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[发明专利]测定低硅球化剂中硅元素及磷元素含量的方法-CN201810924938.0有效
发明人：谢芬;闻向东;李洁;文斌;白会平;雷泽红;杨宏武 -专利权人：武汉钢铁有限公司
申请日： 2018-08-14 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： G01N21/73 文献下载
摘要：本发明公开了一种测定低硅球化剂中硅元素及磷元素含量的方法，属于化学及化工分析技术领域。该方法包括采用酸溶+碱回收的方法对低硅球化剂进行试样分解，不仅保证样品全部分解，同时还防止样品中硅的损失，在熔融过程中不开炉门，防止碳化硅形成的CO还原出溶液中的金属离子至单质状态，从而防止了金属对铂金坩埚的腐蚀，其次对试样采用ICP‑AES法测定，并控制较低且准确的盐量，在不干扰测量仪器工作状态的基础上，同时测定硅元素和磷元素的含量并保证测定结果的准确度及精密度。
测定低硅球化剂中硅元素含量方法

[发明专利]一种钾硅钙缓释复合肥及其制备方法-CN201910896399.9有效
发明人：张其武;刘岩矗;胡慧敏;顾纬键 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2019-09-20 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： C05D11/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种钾硅钙缓释复合肥及其制备方法，所述钾硅钙缓释复合肥由云母和氯化钙混合球磨得到，所述云母中钾元素与氯化钙中钙元素摩尔比为1：0.33～2。本发明提供的钾硅钙缓释复合肥具有速溶和缓释硅钾钙元素的效果，能够在植物不同生长期合理地分配供给养分，提升植物对养分的吸收率，并且避免了营养元素的浪费或者不足，该复合粉以工业废弃物云母粉末和氯化钙为原料，原料来源广泛、价格低廉，产品绿色环保无污染，缓解了目前水溶性钾硅资源不足的压力。
一种钾硅钙缓释复合及其制备方法

[发明专利]改性钛硅分子筛及其制备方法和应用以及硫醚氧化方法-CN201910081707.2有效
发明人：史春风;林民;朱斌 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司石油化工科学研究院
申请日： 2019-01-28 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： C01B39/08 文献下载
摘要：本发明涉及分子筛领域，公开了一种改性钛硅分子筛及其制备方法和应用以及硫醚氧化方法，该分子筛包括：钛元素、铝元素、硅元素和氧元素，其中，该分子筛满足X1‑1.8/该分子筛的制备方法包括：(1)将钛硅分子筛进行酸性蒸汽改性；(2)将步骤(1)改性后的钛硅分子筛与铝源、碱源和水混合接触；(3)在碱性蒸汽气氛下，将步骤(2)得到的固体产物进行热处理。将本发明提供的改性钛硅分子筛用于硫醚氧化，可以有效提高砜的选择性。
改性分子筛及其制备方法应用以及氧化

[实用新型]一种LPCVD设备-CN202220252564.4有效
发明人：许乐军;徐以增;高德志;王远 -专利权人：芯恩（青岛）集成电路有限公司
申请日： 2022-02-07 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C30B28/14 文献下载
摘要：本实用新型提供一种LPCVD设备，该LPCVD设备包括炉管及位于炉管内的晶舟，炉管内壁及晶舟表面覆盖有掺杂多晶硅层及未掺杂多晶硅层。因为未掺杂多晶硅层不含有掺杂元素，能够对炉管及晶舟上的掺杂多晶硅层进行包覆，从而抑制炉管及晶舟表面掺杂元素的析出，进而控制炉管内掺杂元素的含量，避免因掺杂元素含量过高导致晶圆表面产生缺陷。未掺杂多晶硅层的形成，不会对炉管内晶圆的器件性能造成影响，且能够延长设备的使用周期，降低维护次数，从而降低成本提高产能。
一种 lpcvd 设备

