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[发明专利]光致抗蚀剂涂布液供给装置以及使用该光致抗蚀剂涂布液供给装置的光致抗蚀剂涂布液供给方法和光致抗蚀剂涂布装置-CN200580040035.7有效
发明人：谷口克人;小岛一弘;能谷敦子 -专利权人： AZ电子材料（日本）株式会社
申请日： 2005-11-25 - 公布日： 2007-10-24 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种光致抗蚀剂涂布液供给装置和一种涂布液供给方法，以将含有很少颗粒的光致抗蚀剂涂布液供给至光致抗蚀剂涂布装置。还提供了一种光致抗蚀剂涂布装置，其通过使用该光致抗蚀剂涂布液供给装置，可以实现具有很少缺陷和优异成本特性的涂布。该光致抗蚀剂涂布液供给装置具有用于光致抗蚀剂涂布液的缓冲容器；循环过滤装置，用于从缓冲容器中取出部分光致抗蚀剂涂布液，将其过滤并返回至缓冲容器；和用于将涂布液从缓冲容器或循环装置供给至涂布装置的管。还提供使用所述光致抗蚀剂涂布液供给装置的光致抗蚀剂涂布液供给方法，以及将涂布液供给装置与狭缝涂布装置组合使用的光致抗蚀剂涂布装置。
光致抗蚀剂涂布液供给装置以及使用方法光致抗蚀剂涂布

[发明专利]晶片处理方法-CN202111387024.3在审
发明人：罗诺纬 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-11-22 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明公开一种晶片处理方法，包含提供晶片，晶片具有第一位置及第二位置，第一位置以参考方向朝向第二位置；涂布光致抗蚀剂液于晶片上；进行加热制作工艺，加热涂布有光致抗蚀剂液的晶片，以在晶片上形成光致抗蚀剂层；其中，进行加热制作工艺时，晶片的温度沿参考方向渐增，使光致抗蚀剂层的厚度沿参考方向渐减。
晶片处理方法

[发明专利]缩短光致抗蚀剂涂布流程的方法-CN200710136679.7无效
发明人：陈俊秀;钟兆营;陈儒德;吴昭宪 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2007-07-18 - 公布日： 2009-01-21 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：一种缩短多个晶片的光致抗蚀剂涂布流程的方法。以第一光致抗蚀剂对第一晶片进行第一涂布工艺，以第二光致抗蚀剂对第二晶片进行第二涂布工艺，此方法包括于第一涂布工艺后段未使用喷嘴的期间，同时执行第二光致抗蚀剂的预喷操作。
缩短光致抗蚀剂涂布流程方法

[发明专利]进行光刻工艺的方法-CN201811010598.7在审
发明人：葛宗翰;郑雅如;张庆裕;林进祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：此方法包括形成光致抗蚀剂层于基板之上，并且通过进行曝光工艺曝光光致抗蚀剂层的一部分，以形成曝光区域及未曝光区域。此方法包括在光致抗蚀剂层上进行一烘烤工艺，而形成多个孔洞于光致抗蚀剂层的曝光区域中。此方法亦包括移除光致抗蚀剂层的未曝光区域，以形成凹口于光致抗蚀剂层中，并且填充后处理涂布材料于凹口及孔洞中。此方法还包括通过进行第二显影工艺移除后处理涂布材料的一部分，且后处理涂布材料的其他部分残留于光致抗蚀剂层的曝光区域的表面上，以形成经过图案化的光致抗蚀剂层。
光致抗蚀剂层后处理曝光区域涂布材料孔洞未曝光区域光刻工艺凹口移除抗蚀剂层曝光工艺显影工艺曝光光图案化烘烤基板填充残留

[发明专利]半导体装置的制作方法-CN201611187173.4有效
发明人：赖韦翰;张庆裕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-20 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： G03F1/56 文献下载
摘要：一种半导体装置的制作方法，包括：形成光致抗蚀剂图案于可图案化层上。光致抗蚀剂层包含负型光致抗蚀剂材料。对光致抗蚀剂层进行曝光工艺。对光致抗蚀剂层进行曝光后烘烤工艺。冲洗光致抗蚀剂层以显影光致抗蚀剂图案。施加底漆材料至光致抗蚀剂图案。底漆材料为设置用于使光致抗蚀剂图案轮廓平直化，增加光致抗蚀剂材料的去保护酸敏基团单元数目、或与光致抗蚀剂材料的去保护酸敏基团单元键结。在施加底漆材料后，涂布收缩材料于光致抗蚀剂图案上、烘烤收缩材料、以及移除部分的收缩材料以增大光致抗蚀剂图案。以增大的光致抗蚀剂图案作为掩模，图案化可图案化层。
半导体装置制作方法

