专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种聚硼硅氮烷先驱体的制备方法-CN200710035733.9有效
  • 王军;唐云;李效东;王浩 - 中国人民解放军国防科学技术大学
  • 2007-09-13 - 2008-03-26 - C04B35/515
  • 一种聚硼硅氮烷先驱体的制备方法,其包括以下步骤:以硼卤烷、卤硅烷、烷基胺化合物为起始原料,按硼卤烷∶卤硅烷的摩尔比为1∶10-10∶1,烷基胺过量的配比混合、反应,反应完成后将产物过滤,滤液即为低分子硼硅氮烷,然后将低分子硼硅氮烷在加热的条件下高分子化,降温后即得到聚硼硅氮烷先驱体。本发明选用的原料成本低廉,来源可靠,反应过程简单,并且有较高的合成产率;可以实现各元素的原子级水平的均匀分布,避免了后续陶瓷材料制备和使用过程中的不良影响;可以有效地调控先驱体的加工性能和物理性能。
  • 一种聚硼硅氮烷先驱制备方法
  • [发明专利]一种片状非晶Si-C-O气凝胶及制备方法-CN202210240001.8有效
  • 成来飞;叶昉;王俊珩;赵凯;张立同 - 西北工业大学
  • 2022-03-12 - 2023-06-30 - C04B35/56
  • 本发明涉及一种片状非晶Si‑C‑O气凝胶及制备方法,采用模板法结合先驱体浸渍裂解的制备方法,其技术特征在于步骤为(1)以GO作为溶质,PVA作为粘结剂,去离子水作为溶剂,配制一定浓度的GO水溶液,将其搅拌均匀后倒入模具中,通过冷冻干燥法得到GO气凝胶,将其作为模板;(2)以聚碳硅烷作为溶质,二甲苯作为溶剂,配制一定浓度聚碳硅烷先驱体溶液;(3)将步骤(2)配制的溶液置于坩埚下层,步骤(1)制备的GO气凝胶模板置于坩埚上层,经过一定的先驱体裂解工艺得到Si‑C‑O气凝胶。
  • 一种片状si凝胶制备方法
  • [发明专利]一种控制先驱体晶粒度制备FeS2薄膜的方法-CN201210006606.7无效
  • 孟亮;王峰;汪牡丹 - 浙江大学
  • 2012-01-11 - 2012-07-11 - C23C14/22
  • 本发明公开了一种控制先驱体晶粒度制备FeS2薄膜的方法。镀膜基底在饱和铬酸溶液中煮沸后用去离子水冲洗,再依次在丙酮、无水乙醇、去离子水中超声波振荡清洗烘干;溅射纯Fe膜,控制基底温度及厚度。发明可得到细小均匀的先驱体铁膜晶粒度,晶粒尺寸大小可方便控制。可以利用优化先驱体膜溅射及随后的硫化处理两不同技术的优化,灵活控制最终得到的FeS2薄膜质量及状态,控制手段和过程更为灵活,有利于优化制备技术。也可为FeS2薄膜的工业化生产提供更多选择。
  • 一种控制先驱晶粒制备fessub薄膜方法

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