通过行地址线为所述像素矩阵中的所述像素提供行选通信号；列驱动器，通过列地址线为所述像素矩阵中的所述像素提供数据信号；每一行地址线，同时与相邻两行的所述像素的第一晶体管的栅极联通；每一列地址线包括第一列地址线和第二列地址线，所述相邻两行中的其中一个所述像素的所述第一晶体管的一端与所述第一列地址线联通；所述相邻两行中的另一个所述像素的所述的第一晶体管的一端与所述第二列地址线联通
一种 amoled 显示面板

[发明专利]一种应用层状态信息的存取方法、装置和介质-CN202011302313.4有效
发明人：王凯 -专利权人：山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司
申请日： 2020-11-19 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： G06F16/2455 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种应用层状态信息的存取方法、装置和介质，按照逻辑地址与物理地址的映射关系，将获取的应用层标识信息的逻辑地址转换为物理地址。将同一类标识信息的物理地址存储至其对应的第一列表，将同一类标识信息的状态信息存储至其对应的第二列表。同一类标识信息所对应的第一列表和第二列表之间建立有对应关系。获取携带有目标物理地址的状态信息读取指令，若第一列表中存在与目标物理地址匹配的物理地址，从与目标物理地址对应的第二列表中读取目标物理地址对应的状态信息。物理地址是标识信息的低位寻址地址，通过将物理地址和状态信息分表存储，在查询状态信息时只需依据物理地址进行匹配即可，提升了状态信息的查询效率。
一种应用状态信息存取方法装置介质

[发明专利]使用熔丝的可调整列地址加扰-CN202210291615.9在审
发明人： J·S·雷赫迈耶;C·G·维杜威特;G·B·雷德;S·艾克迈尔;D·甘斯 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-11-19 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： G11C29/18 文献下载
摘要：本标的物涉及使用熔丝的可调整列地址加扰。测试装置可检测存储器阵列的第一列平面中的第一错误及所述存储器阵列的第二列平面中的第二错误。所述测试装置可基于检测到所述第一错误及所述第二错误来识别与所述第一错误相关联的所述第一列平面的第一列地址及所述第二列平面的第二列地址。所述测试装置可对于所述第一列平面确定用于将所述第一列平面的列地址加扰到所述第一列平面的不同列地址的配置。在一些情况下，所述测试装置可执行与所述第一列平面相关联的熔丝的熔丝熔断以实施所述经确定配置。
使用可调整地址

[发明专利]使用熔丝的可调整列地址加扰-CN202011301401.2有效
发明人： J·S·雷赫迈耶;C·G·维杜威特;G·B·雷德;S·艾克迈尔;D·甘斯 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-11-19 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： G11C29/18 文献下载
摘要：本标的物涉及使用熔丝的可调整列地址加扰。测试装置可检测存储器阵列的第一列平面中的第一错误及所述存储器阵列的第二列平面中的第二错误。所述测试装置可基于检测到所述第一错误及所述第二错误来识别与所述第一错误相关联的所述第一列平面的第一列地址及所述第二列平面的第二列地址。所述测试装置可对于所述第一列平面确定用于将所述第一列平面的列地址加扰到所述第一列平面的不同列地址的配置。在一些情况下，所述测试装置可执行与所述第一列平面相关联的熔丝的熔丝熔断以实施所述经确定配置。
使用可调整地址

[发明专利]存储器装置、存储器模块和存储器装置的操作方法-CN202310012218.8在审
发明人：姜信行;孙教民 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-01-05 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G11C8/14 文献下载
摘要：控制逻辑接收多个列地址位和多个读命令。控制逻辑包括存储器中处理(PIM)地址生成器。在第一操作模式下，控制逻辑将多个列地址位发送至存储体。在第二操作模式下，当PIM地址生成器接收多个读命令中的第一读命令时，控制逻辑将基于多个列地址位中的除了一些列地址位之外的其余列地址位生成的第一PIM地址发送至存储体。
存储器装置模块操作方法

[发明专利]存取存储器芯片的方法-CN200810080477.X有效
发明人：叶志晖 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2008-02-19 - 公布日： 2009-08-26 - 主分类号： G11C11/408 文献下载
摘要：本发明提供一种存取一存储器芯片的方法，其包含有：于该存储器芯片设置多个第一输入接脚与多个第二输入接脚；将多个列地址讯号分别输入该多个第一输入接脚，其中每一个列地址讯号的一列地址命令分组的长度为一频率讯号的多个频率周期，且该列地址命令分组包含有多个列输入命令；以及将多个行地址讯号分别输入至该多个第二输入接脚，其中每一个行地址讯号的一行地址命令分组的长度为该频率讯号的多个频率周期，且该行地址命令分组包含有多个行输入命令
存取存储器芯片方法

[发明专利]消除存储器件中故障的冗余电路-CN91101028.9无效
发明人：詹姆斯·Ｄ·加利;吉姆·奇尔德斯 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 1991-02-13 - 公布日： 1998-08-26 - 主分类号： G06F11/00 文献下载
摘要：该器件包括选择行存储单元的行地址电路，选择列存储单元的列地址电路和地址修复电路。地址修复电路可以使第一列单元的第一部分响应于第二列单元的一部分的地址。本发明提供了一种通过对第二列单元的一部分进行编程，使其响应于第一列中一部分单元的地址消除存储器件中故障的方法。
消除存储器件故障冗余电路

