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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]凸块底缓冲金属结构-CN02123300.4有效
发明人：宫振越;何昆耀 -专利权人：威盛电子股份有限公司
申请日： 2002-06-17 - 公布日： 2003-01-22 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：一种凸块底缓冲金属结构，适用于配置在芯片或基板的焊垫与焊料凸块之间，其中焊料凸块的主要成分为锡铅合金，此凸块底缓冲金属结构至少具有一金属层及一缓冲金属结构，此缓冲金属结构能够减轻或减缓金属层与焊料凸块结合时产生介金属化合物的电气其中，金属层配置于芯片的焊垫上，其组成成分例如为铜、铝、镍、银或金等可与锡发生化学反应的金属，而缓冲金属结构则配置于金属层及焊料凸块之间，用以减少金属层及焊料凸块之间生成介金属化合物的可能性。
凸块底缓冲金属结构

[实用新型]凸块底缓冲金属结构-CN02238724.2无效
发明人：宫振越;何昆耀 -专利权人：盛威电子股份有限公司
申请日： 2002-06-17 - 公布日： 2003-05-14 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：一种凸块底缓冲金属结构，适用于配置在芯片或基板的焊垫与焊料凸块之间，其中焊料凸块的主要成分为锡铅合金，此凸块底缓冲金属结构至少具有一金属层及一缓冲金属结构，此缓冲金属结构能够减轻或减缓金属层与焊料凸块结合时产生介金属化合物的电气其中，金属层配置于芯片的焊垫上，其组成成分例如为铜、铝、镍、银或金等可与锡发生化学反应的金属，而缓冲金属结构则配置于金属层及焊料凸块之间，用以减少金属层及焊料凸块之间生成介金属化合物的可能性。
凸块底缓冲金属结构

[发明专利]凸块底金属层的制造方法-CN200910203559.3无效
发明人：陈家慧;蔡佳蓉;魏志男;郑智元;许雅雯;周若愚 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2009-05-20 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开一种凸块底金属层的制造方法。首先，形成一粘着层于晶圆的绝缘层与芯片垫上。接着，形成一第一光刻胶层于粘着层上。进行一图案化制造过程，以使第一光刻胶层通过局部移除而形成至少一第一开口。
凸块底金属制造方法

[实用新型]一种减小凸块底切的结构-CN202020224706.7有效
发明人：时庆楠 -专利权人：江苏汇成光电有限公司
申请日： 2020-02-28 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本实用新型公开了半导体集成电路领域内的一种减小凸块底切的结构及其制造方法，结构包括基板，所述基板上设置有至少一个铝垫，基板表面还设置有覆盖各铝垫的保护层，保护层上对应每个铝垫均设有一个开口，所述铝垫通过对应开口暴露出部分表面，与所述开口相对应的铝垫上方以及开口周围的保护层上方均覆盖设置有阻障层，所述阻障层上方设置有种子层，种子层上方设置有凸块，所述保护层表面位于每个所述阻障层的周围均对应设置有侧挡隆起，侧挡隆起围绕在对应阻障层周围设置，所述侧挡隆起顶部所在平面位于凸块边缘的下方。本实用新型能够减小或消除凸块下方形成的底切结构，避免芯片受应力作用导致凸块脱落，提高芯片凸块结构的可靠性。
一种减小凸块底切结构

[实用新型]一种缩小凸块底切的结构-CN202020224822.9有效
发明人：时庆楠 -专利权人：江苏汇成光电有限公司
申请日： 2020-02-28 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本实用新型公开了半导体集成电路领域内的一种缩小凸块底切的结构，包括基板，所述基板上设置有至少一个铝垫，基板表面还设置有覆盖各铝垫的保护层，保护层上对应每个铝垫均设有一个开口，每个所述开口周围的保护层上围绕开设有下沉凹槽，与所述开口相对应的铝垫上方、开口周围的保护层上方以及下沉凹槽底部均覆盖设置有阻障层，所述阻障层上方设置有种子层，种子层上方设置有凸块，下沉凹槽的外侧槽壁与凸块外侧面上下对应设置，下沉凹槽的内侧槽壁位于凸块下方本实用新型能够缩小凸块下方形成的底切结构，使得凸块结构更加牢固，提高芯片凸块结构的可靠性。
一种缩小凸块底切结构

[发明专利]凸块形成装置、凸块形成方法以及凸块形成程序-CN202180075021.8在审
发明人：田中清贵 -专利权人：株式会社新川
申请日： 2021-06-22 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：凸块形成装置(1)包括接合工具(15)及接合控制部(10)，接合控制部构成为执行压接工序(S14)、放出工序(S15)、按压工序(S16)以及切断工序(S17)，基于与引线(w)相关的第一参数以及与接合工具
形成装置方法以及程序

[实用新型]凸底锅-CN202020186793.1有效
发明人：马翠忠 -专利权人：马翠忠
申请日： 2020-02-20 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： A47J37/12 文献下载
摘要：本实用新型属于食品加工设备领域，具体涉及一种凸底锅。所述凸底锅有圆形和方形两种结构，锅底向上凸起，凸起高度约占总高度的一半，凸起部分表面圆滑，以方便食物碎渣滑落到离热源相对较远的四周（或两侧），远离热源的中心，即可避免被烤糊，进而避免有害物质的产生。
凸底锅

