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[实用新型]用于测量交流阻抗和铁损的多功能测量装置-CN202120645264.8有效
发明人：黎海凡 -专利权人：中国长江电力股份有限公司
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2022-01-21 - 主分类号： G01R27/08 文献下载
摘要：一种用于测量交流阻抗和铁损的多功能测量装置，包括外壳，外壳内设有交流电压表、交流电流表、低功率因素功率表、单刀双掷开关S2和单刀双掷开关S1；外壳外壁设有第一外部端口和第二外部端口；单刀双掷开关S2包括S2铁损支路和S2阻抗支路，单刀双掷开关S1包括S1铁损支路和S1阻抗支路；交流电压表、交流电流表、低功率因素功率表、单刀双掷开关S2和单刀双掷开关S1通过导线连接形成了组合式测量回路；本装置将电抗交流阻抗试验和铁损试验接线由原理分散式接线转化为集中式接线
用于测量交流阻抗多功能装置

[实用新型]一种宽频带低插损的防雷电路-CN201621042290.7有效
发明人：雷小勇;薛超;张伟生;陈松根 -专利权人：深圳市迈特通信设备有限公司
申请日： 2016-09-07 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种宽频带低插损的防雷电路，包括用于抑制射频信号的信号匹配电路；用于对AISG信号传输的宽带超低差损电路；用于泄放雷击电流保护后续电路的后端保护电路；信号匹配电路与天线端口连接，低差损电路直接接通AISG信号，后端保护电路直接与直流端连接，信号匹配电路、低差损电路和后端保护电路的射频旁路分别与地端连接，低差损电路又同时与信号匹配电路和后端保护电路连接。本实用新型利用TVS管的电容效应，搭建一个2M～12M AISG的低差损电路，从而高效地实现防雷和传输AISG信号的功能。省去两颗功率二极管，节省了PCB面积,降低成本的同时，尤其是实现了AISG信号的宽带超低差损的双功能提升。
一种宽频带低插损防雷电路

[发明专利]大型电热棒双头旋转压接机的旋转伸缩机构-CN201410416662.7有效
发明人：陈飞彪 -专利权人：苏州昌飞自动化设备厂
申请日： 2014-08-22 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01R43/048 文献下载
摘要：本发明公开了一种大型电热棒双头旋转压接机的旋转伸缩机构，该大型电热棒双头旋转压接机的旋转伸缩机构包括旋转轴、低转速高扭力防尘电机、万向联轴器、旋转伸缩机构底板、电机安装用上夹板和端部防损止动螺丝，旋转伸缩机构底板安装于滑块，旋转伸缩机构底板上并排设有两个低转速高扭力防尘电机，两个低转速高扭力防尘电机通过电机安装用上夹板固定，低转速高扭力防尘电机的电机轴通过万向联轴器连接到旋转轴，旋转伸缩机构底板上设有多个端部防损止动螺丝，端部防损止动螺丝的端部顶在导轨上。通过上述方式，本发明接头采用自动供料，压接采用卧式双头装配，减少了侧装推力，装配效率高，装配后的接头垂直度比较好。
大型电热棒双头旋转接机伸缩机构

[发明专利]一种高频低介损热固性聚酰亚胺薄膜的制备方法-CN202310866205.7在审
发明人：陈植耿;谢龙旭;黄臻洵;林公澎;林玲;陈宇 -专利权人：韩山师范学院;潮州康健医学科技有限公司;广东凯普生物科技股份有限公司
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C08G73/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种高频低介损热固性聚酰亚胺薄膜的制备方法，首先制备芳香族二胺溶液，然后将含介晶基元结构的对苯二酚‑双(偏苯三酸)酯二酐和作为交联剂的乙炔基双苯酐混合均匀，加入到芳香族二胺溶液中反应得到聚酰胺酸溶液真空脱泡后采用流延法将其引流到洁净玻璃基板上，而后放置于真空干燥箱中逐步升温，先后经历除溶剂、酰亚胺化、热引发化学交联过程，取出冷却至室温，再放入水中超声剥离薄膜，干燥得到目标产物；本发明制备所得的高频低介损热固性聚酰亚胺薄膜的玻璃化转变温度高于400℃，在10GHz频率下介损低至0.00233，并且在交联之后，薄膜的拉伸强度提高了23.6％，断裂伸长率增加超过70％，具有良好的应用前景。
一种高频低介损热固性聚酰亚胺薄膜制备方法