[发明专利]一种硅的提纯装置及方法-CN201910366209.2有效
发明人：张云虎;申延平;叶春洋;苏月莹;常旺;徐智帅;郑红星;宋长江;翟启杰 -专利权人：上海大学
申请日： 2019-05-05 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅的提纯装置及方法，包括电极、保温加热装置、测温装置、通电线圈、熔炼装置、拉杆和冷却装置。设备工作时，将含硅合金或硅熔体放入熔炼装置中，然后给电极和线圈通电，熔炼装置底部的电极在熔体底部产生一个环流，通电线圈在熔体的中、上部会产生一个环流，在整个熔体内形成强制对流，进而把熔体中、上部的硅元素运输熔炼装置底部最终，含硅合金或硅熔体在拉杆和冷却装置的作用下，开始定向凝固，使更高纯度的硅不断的析出凝固。若熔炼装置中熔体上部硅元素含量下降，向熔炼装置中添加低纯硅，如此反复，最后将凝固的硅锭进行酸洗，去除金属元素，从而起到提纯硅的效果。
一种提纯装置方法

[发明专利]杂元素硅氧烷化合物和聚合物-CN200880008744.0无效
发明人： D·E·凯特索里斯;M·J·罗伯达;E·麦克奎斯顿;L·罗德里格斯 -专利权人：陶氏康宁公司
申请日： 2008-02-04 - 公布日： 2010-01-27 - 主分类号： C08G77/58 文献下载
摘要：公开了杂元素硅氧烷聚合物。该杂元素硅氧烷聚合物可具有线形结构、环状结构、支化结构和三维网络结构、及其组合。使用由热固性有机基硅聚合物衍生的固化化学，固化杂硅氧烷聚合物，和可制备凝胶、涂层、板、部件和其他有用的制品。
元素硅氧烷化合物聚合物

[发明专利]含有上转换发光量子点的晶体硅及其制备方法-CN201210326645.5有效
发明人：张群社;祁伟 -专利权人：西安隆基硅材料股份有限公司;无锡隆基硅材料有限公司;宁夏隆基硅材料有限公司;银川隆基硅材料有限公司
申请日： 2012-09-06 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： H01L31/0256 文献下载
摘要：本发明公开了一种含有上转换发光量子点的晶体硅的制备方法，包括以下步骤：步骤1.在太阳能级多晶硅原料中掺入稀土元素8ppbw~120ppmw，利用常规CZ法制得单晶硅，或利用常规铸锭法制得多晶硅，所述单晶硅或多晶硅中的稀土元素的原子数量浓度为1010~1016atoms/cm3；步骤2.将步骤1制得的单晶硅或多晶硅，在700℃~1000℃进行退火处理，得到含有上转换发光量子点的单晶硅或多晶硅，即成。本发明还公开了一种上述方法制备的晶体硅，单晶硅中或多晶硅中的稀土元素的浓度为1010~1016atoms/cm3。本发明方法增加了硅材料对红外光谱的吸收，转换效率显著提高。
含有转换发光量子晶体及其制备方法

[发明专利]一种过饱和掺杂高效异质结电池及其制作方法-CN201310250773.0无效
发明人：赵会娟;张东升 -专利权人：国电光伏有限公司
申请日： 2013-06-21 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L31/077 文献下载
摘要：本发明公开了一种过饱和掺杂高效异质结电池及其制造方法，电池包括晶硅、正电极、从上至下依次位于晶硅背面的非晶硅薄膜、导电薄膜和金属电极，晶硅上表面为掺入过饱和硒元素形成的硅-硒掺杂层，正电极位于硅-硒掺杂层上，制作方法包括：晶硅衬底中过饱和的掺入硒元素，形成上表面硅-硒掺杂层；在硅-硒掺杂层上制备正电极；在晶硅背面制备非晶硅薄膜；在非晶硅薄膜上依次制备导电薄膜和金属电极。本发明的优点是电池晶硅上表面掺入过饱和硒元素形成硅-硒掺杂层，不但能够有效抑制深能级杂质的非辐射复合，减小其对载流子寿命的危害，突破S-Q理论极限，而且背面形成BSF结构，增加长波吸收提高短路电流，从而提高电池的光电转换效率
一种过饱和掺杂高效异质结电池及其制作方法

[发明专利]用于口腔护理的治疗性和预防性制剂-CN200980118939.5无效
发明人： TO·曼纳斯赫诺夫;SK·马特洛;安娜托利伊阿布拉莫维奇·库宁;AV·格罗索 -专利权人：《WDS》公司
申请日： 2009-01-21 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： A61K8/19 文献下载
摘要：％，包含镁元素源、钠元素源、硅元素源和钾元素源。为活性组分复合物的一部分的镁元素、钠元素、硅元素和钾元素的原子质量的比相应地是21.3∶9.3∶1.67∶1。使用氯化镁或甘油磷酸镁或柠檬酸镁作为镁元素源。使用氯化钠或硅酸钠作为钠元素源。使用偏硅酸钠或偏硅酸钾作为硅元素源。使用硅酸钾作为钾元素源。
用于口腔护理治疗预防性制剂