[外观设计]饭盒（凸底）-CN201930334315.3有效
发明人：许劲升 -专利权人：许劲升
申请日： 2019-06-26 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： 07-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：饭盒（凸底）。;2.本外观设计产品的用途：用于盛装、携带食物的饭盒。;3.本外观设计产品的设计要点：在于产品的整体外形。;4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
饭盒（凸底）

[外观设计]瓶(凸底)-CN93306228.1无效
发明人：王炎喜;米云超;冯宝华;陈水龙 -专利权人：郑州玻璃厂
申请日： 1993-10-13 - 公布日： 1994-11-09 - 主分类号： 09-01 文献下载
摘要：
凸底

[发明专利]凸块结构和凸块结构制造方法-CN201910825779.3在审
发明人：李灿浩;李仁荣;裵镇国;郑显秀 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-09-03 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：公开了凸块结构和凸块结构制造方法。可以提供包括焊盘和位于所述焊盘的顶表面上的凸块的凸块结构。所述凸块可以包括上凸块部分和下凸块部分，所述下凸块部分可以包括与所述焊盘的顶表面接触的基座部分和从所述基座部分向上延伸的柱状部分。
结构制造方法

[发明专利]凸块封装结构及凸块封装方法-CN201210041079.3有效
发明人：王之奇;王宥军;俞国庆;王琦;喻琼;王蔚 -专利权人：苏州晶方半导体科技股份有限公司
申请日： 2012-02-22 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L21/603 文献下载
摘要：一种凸块封装结构及凸块封装方法，其中，凸块封装方法包括：提供待封装衬底，所述待封装衬底表面具有焊垫，焊垫表面具有凸块；在所述待封装衬底表面形成覆盖所述凸块的异向导电胶层；提供PCB板，所述PCB板具有突出PCB板表面的电极，所述电极位置与凸块位置对应；将PCB板与待封装衬底压合，使得所述电极与所述凸块位置正对并且PCB板表面与异向导电胶层表面接触，其中，位于所述凸块与所述电极间的异向导电胶层受到垂直所述封装衬底表面的压力本发明实施例的凸块封装方法工艺简便，本发明实施例的凸块封装结构封装质量高。
封装结构方法

[发明专利]凸块形成方法及焊接凸块-CN200580029094.4有效
发明人：辛岛靖治;山下嘉久;留河悟;北江孝史;中谷诚一 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2005-08-30 - 公布日： 2007-08-01 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种可以均一性良好地形成多个微细凸块并且生产性高的凸块形成方法。其后，如果将平板(14)从树脂(13)的表面分离，除去树脂(13)，则可以获得在多个电极上形成了凸块(16)的基板(10)。
形成方法焊接

[发明专利]凸块工艺-CN201110423999.7有效
发明人：郭志明;戴华安;林政帆;邱奕钏;谢永伟 -专利权人：颀邦科技股份有限公司
申请日： 2011-12-13 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明是有关于一种凸块工艺，其包含提供一硅基板；形成一含钛金属层在该硅基板，且该含钛金属层是具有多个第一区及多个第二区；形成一光阻层在该含钛金属层；图案化该光阻层以形成多个开槽，所述开槽是对应该含钛金属层的所述第一区；形成多个铜凸块在所述开槽；进行一加热步骤；形成多个凸块隔离层在所述铜凸块；形成多个接合层在所述凸块隔离层；移除该光阻层；以及移除该含钛金属层的所述第二区，并使各该第一区形成为一凸块下金属层。
工艺

[发明专利]凸块制程-CN200810095842.4有效
发明人：余瑞益;戴丰成 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2008-04-30 - 公布日： 2008-09-17 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种凸块制程，是提供一晶片，该晶片具有一主动表面且该主动表面上具有至少一接垫，再覆盖一保护层于晶片的主动表面上，并裸露出接垫，接着形成一凸块下金属层于接垫上，再配置一胶膜于保护层上，并覆盖凸块下金属层接着对胶膜进行选择性的曝光，使得位于凸块下金属层上方的胶膜受到曝光，并移除胶膜的曝光部分，使得凸块下金属层裸露。分布一锡膏于凸块下金属层上，并移除晶片上剩余的胶膜，再借助回焊制程使锡膏形成一金属凸块。
凸块制程

[发明专利]凸块制程-CN200610064835.9有效
发明人：王俊恒 -专利权人：南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司
申请日： 2006-03-14 - 公布日： 2007-09-19 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种凸块制程包括下列步骤。首先提供一具有多个接点的本体。然后形成具有多个第一开口的一保护层于本体上，其中这些第一开口暴露出本体的多个接点。接着于保护层与这些接点上形成一球底金属层。之后形成具有多个第二开口的一图案化光阻层于球底金属层上，其中这些第二开口分别位于这些第一开口的上方。然后对应这些接点而形成多个凸块于第二开口内，其中这些凸块的远离保护层的表面低于图案化光阻层远离保护层的表面。接着对这些凸块进行蚀刻，以平坦化这些凸块的表面。然后移除图案化光阻层以及移除球底金属层的不为这些凸块所覆盖的部份。
凸块制程

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