[实用新型]新型低损双滚筒大豆脱粒机-CN202221115387.1有效
发明人：王昊;于清涛;姜星;高佳森;周茗伟;赵海旭;邢凡杰 -专利权人：青岛理工大学
申请日： 2022-05-11 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： A01F11/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了新型低损双滚筒大豆脱粒机，包括脱粒机本体和粉碎腔，所述粉碎腔位于脱粒机本体的上端内部，所述脱粒机本体的侧壁且位于粉碎腔的一侧设置有喂料装置，所述脱粒机本体的下端位于粉碎腔的下方依次设置有第二筛板、第一筛板和落料板，所述第一筛板的一侧设置有震动结构；本实用新型所述的新型低损双滚筒大豆脱粒机，可以通过转动的压料杆的连接叉可以将秸秆进行压紧并输送，并且通过压料杆的连接叉将秸秆进行插紧，避免物料滞留在进料槽的内部
新型低损双滚筒大豆脱粒机

[发明专利]一种dq坐标系下双馈风力发电机功率损耗优化方法和系统-CN202210770828.X在审
发明人：张利;秦世耀;王瑞明;毕然;王文卓;孙勇;李婷 -专利权人：中国电力科学研究院有限公司;国家电网有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H02P9/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种dq坐标系下双馈风力发电机功率损耗优化方法和系统，包括：在dq坐标系下根据双馈风力发电机参数，通过铜损和铁损的计算式，获得双馈风力发电机的铜损和铁损；基于所述铜损和铁损，计算双馈风力发电机的总功率损耗DDA0003724151530000012.JPG" imgContent="drawing" imgFormat="JPEG" orientation="portrait" inline="yes" />通过电机侧变流器降损策略进行功率降损；其中，所述电机侧变流器降损策略通过比例积分环节和空间矢量脉宽调制，获得降损开关驱动控制信号进行功率降损，本发明通过电机侧变流器降损策略的执行，实现功率降损，且本发明适用于风电机组并网运行后的全功率阶段
一种 dq 坐标系下双馈风力发电机功率损耗优化方法系统

[发明专利]一种基于DCDC转换器的双路线损补偿电路-CN201910588475.X有效
发明人：郑志威;张喜 -专利权人：深圳市德赛微电子技术有限公司
申请日： 2019-07-02 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明涉及DCDC转换器技术领域，具体公开了一种基于DCDC转换器的双路线损补偿电路，应用于DCDC转换器，包括双路线损补偿模块，双路线损补偿模块的输入端分别连接有采样电阻Rs1和采样电阻Rs2，双路线损补偿模块的输出端连接有反馈引脚VFB，所述反馈引脚VFB连接有反馈电阻R1和反馈电阻R2，反馈电阻R1的另一端连接有等效线损电阻Rcable，等效线损电阻Rcable的另一端连接采样电阻Rs1和采样电阻Rs2，采样电阻Rs1、采样电阻Rs2和反馈电阻R2的一端分别接地；DCDC转换器输出电压Vout经过等效线损电阻Rcable得到负载电压Vload，双路线损补偿模块接收采样电阻Rs1和采样电阻Rs2上的压降，转换为电流Ic抽取反馈电阻R1的电流，从而修正输出电压Vout，本发明结构简单，适用于单双路线负载应用场合。
一种基于 dcdc 转换器路线补偿电路