[发明专利]光刻图案化的方法-CN201711183989.4有效
发明人：张莉琳;张庆裕;林进祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-11-23 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：方法包括涂布光致抗蚀剂层于基板上，其中光致抗蚀剂层包括第一聚合物、第一光产酸剂、以及化学添加剂混合于溶剂中；对光致抗蚀剂层进行曝光工艺；以及对光致抗蚀剂层进行显影工艺，以形成图案化光致抗蚀剂层。化学添加剂在光致抗蚀剂层中的分布不一致。
光刻图案方法

[发明专利]图案修整方法-CN201710106431.X有效
发明人： K·罗威尔;刘骢;徐成柏;I·考尔;朴钟根 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限责任公司
申请日： 2017-02-27 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：修整光致抗蚀剂图案的方法包含：(a)提供半导体衬底；(b)在所述半导体衬底上形成光致抗蚀剂图案，其中所述光致抗蚀剂图案由包含以下的光致抗蚀剂组合物形成：包含酸不稳定基团的第一聚合物；和光酸产生剂；(c)在所述光致抗蚀剂图案上涂布图案修整组合物，其中所述图案修整组合物包含第二聚合物和溶剂系统，其中所述溶剂系统包含以所述溶剂系统计组合量为50重量％或更多的一种或多种单醚溶剂；(d)将所述经涂布半导体衬底加热，由此引起所述光致抗蚀剂图案的表面区域在待施加的冲洗剂中的溶解度变化；以及(e)使所述光致抗蚀剂图案与冲洗剂接触以去除所述光致抗蚀剂图案的所述表面区域，进而形成经修整光致抗蚀剂图案。
图案修整方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201780034315.X有效
发明人：儿玉奈绪子 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2017-11-08 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：在以预定的转速旋转的半导体晶片(10)的表面(10a)涂布光致抗蚀剂而形成预定厚度(t1)的光致抗蚀剂膜(31)并使其干燥。然后，在维持光致抗蚀剂膜(31)的预定厚度(t1)的状态下，通过一边以涂布光致抗蚀剂时的预定转速以下的转速使半导体晶片(10)旋转一边滴下药液(44)，并用药液(44)将光致抗蚀剂膜(31)的端部溶解而除去接着，通过曝光、显影而使光致抗蚀剂膜(31)呈预定图案。显影后，不进行UV固化或者烘烤，而是将光致抗蚀剂膜(31)作为掩模，从半导体晶片(10)的表面(10a)开始进行射程为8μm以上的氦照射(32)。据此，将光致抗蚀剂膜(31)作为掩模而使用，从而可以在预定区域以较佳的位置精度注入预定的杂质，并且能够降低成本。
半导体装置制造方法

[发明专利]图案形成方法和光致抗蚀剂图案外涂层组合物-CN201810396587.0有效
发明人：侯希森;刘聪;I·考尔 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限责任公司
申请日： 2018-04-27 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：一种图案形成方法，包含：(a)提供半导体衬底；(b)在所述半导体衬底上形成光致抗蚀剂图案，其中所述光致抗蚀剂图案由光致抗蚀剂组合物形成，所述光致抗蚀剂组合物包含：包含酸不稳定基团的第一聚合物；和光酸产生剂；(c)在所述光致抗蚀剂图案上涂布图案外涂层组合物，其中所述图案外涂层组合物包含第二聚合物和有机溶剂，其中所述有机溶剂包含一种或多种酯溶剂，其中所述酯溶剂具有式R12，其中R1是C3‑C6烷基并且R2是C5‑C10烷基；(d)烘烤经涂布的所述光致抗蚀剂图案；和(e)用冲洗剂冲洗所述经涂布的光致抗蚀剂图案以去除所述第二聚合物。
图案形成方法光致抗蚀剂涂层组合

[发明专利]制造一半导体元件的方法及其系统-CN201710660773.6有效
发明人：訾安仁;郑雅如;张庆裕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-08-04 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一光致抗蚀剂层涂布在一晶片上，该光致抗蚀剂层包含一含金属材料。对该光致抗蚀剂层进行极紫外线(extreme ultraviolet，EUV)光刻工艺，以形成一图案化光致抗蚀剂。以一洗净液洗净该晶片，以移除该含金属材料。该洗净液包含一溶剂，该溶剂的汉森溶解度参数(Hansen solubility parameters)delta D在13至25之间、delta P在3至25之间、及delta H在4至30之间。
制造一半导体元件方法及其系统