[发明专利]热电转换材料及其制作方法-CN00800502.8有效
发明人：贞富信裕;山下治;西乡恒和;能见正夫 -专利权人：住友特殊金属株式会社
申请日： 2000-03-10 - 公布日： 2001-06-20 - 主分类号： H01L35/14 文献下载
摘要：硅基热电转换材料和热电转换元件,其中硅基热电转换材料的热导率被降低而没有降低材料的Seebeck系数和电导率,这使品质因数显著增大。多晶结构包括由富硅相和富添加元素相组成的晶粒,其中至少一种添加元素淀积在晶粒边界处,结果得到了极大的Seebeck系数和低的热导率,使热电转换速率显著增大,并且硅基热电转换材料主要由硅组成,硅是丰富的资源例如,向硅基热电转换材料添加碳、锗或锡能使热导率显著降低而不会改变硅基材料的载流子浓度。对于降低热导率,5—10原子%的掺杂量是理想的,且如果为产生p型或n型半导体而加入添加元素和在多晶硅的晶粒边界淀积了Ⅳ族元素,则所得的p型或n型半导体的载流子浓度为1017－1021(M/m3),热导率为
热电转换材料及其制作方法

[发明专利]非水电解质二次电池用负极材料和非水电解质二次电池-CN202080054372.6在审
发明人：朝野泰介;内山洋平;佐藤阳祐 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2020-07-21 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01M4/62 文献下载
摘要：非水电解质二次电池用负极材料具备：硅酸盐相、分散于硅酸盐相内的硅颗粒、和分散于硅酸盐相内的晶相。硅酸盐相包含选自由碱金属元素和第2族元素组成的组中的至少1种元素E1。晶相包含稀土元素、硅和氧。
水电二次电池负极材料

[发明专利]半导体电路及半导体器件-CN99110391.2无效
发明人：张宏勇;高山彻;竹村保彦 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1994-03-12 - 公布日： 2004-01-28 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明的制造半导体电路的方法由形成非晶硅膜着手，然后，如此形成含至少一种催化元素的第二层，以便与非晶硅膜紧密连接，或将催化元素掺入非晶硅膜中，用激光或其他强度等于激光的光对该非晶硅膜作选择性照射，再使该非晶硅膜晶化
半导体电路半导体器件

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN94104267.7无效
发明人：张宏勇;高山彻;竹村保彦 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1994-03-12 - 公布日： 2002-10-16 - 主分类号： H01L29/768 文献下载
摘要：本发明的制造半导体器件的方法由形成非晶硅膜着手，然后，如此形成含至少一种金属元素的第二层，以便与非晶硅膜紧密连接，或将金属元素掺入非晶硅膜中，用激光或其他强度等于激光的光对该非晶硅膜作选择性照射，再使该非晶硅膜晶化
制造半导体器件方法

[发明专利]半导体电路及其制造方法-CN01116633.9无效
发明人：张宏勇;高山彻;竹村保彦 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1994-03-12 - 公布日： 2001-12-26 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明的制造半导体电路的方法由形成非晶硅膜着手,然后,如此形成含至少一种催化元素的第二层,以便与非晶硅膜紧密连接,或将催化元素掺入非晶硅膜中,用激光或其他强度等于激光的光对该非晶硅膜作选择性照射,再使该非晶硅膜晶化
半导体电路及其制造方法

[发明专利]一种降低金属硅中氧、碳含量的方法-CN200810070925.8无效
发明人：郑智雄 -专利权人：南安市三晶硅品精制有限公司
申请日： 2008-04-15 - 公布日： 2009-03-18 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低金属硅中氧、碳含量的方法。本发明采用在硅液中吹入氧气、氢气和水蒸气，使氢气和氧气在硅液中反应产生局部高温，使硅液中的O、C元素随气体排放而除去，从而提供了一种操作步骤简单、生产成本低廉的降低硅液中O、C元素含量的方法。
一种降低金属硅含量方法