[发明专利]一种控制先驱体晶粒度制备FeS2薄膜的方法无效
申请号: | 201210006606.7 | 申请日: | 2012-01-11 |
公开(公告)号: | CN102560374A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 孟亮;王峰;汪牡丹 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | C23C14/22 | 分类号: | C23C14/22;C23C14/06;H01L31/18 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 林怀禹 |
地址: | 310027 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种控制先驱体晶粒度制备FeS2薄膜的方法。镀膜基底在饱和铬酸溶液中煮沸后用去离子水冲洗,再依次在丙酮、无水乙醇、去离子水中超声波振荡清洗烘干;溅射纯Fe膜,控制基底温度及厚度。将纯Fe膜和硫粉封装于玻璃管中硫化处理。发明可得到细小均匀的先驱体铁膜晶粒度,晶粒尺寸大小可方便控制。可以利用优化先驱体膜溅射及随后的硫化处理两不同技术的优化,灵活控制最终得到的FeS2薄膜质量及状态,控制手段和过程更为灵活,有利于优化制备技术。也可为FeS2薄膜的工业化生产提供更多选择。 | ||
搜索关键词: | 一种 控制 先驱 晶粒 制备 fes sub 薄膜 方法 | ||
【主权项】:
一种控制先驱体晶粒度制备FeS2薄膜的方法,其特征在于该方法的步骤如下:1)在饱和铬酸溶液中煮沸后用去离子水冲洗镀膜基底;2)再依次在丙酮、无水乙醇、去离子水中超声波振荡清洗,烘干;3)将镀膜基底置于磁控溅射设备中,采用不同温度加热镀膜基底;4)在镀膜基底上溅射纯Fe膜,通过调整溅射功率和时间溅射控制纯Fe膜厚度后保温;5)将溅射得到的纯Fe膜和纯硫粉封装于玻璃管中;6)封装后的纯Fe膜经硫化处理形成FeS2薄膜。
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