[发明专利]使用散列来减小前向映射表的大小-CN202010922753.3在审
发明人： K·C·康克林;R·J·戈斯;R·A·韦尔奇 -专利权人：希捷科技有限公司
申请日： 2020-09-04 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本申请公开了使用散列来减小前向映射表的大小。本文描述了用于使用散列来减小SSD或其他存储装置中的前向映射表的大小的技术。确定用于存储与逻辑块地址相关联的数据的存储介质内的存储位置的物理地址。将所述数据写入所述存储位置，并且使用散列函数根据所述物理地址的表示计算出散列值，其中所述散列值的大小小于所述物理地址的所述表示，并且所述散列值指向所述存储介质中的多个单独的存储位置。所述散列值存储在关联于与所述物理地址的所述表示相对的逻辑块地址的所述前向映射表中。
使用散列来减小映射大小

[发明专利]数据处理装置-CN200710162418.2无效
发明人：樋口浩太朗;宫地信哉 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2007-09-29 - 公布日： 2008-06-04 - 主分类号： G06F9/312 文献下载
摘要：在具有存放多个命令列的主存储装置和执行主存储装置传输的命令列的处理器的数据处理装置中，处理器具备：命令RAM，该命令RAM存放被主存储装置传输的命令列；配置地址设定部，该配置地址设定部设定命令RAM的存储器空间上的配置地址；命令取出控制部，该命令取出控制部根据配置地址设定部设定的配置地址，判定命令取出存取的存取对象空间，按照判定结果，对于主存储装置及命令RAM中的某一个进行存取。上述配置地址设定部，设定配置地址，以便使被命令RAM存放的命令列的存储器空间上的配置地址，不与其它的命令列的命令RAM上的配置地址重复。
数据处理装置

[发明专利]有源矩阵显示装置-CN200580004930.3无效
发明人： M·J·爱德华兹 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2005-02-07 - 公布日： 2007-02-21 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：一种有源矩阵显示装置，例如AMLCD，具有连接到像素(12)的行和列阵列的行和列地址导线组(18，19)，以及用于分别供给选择信号和数据信号到该组行地址导线和该组列地址导线的驱动装置(21，23，25)，该有源矩阵显示装置使用多个连续电荷再分布数字到模拟转换装置(30)，将供给到列地址导线(19)的多位数字数据信号转换成被像素使用的模拟电压值。每个转换装置使用两列地址导线的电容，可以通过转换开关(31)的操作而共享所述两列地址导线之间的电荷。布置驱动装置以交替地供给数据信号到每个转换装置的两列地址导线。优选地，数据信号所供给的列地址导线在由转换装置执行的一个或多个完整的多位转换之后改变。使用单个开关结构完成所需的改变。
有源矩阵显示装置

[发明专利]一种基于内存内计算的高低位合并电路结构-CN201910343992.0有效
发明人：蔺智挺;谢军;彭春雨;吴秀龙;黎轩;陈崇貌;欧阳春;黎力;阮兵芹;方雅祺 -专利权人：安徽大学
申请日： 2019-04-26 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： G11C11/418 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于内存内计算的高低位合并电路结构，包括整体时序控制模块、行地址译码模块、列地址译码模块、SRAM存储阵列、字线驱动模块和输出模块，整体时序控制模块分别与行地址译码模块、列地址译码模块、字线驱动模块和输出模块连接；行地址译码模块与字线驱动模块相连；字线驱动模块与SRAM存储阵列相连，且SRAM存储阵列又与列地址译码模块以及输出模块相连；SRAM存储阵列由若干Block模块组成，Block模块由N行2列的SRAM单元和高低位合并的结构组成，且每列SRAM单元的位线分别与列地址译码模块以及输出模块相连。
一种基于内存计算低位合并电路结构

[发明专利]存储器测试方法-CN201810047663.7有效
发明人：林立伟;蔡宗寰;郑如杰 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2018-01-18 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： G11C29/42 文献下载
摘要：存储器电路包括第一区块以及第二区块，第一区块以及第二区块具有列地址以及栏地址。存储器测试方法包括：根据选取逻辑，选取列地址之一作为测试列；根据选取逻辑，选取多个栏地址之一作为测试栏；根据抽样程序，选取测试列的抽样栏地址；根据抽样程序，选取测试栏的抽样列地址；对第一区块的测试列的抽样栏地址进行读取操作；对第一区块的测试栏的抽样列地址进行读取操作；判断第一区块的读取失败率是否超过既定比例；以及当读取失败率超过既定比例时，标记第一区块具有一输入/输出错误。
存储器测试方法

[发明专利]半导体存储装置、其不良列救济方法及冗余信息设定方法-CN201610527692.4有效
发明人：矢野胜 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2016-07-06 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体存储装置、其不良列救济方法及冗余信息设定方法，其谋求利用冗余存储器的不良列救济效率的提高。本发明的救济方法包括下列步骤：存储冗余信息，所述冗余信息包含将存储器区域的偶数列与奇数列设为一组的不良列的地址、识别不良列的不良位于偶数列或奇数列的哪一列的识别信息、及用来救济不良列的冗余存储器区域的冗余列的地址；基于冗余信息而判定列地址是否与不良列的地址一致；在一致的情况下基于识别信息而将不良列的一列转换为冗余列的一列；以及不将不良列的另一列转换为冗余列的另一列，而将不良列邻接的另一列转换为冗余列的另一列。
半导体存储装置不良救济方法冗余信息设定