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- [发明专利]半导体存储器器件-CN200610007300.8有效
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原浩太;菊竹阳
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富士通株式会社
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2006-02-16
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2007-04-25
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G11C11/401
- 本发明公开了一种具有突发读操作功能的半导体存储器器件,包括内部地址生成电路、存储器核心和存储器核心控制电路,其中在突发读操作中,内部地址生成电路将外部地址设置为初始值,从而顺序产生内部地址。存储器核心具有多个存储单元并且响应于列选择信号的激活在突发读操作中顺序输出数据,所述数据是从对应于内部地址的存储单元读取的。在突发读操作中,存储器核心控制电路中的列控制电路在外部控制信号的激活时段期间在某个时间段内重复激活列选择信号,并且与外部控制信号的去活同步地强制去活列选择信号。
- 半导体存储器器件
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