专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种作物茎穗冲击力学特性测试试验台-CN202121491792.9有效
  • 张燕青;崔清亮;李红波 - 山西农业大学
  • 2021-07-02 - 2021-12-31 - G01N3/02
  • 一种作物茎穗冲击力学特性测试试验台,由杆齿式冲击装置、茎穗喂入装置、测控系统、防护罩和底座组成。杆齿式冲击装置可进行不同型号杆齿和不同转速对茎穗冲击力学特性的影响试验。茎穗喂入装置可实现不同茎穗喂入速度的茎穗冲击力学特性试验。测控系统可实时采集茎穗冲击载荷、试验台扭矩和转速。本发明结构简单紧凑,可对作物茎穗进行精准的高速冲击力学特性测试试验以获取茎秆、穗部、茎‑穗连接等部位的冲击力学特性指标参数,解决现有冲击力学试验装置冲击速度较慢,无法精准测试茎穗各部位力学特性参数的问题
  • 一种作物冲击力学特性测试试验台
  • [发明专利]一种材料旋转冲击响应特性测试系统-CN201510107433.1有效
  • 谭卓英;刘文静 - 北京科技大学
  • 2015-03-12 - 2018-03-27 - G01N3/30
  • 本发明涉及一种材料旋转冲击响应特性测试系统,该系统包括(i)旋转与冲击单元、(ii)数据采集单元及(iii)数据分析单元,本发明可以用于测试旋转‑冲击以及单冲击脉冲荷载作用下的材料特性,例如冲击钻进、旋转‑冲击钻进以及旋转钻进中的冲击效应以及其他旋转‑冲击荷载,通过测试输入杆中的应力波特征,可以揭示材料的结构及强度特性。反过来,也可用于研究冲击弹头的结构形状与材料特性,以获得好的入射波形和破坏效果。
  • 一种材料旋转冲击响应特性测试系统
  • [实用新型]基于实测的冲击负荷建模系统-CN200820122866.X无效
  • 贺仁睦;丁永福;魏孝铭;范越;王吉利;史可琴;平宁;万筱钟;董志平;杨文宇;周成 - 华北电力大学;西北电网有限公司
  • 2008-10-09 - 2009-07-29 - H02J3/00
  • 本实用新型公开了现代电力系统的冲击特性负荷建模的测量和辨识技术领域中的一种基于实测的冲击负荷建模系统。所述系统包括:微机型冲击负荷动态特性记录仪、冲击负荷建模平台、远方管理系统、冲击负荷调研信息平台、后台分析软件系统和电力系统仿真软件的接口六部分;微机型冲击负荷动态特性记录仪、冲击负荷建模平台、冲击负荷调研信息平台顺序连接;远方管理系统通过电力专网或者拨号网络与微机型冲击负荷动态特性记录仪连接;后台分析软件系统与冲击符合建模平台相连;并通过电力系统仿真软件的接口实现模型仿真。基于实测的冲击负荷建模系统,通过对负荷变电站的冲击负荷数据采集和分析,可以得到电力系统的冲击负荷动态特性模型。
  • 基于实测冲击负荷建模系统
  • [实用新型]接地装置工频和冲击特性参数的测量装置-CN201520688799.8有效
  • 陈爱文 - 陈爱文
  • 2015-09-08 - 2016-02-17 - G01R31/00
  • 本实用新型属于电学测量技术领域,公布了一种测量接地装置特性参数的装置。本实用新型的测量装置包括微控制器模块、RAM、显示装置、输入装置、数据采集模块、电流输出端子、电压输入端子,还包括变频电源、冲击电源、电流传感器、正弦电流信号调理模块、正弦电压信号调理模块、冲击电流信号调理模块、冲击电压信号调理模块。变频电源产生测量工频特性参数所需的正弦电流,冲击电源产生测量冲击特性参数所需的冲击电流。本实用新型的测量装置不仅可以测量接地装置的工频特性参数,还可以测量接地装置的冲击特性参数。
  • 接地装置冲击特性参数测量装置
  • [发明专利]GaN基HEMT器件的热可靠性评价方法-CN201610622182.5有效
  • 郭伟玲;陈艳芳;孙捷;李松宇 - 北京工业大学
  • 2016-08-01 - 2019-05-03 - G01R31/26
  • GaN基HEMT器件的热可靠性评价方法,本方法通过采集所述待测GaN基HEMT器件在不同高低温冷热冲击次数下的转移特性曲线、栅泄漏电流特性曲线和热阻值。根据不同冷热冲击次数下的转移特性曲线获得所述待测GaN基HEMT器件在某一工作条件下的跨导随着冷热冲击次数增加的变化关系。根据不同冷热冲击次数下的栅泄漏特性曲线获得所述待测GaN基HEMT器件的某一栅极反向电压下的栅泄漏电流随着冷热冲击次数增加的变化关系。根据所述待测GaN基HEMT器件在不同冷热冲击次数下的热阻值,获得待测GaN基HEMT器件的热阻值随着冷热冲击次数增加的变化关系,从而获得所述待测GaN基HEMT器件的热特性变化关系,利于发现其设计与工艺问题
  • ganhemt器件可靠性评价方法

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