“元素硅”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果494031个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN96123975.1无效
发明人：山崎舜平;寺本聪;小山润;宫永昭治 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1996-12-15 - 公布日： 2004-04-21 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：半导体器件的制造方法，非晶硅膜中引入镍元素后，进行第1热处理使其结晶。获得结晶硅膜后用与第1热处理相同的方法进行第2热处理，所用处理气氛中加HCl等气体，除去结晶硅膜中所含Ni元素，用该方法能获得结晶度高和其中含金属元素浓度低的结晶硅膜。
半导体器件制造方法

[发明专利]一种提高成型钛硅分子筛催化剂机械强度的处理方法-CN202010956355.3有效
发明人：杨磊;王元平;袁海朋;项天宇;王聪;刘新伟;杨克俭 -专利权人：中国天辰工程有限公司
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： B01J37/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种提高成型钛硅分子筛催化剂机械强度的处理方法，将成型钛硅分子筛催化剂通过含硼元素水溶液进行水热处理，所述含硼元素水溶液中硼元素的硼源为水溶性含硼无机物，含硼元素水溶液中硼源的含量为0.01％～1.0％，成型钛硅分子筛催化剂与含硼元素水溶液的质量比为：10:(1～500)。本发明提供的处理方法，有效提高了成型钛硅分子筛催化剂机械强度，同时工艺流程简单、易于操作。
一种提高成型分子筛催化剂机械强度处理方法

[发明专利]二次电池的硅基复合阳极活性材料和包括该硅基复合阳极活性材料的阳极-CN201910992903.5在审
发明人：吴承旼;李尹圣;赵廷英;吕悦梅 -专利权人：现代自动车株式会社;起亚自动车株式会社
申请日： 2019-10-18 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明提供了二次电池的硅基复合阳极活性材料和包括该硅基复合阳极活性材料的阳极。二次电池的阳极活性材料可以是硅基复合阳极活性材料，其可以包括石墨和硅组分，所述硅组分包括选自Si、Si‑M、SiOx和SiC中的两种以上。Si‑M可以为硅合金，并且M可以包括选自过渡金属、碱土金属、13族元素、14族元素和稀土元素中的至少一种。
二次电池复合阳极活性材料包括

[发明专利]改善硅外延生长中离子注入硼元素扩散的工艺-CN201710733222.8有效
发明人：何佳;刘藩东;吴林春;张若芳;王鹏;夏志良;霍宗亮 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-08-24 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： H01L21/225 文献下载
摘要：本发明提供了一种3D NAND闪存结构中改善硅外延生长中离子注入硼元素扩散的工艺，通过采用含有F和/或Cl的气体对硅外延生长的硅槽界面进行等离子体处理，能够有效将硅外延生长界面的单晶硅破坏进而转化为非晶硅，而非晶硅界面的硅外延生长速度要比单晶硅界面的硅外延生长速度慢，从而有利于形成硅外延层与衬底之间的空位(Void)；形成的空位(Void)成为了硼元素界面扩散的屏障(Barrier)，有效阻挡了离子注入掺杂的硼元素从硅外延层扩散至硅衬底，从而提高了硅外延层的阈值电压(Vt)特性，进而最终提高了3D NAND闪存的整体性能。
改善外延生长离子注入元素扩散工艺

[发明专利]一种聚碳硅烷中硅含量的简便测定方法-CN201810937524.1有效
发明人：莫高明;何流;黄庆;段杨鹏;陈海俊 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2018-08-17 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： G01N21/73 文献下载
摘要：本发明涉及一种聚碳硅烷中硅含量的简便测定方法。该方法将聚碳硅烷样品进行热处理，使之形成凝胶体，再与熔融碱在一定条件下反应，将反应产物调配成中性待测溶液，然后将待测试液引入电感耦合等离子体发射光谱仪中，测定硅元素的谱线强度，然后与硅元素的谱线强度‑质量分数标准工作曲线进行比对，得到待测试液中硅元素的含量，再换算为聚碳硅烷中硅元素的含量。
一种硅烷含量简便测定方法

[发明专利]一种互感器磁芯铁基非晶合金材料-CN201810806986.X在审
发明人：丁鸿飞;柯强;胡昌才 -专利权人：芜湖君华材料有限公司
申请日： 2018-07-21 - 公布日： 2018-12-04 - 主分类号： C22C45/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种互感器磁芯铁基非晶合金材料，包括硅元素、铝元素、锡元素、铁元素以及晶相调整元素，其中硅元素的质量百分比含量为20%～33%，铝元素的质量百分比含量为13%～17%，锡元素的质量百分比含量为4.5%～6.0%，晶相调整元素的质量百分比含量为2.0%～5.0%，余量为铁元素。本发明所提供的一种互感器磁芯铁基非晶合金材料，具有较高含量的硅元素和铝元素，不仅具有较高的饱和磁通量：饱和磁密为1.9 T～2.4 T，而且具有较低的铁损：1.35T/50Hz时的单位铁损为0.05 W
质量百分比铁基非晶合金材料互感器磁芯硅元素铝元素铁元素锡元素铁损饱和磁通量饱和磁密

