[发明专利]光刻工艺中曝光后烘烤的最佳温度的选取方法在审
| 申请号： | 201910400738.X | 申请日： | 2019-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN110286568A | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | 柯顺魁 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/38 | 分类号： | G03F7/38 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光刻工艺中曝光后烘烤的最佳温度的选取方法，包括步骤：步骤一、建立光刻工艺，确定光刻工艺条件。步骤二、采集原始版图数据。步骤三、采用光刻工艺中的曝光后烘烤的上限温度和下限温度范围内，逐渐改变曝光后烘烤的温度并得到和对应的光刻图形，根据光刻图形对原始版图进行OPC修正得到对应OPC修正结果；步骤四、对各OPC修正结果进行比较选取最佳的OPC修正结果，以最佳的OPC修正结果对应的曝光后烘烤的温度为理论最佳温度并进而确定最佳温度。本发明能实现光刻工艺中曝光后烘烤的最佳温度的选取，在选取的最佳温度下能使整个版图范围内的光刻工艺效果达到最佳。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻工艺 烘烤 曝光 光刻图形 原始版图 光刻工艺条件 采集 | ||
【主权项】：
1.一种光刻工艺中曝光后烘烤的最佳温度的选取方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、建立光刻工艺，确定光刻工艺条件；步骤二、采集原始版图数据；步骤三、在光刻工艺中的曝光后烘烤的上限温度和下限温度范围内，逐渐改变所述曝光后烘烤的温度并得到和每一个所述曝光后烘烤的温度相对应的光刻图形，根据对应的所述光刻图形对所述原始版图进行OPC修正得到对应OPC修正结果；步骤四、对各所述OPC修正结果进行比较，选取最佳的所述OPC修正结果，之后再以所选取的最佳的所述OPC修正结果对应的所述曝光后烘烤的温度为所述曝光后烘烤的理论最佳温度，由所述理论最佳温度确定所述曝光后烘烤的最佳温度。
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- 本发明提出了一种用于去除光刻胶溶剂的装置，其包括能够容纳涂覆有光刻胶的待处理的玻璃板的微波谐振腔和位于所述微波谐振腔两侧的微波发射机构，其中，位于所述微波谐振腔中的玻璃板吸收来自所述微波发射机构的微波形式的能量，以烘烤去除所述玻璃板上的光刻胶溶剂。如此地，使得玻璃板不作为光刻胶膜及热盘之间的热传导介质而存在，同时使得光刻胶本身能有效吸收微波而发热。
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- 佐竹亮;米泽裕之 - 富士胶片株式会社
- 2013-12-04 - 2015-08-12 - G03F7/38
- 本发明提供一种硬化膜的制造方法，其可提高硬化膜的分辨力。本发明的硬化膜的制造方法依次包括：(1)将感光性树脂组合物涂布于基板上的步骤；(2)自感光性树脂组合物中去除溶剂的步骤；(3)利用pKa为3以下的溶液对去除了溶剂的感光性树脂组合物进行洗涤的步骤；(4)利用光化射线对感光性树脂组合物进行曝光的步骤；(5)利用水性显影液对经曝光的感光性树脂组合物进行显影的步骤；以及(6)对经显影的感光性树脂组合物进行热硬化的后烘烤步骤；并且所述感光性树脂组合物含有：聚合物成分，包含满足下述(A1)及(A2)的至少一者的聚合物：(A1)包括(a1)具有酸基由酸分解性基所保护的残基的构成单元及(a2)具有交联性基的构成单元的聚合物、(A2)包括(a1)具有酸基由酸分解性基所保护的残基的构成单元的聚合物及包括(a2)具有交联性基的构成单元的聚合物；(B)光酸产生剂；以及(C)溶剂。
- 图案形成方法、电子元件的制造方法及电子元件-201480003097.X
- 吉留正洋;山中司 - 富士胶片株式会社
- 2014-04-24 - 2015-07-22 - G03F7/38
- 本发明提供一种图案形成方法，其包含：在基板上涂布溶剂(S)的步骤；在涂布有溶剂(S)的所述基板上涂布感光化射线性或感放射线性树脂组合物而形成感光化射线性或感放射线性膜的步骤；对所述感光化射线性或感放射线性膜进行曝光的步骤；及利用包含有机溶剂的显影液对进行了曝光的所述感光化射线性或感放射线性膜进行显影而形成负型图案的步骤。
- 专利分类