[发明专利]抗蚀剂涂布方法和抗蚀剂涂布装置、以及使用该抗蚀剂涂布方法的光掩模底版和光掩模的制造方法-CN201110076398.3无效
发明人：松本浩治 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2011-03-28 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明提供能够更为迅速、均匀地对利用具有毛细管状间隙的喷嘴涂布了抗蚀液的被涂布面进行干燥的抗蚀剂涂布方法和抗蚀剂涂布装置、以及使用该抗蚀剂涂布方法的光掩模底版和光掩模的制造方法。本发明的抗蚀剂涂布方法是向被涂布面10a朝向下方的状态的基板10涂布抗蚀液的方法，在该方法中，将积存在液槽中的抗蚀液利用喷嘴24的毛细管现象引导至被涂布面与被涂布面10a进行接液、使喷嘴24与基板10在水平方向相对移动，从而将抗蚀液110涂布至被涂布面10a；对于被涂布面10a供给在一定方向上相对流速大致恒定并与被涂布面10a平行的气流，使气流与经涂布的抗蚀液110相接触，从而对经涂布的抗蚀液110进行干燥。
抗蚀剂涂布方法装置以及使用光掩模底版制造

[发明专利]用于制造半导体器件的方法-CN202110019174.2在审
发明人：渡边整;平崎贵英 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2021-01-07 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：该用于制造半导体器件的方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成第一光致抗蚀剂膜，并且在第一光致抗蚀剂膜上形成与第一光致抗蚀剂膜比具有更高的酸度的第二光致抗蚀剂膜；通过使第一光致抗蚀剂膜和第二光致抗蚀剂膜图案化来形成用于暴露半导体衬底的表面的开口；对第二光致抗蚀剂膜的上表面和开口的内部涂布收缩材料，并且通过对第一光致抗蚀剂膜、第二光致抗蚀剂膜和收缩材料进行热处理来在开口的内部使收缩材料和第二光致抗蚀剂膜起反应；以及去除第二光致抗蚀剂膜的上表面和开口的内部的未与第二光致抗蚀剂膜起反应的未反应的收缩材料
用于制造半导体器件方法

[发明专利]用于制备光致抗蚀剂图案的方法-CN201010623056.4无效
发明人：畑光宏;夏政焕 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2010-12-31 - 公布日： 2011-07-13 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种用于制备光致抗蚀剂图案的方法，该方法包括以下步骤(A)至(D)：(A)在基底上涂覆第一光致抗蚀剂组合物以形成第一光致抗蚀剂膜，将第一光致抗蚀剂膜曝光于辐射，然后用碱性显影液将曝光的第一光致抗蚀剂膜显影，从而形成第一光致抗蚀剂图案；(B)使第一光致抗蚀剂图案对以下步骤(C)中的辐射惰性，使第一光致抗蚀剂图案不溶于碱性显影液或者使第一光致抗蚀剂图案不溶于在以下步骤(C)中使用的第二光致抗蚀剂组合物；(C)在步骤(B)中获得的第一光致抗蚀剂图案上，涂覆第二光致抗蚀剂组合物以形成第二光致抗蚀剂膜，将第二光致抗蚀剂膜曝光于辐射的步骤，和(D)用碱性显影液将曝光的第二光致抗蚀剂膜显影，从而形成第二光致抗蚀剂图案
用于制备光致抗蚀剂图案方法

[发明专利]排出喷嘴式涂布法用正型光致抗蚀剂组合物以及抗蚀图的形成方法-CN200410031928.2有效
发明人：森尾公隆;青木知三郎;加藤哲也;中岛哲矢 -专利权人：东京应化工业株式会社
申请日： 2004-03-31 - 公布日： 2004-10-13 - 主分类号： G03F7/023 文献下载
摘要：一种排出喷嘴式涂布法用正型光致抗蚀剂组合物，是用于具有通过使排出喷嘴和基板进行相对移动而在基板的整个涂布面上涂布正型光致抗蚀剂组合物的工序的排出喷嘴式涂布法的正型光致抗蚀剂组合物，其中含有(A)聚苯乙烯换算重均分子量
排出喷嘴式涂布法用正型光致抗蚀剂组合以及抗蚀图形成方法

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法、电子装置-CN201410490638.8有效
发明人：倪梁;刘尧 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-09-23 - 公布日： 2017-09-01 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，所述方法包括提供半导体衬底，在其上形成有多个堆叠体；在堆叠体之间的半导体衬底中形成沟槽；在沟槽中沉积金属层；采用旋转涂布工艺形成光致抗蚀剂层，覆盖金属层、沟槽的侧壁以及堆叠体，仅露出沟槽的顶端拐角部分；蚀刻沟槽的顶端拐角部分，使其发生圆化；采用喷雾涂布工艺再次形成光致抗蚀剂层，覆盖前次采用旋转涂布工艺形成的光致抗蚀剂层以及发生圆化的沟槽的顶端拐角部分；图案化光致抗蚀剂层根据本发明，可以使光致抗蚀剂层完全覆盖形成于半导体衬底中的沟槽的顶端拐角部分，确保后续蚀刻形成于沟槽中的金属层时可以获得所需的金属层图形。
一种半导体器件及其制造方法电子装置

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