[发明专利]一种记忆复合材料TiNaB合金及其制造方法-CN201410378513.6在审
发明人：丁义存 -专利权人：丁义存
申请日： 2014-08-04 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： C22C38/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种记忆复合材料TiNaB合金及其制造方法，该合金材料包括以下质量百分比的材料：钨元素1.0%、镍元素6.3%、钼元素2.1%、铬元素10.0%、钒元素3.2%、硅元素0.6%、钕元素0.6%、硼元素0.3%、钽元素1.10%、钚元素5.2%、金元素1.6%、钛元素5.3%、钴元素2.10%、以及余量的铁元素。本发明合金包含有钕元素，钛元素，硼元素，金元素，钽元素及镍钼铬锰硅钴钒铁材料元素于挤压等热成形时，钨镍钼铬锰钴钒硅铁元素反应析出钨化合物。
一种记忆复合材料 tinab 合金及其制造方法

[发明专利]一种利用光伏产业硅废料制备高纯微纳米硅粉的方法及装置-CN201911401134.3在审
发明人：赵明才;汪炜 -专利权人：江苏载驰科技股份有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：发明公开了一种利用光伏产业硅废料制备高纯微纳米硅粉的方法，提纯的关键在于控制杂质元素的含量，包括S10）选择特定的金刚石线锯和树脂板，使硅废料中的杂质元素可控；S20）对S10的硅废液进行在线重力过滤，去除线锯上脱落的金刚石等大颗粒杂质；同时对硅废液进行在线的磁选，去除具有磁性的铁、镍元素杂质，一次硅锭切片完成后进行压滤得到硅泥浆。S30）对S20的硅泥浆进行酸洗处理，去除氧元素，用去离子水清洗后离心得到硅泥浆；压滤，得到硅废料泥浆；S40）对S30的硅泥在惰性气氛下进行高温处理，去除树脂版切屑及切屑液中聚乙二醇等有机物，得到高纯的硅毫米级团聚颗粒S50）对S40的硅毫米级颗粒进行物理破碎，得到分散的硅微纳米颗粒。
一种利用产业废料制备高纯纳米方法装置

[发明专利]一种纳米碳化硅的制备方法-CN202310493744.0在审
发明人：王佳丽;万玲;张铭;李如龙;杨启炜 -专利权人：衢州晶洲科技发展有限公司;浙江大学衢州研究院
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： C01B32/977 文献下载
摘要：本发明的含硅碳前驱体十甲基环五硅氧烷在氢等离子体和氩等离子体的环境下，发生裂解，产生碳化硅气体；碳化硅气体经急冷，能够保证得到小尺寸的纳米碳化硅。同时，十甲基环五硅氧烷中碳元素、硅元素和氧元素的摩尔比为2：1：1，其中的氧元素将一半的碳元素转化为一氧化碳，剩余的碳元素和硅元素的摩尔比正好是1：1，只能生成碳化硅；另外，副产物一氧化碳为气态，不会污染最终的碳化硅产品；即便能生成碳单质和硅单质，但是含量极少，所以保证了最终碳化硅的纯度。
一种纳米碳化硅制备方法

[发明专利]非水电解质二次电池用负极材料及其制造方法-CN99801665.9有效
发明人：上仲秀哉;阿部贤;祢宜教之;新田芳明;岛村治成;冈村一广 -专利权人：住友金属工业株式会社;松下电器产业株式会社
申请日： 1999-09-03 - 公布日： 2003-12-17 - 主分类号： H01M4/02 文献下载
摘要：一种放电容量高且循环寿命长的非水电解质二次电池用负极材料，是由含有硅相粒子40以及至少将其部分包围的属于长周期周期表中2A族元素、过渡金属元素、3B族元素及除硅之外4B族元素中选出的其它元素与硅形成的固溶体或金属间化合物相(例如NiSi2相42和[NiSi2+NiSi]相41)的、平均粒径为0.1～50微米的合金粒子构成的，硅相粒子在此材料中占5～99重量％。这种合金粒子，可以用使含有硅和其它元素的金属熔体急冷凝固的方法(例如雾化法、急冷辊法)，或者用无电解镀法或机械合金化法使硅粉末附着其它元素后热处理的方法制造。
水电二次电池负极材料及其制造方法

[发明专利]一种硅基光学PUF、其制备方法和用途-CN202211619742.3有效
发明人：皮孝东;王坤;何强;杨德仁 -专利权人：浙江大学
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C01B33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基光学PUF、其制备方法和用途。本发明的光学PUF包含衬底1和与衬底1贴合的纳米材料层2。所述纳米材料层2的材料为掺铒的硅纳米材料，在所述纳米材料层2上任意一点均能产生7种不同的光学响应信号，且7种不同的光学响应信号产生均产生于掺铒硅纳米材料。所述掺铒硅纳米材料包含硅元素和铒元素，其中，硅元素以纳米硅的形式存在，所述铒元素全部以Er3+形态存在于所述硅纳米材料的晶格内且具有光学活性。本发明仅通过一种元素掺杂、无需对光学信号做数值处理实现编码容量为710000的硅基光学PUF。
一种光学 puf 制备方法用途

[实用新型]沟槽肖特基的栅极多晶硅-CN202122135645.4有效
发明人：陆益;王毅 -专利权人：扬州扬杰电子科技股份有限公司
申请日： 2021-09-06 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：沟槽肖特基的栅极多晶硅。提供了一种起到高介电常数绝缘层作用，阻挡磷掺杂多晶硅向栅氧扩散磷元素，避免因为栅氧中掺有磷元素导致的栅氧介电常数的变化，影响到栅氧质量的沟槽肖特基的栅极多晶硅。本实用新型包括形成于衬底正面的外延层和金属层；还包括栅氧区、无掺杂多晶硅区和磷掺杂多晶硅区；在磷掺杂多晶硅区和栅氧区之间，沉积了一层无掺杂多晶硅区。无掺杂多晶硅区起到高介电常数绝缘层作用，阻挡了磷掺杂多晶硅向栅氧扩散磷元素，避免因为栅氧中掺有磷元素导致的栅氧介电常数的变化，影响到栅氧的质量。本实用新型具有加工简便、避免因为栅氧中掺有磷元素导致的栅氧介电常数的变化等特点。
沟槽肖特基栅极多晶

[发明专利]一种铝-二硼化钛-磷中间合金及其制备方法-CN201910502410.9有效
发明人：汪明亮;卞泽宇;陈东;王鹏举;王浩伟 -专利权人：上海交通大学;安徽相邦复合材料有限公司
申请日： 2019-06-11 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： C22C21/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种铝‑二硼化钛‑磷中间合金及其制备方法，包含铝元素、钛元素、磷元素及硼元素，各组分的质量百分数为：钛元素1.4‑5.8％，磷元素2.0‑6.0％，硼元素0.7‑2.8％，其余为铝元素。本发明技术方案的铝‑二硼化钛‑磷中间合金作为高效初晶硅变质剂，对共晶与过共晶铝‑硅合金中硅相起到明显细化作用并有效提高合金综合力学性能，本发明提供的铝‑二硼化钛‑磷中间合金的制备方法操作方便、价格低廉，
一种二硼化钛中间合金及其制备方法

[发明专利]锡钛硅分子筛及其制备方法和应用以及一种苯酚羟基化的方法-CN201410305143.3在审
发明人：林民;史春风;朱斌 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司石油化工科学研究院
申请日： 2014-06-30 - 公布日： 2016-01-06 - 主分类号： C01B39/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种锡钛硅分子筛及其制备方法和应用，该锡钛硅分子筛含有硅元素、钛元素、锡元素和氧元素，其中，所述锡钛硅分子筛的至少部分晶粒内部具有空穴结构。本发明提供了一种苯酚羟基化的方法，该方法包括：在苯酚羟基化条件下，将苯酚、过氧化氢与催化剂接触，所述催化剂含有本发明所述的锡钛硅分子筛。本发明的锡钛硅分子筛具有很好的催化氧化效果，如用于苯酚羟基化反应，相比于不含锡的钛硅分子筛或负载锡的钛硅分子筛，本发明的锡钛硅分子筛具有高的催化氧化活性，特别是对位产物对苯二酚的选择性高。
锡钛硅分子筛及其制备方法应用以及一种苯酚羟基

[发明专利]一种富硅绿茶种植方法-CN201710754014.6在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：广州聚注通用技术研究院有限公司
申请日： 2017-08-29 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： A01G17/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种富硅绿茶种植方法，这种种植方法简单，成本低，生产出来的绿茶含硅量稳定，饮用安全。本发明将苦竹、芦根和玉米须作为富硅营养剂加入到种植绿茶的肥料中，得到的硅肥更具绿色健康的特色，还有助于作物吸收土壤中的钙元素，在降低成本的同时，又可以保护环境。植物中的植硅体富含硅元素，硅是第四大矿物元素，理想的土壤调理剂，硅肥缓释长效，保证作物对硅元素的吸收达到最优水平。
一种绿茶种植方法

首页
«上一页
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
下一页»
尾页
共 100000 条