[发明专利]一种低铁损高磁感无取向硅钢极薄带的制备方法-CN201810441471.4有效
发明人：刘海涛;付珊;宋子豪;黄晓明;安灵子;王国栋 -专利权人：东北大学
申请日： 2018-05-10 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： C22C38/02 文献下载
摘要：一种低铁损高磁感无取向硅钢极薄带的制备方法，按以下步骤进行：(1)冶炼钢水，成分按照质量百分比为：C 0.002～0.01％，Si 2.8～3.5％，Mn 0.1～0.3％，Al 0.2～1.0％，S0.005％，P0.02％，N0.005％，余量为Fe；(2)将钢水用双辊薄带连铸机铸轧成薄带；(3)800～1200℃进行热轧，随后空冷至室温；(4)经三次冷轧，每次冷轧后均进行再结晶退火，制成厚度0.05～0.20mm的低铁损高磁感无取向硅钢极薄带。本发明制备的无取向硅钢极薄带的晶粒尺寸大、有利织构强，铁损低、磁感高；制备方法简单、有效，具有短流程、易控制、低能耗的特点。
一种低铁损高磁感无取向硅钢极薄带制备方法

[发明专利]一种电励磁双凸极发电机可控整流最小铜损控制方法-CN202010258866.8有效
发明人：张卓然;许彦武;卞张铭;于立 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2020-04-03 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H02P9/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种电励磁双凸极发电机可控整流最小铜损控制方法，涉及电气控制领域。本发明能够快速获得可控整流器最佳控制参数，实现铜损在励磁绕组与电枢绕组之间合理分配，进而达到电机总铜损最小的控制目标。本发明包括：维持母线电压的前提下改变电励磁双凸极发电机可控整流器角度位置控制的关断角；记录不同工况下、不同关断角下电励磁双凸极发电机各个绕组电流情况，并计算发电机铜损；结合获得的铜损数据利用极限学习机建立电励磁双凸极发电机可控整流铜损模型；结合所述可控整流铜损极限学习机模型，获得不同工况下铜损最小时的可控整流器关断角；结合所述关断角实现在不同工况下的铜损最小控制。
一种电励磁双凸极发电机可控整流最小控制方法

[发明专利]一种双率提升的线损管理方法-CN202111498575.7在审
发明人：钟彬;李冰若;杨柳;吴建坤;李峰 -专利权人：国网上海市电力公司
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： G06Q10/06 文献下载
摘要：本发明涉及配电网自动化技术领域，提出了一种双率提升的线损管理方法，包括：获得智能诊断基础数据；根据智能诊断基础数据，计算日理论线损数据；将同期日/月铁损电量与理论铁损电量进行对比、将同期日/月其他损耗与其他理论损耗进行对比、将同期日/月线损率与理论线损率进行对比，并根据对比结果初步确定异常问题；利用聚类分析，对异常问题进行分类，分类结果用于提供辅助参考决策，通过线损流程规范化促进线损分析科学智能化，并通过专业管理会诊、专项提升等分析问题根本成因形成典型库通过上述技术方案，为提升双率管理提供辅助参考决策，有针对性的采取措施降低线损从而达到双率压降的目的。
一种提升管理方法

[发明专利]一种拼装成型式双脊波导开关转子及其制造方法-CN202210739000.8有效
发明人：张登材;张杰;周振凯;张永红;赵志强;张义萍;白宗旭;王森;杨乔森 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十九研究所
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01P1/12 文献下载
摘要：本发明涉及微波通信技术领域，公开了一种拼装成型式双脊波导开关转子及其制造方法，该转子，包括第一拆分件、第二拆分件、连接件，所述第一拆分件与所述第二拆分件通过所述连接件可拆卸式连接构成转子。本发明解决了现有技术存在的不满足双脊波导开关的低驻波、低插损的高性能要求等问题。
一种拼装成型式双脊波导开关转子及其制造方法

[发明专利]低水损止回阀-CN201510458815.9有效
发明人：胡玉平;韩安伟;叶茂乐 -专利权人：安徽红星阀门有限公司
申请日： 2015-07-28 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： F16K15/03 文献下载
摘要：本发明揭示了一种低水损止回阀，用于防止流体倒流并减小压力损失，所述止回阀包括中空的阀体及安装在阀体内的阀芯组件，所述阀芯组件包括固定于阀体上的阀座、安装于阀座上的盖板及导轨，所述盖板和导轨分别通过销轴安装于阀座上
低水损止回阀

[实用新型]一种5G用低损馈线-CN202021099043.7有效
发明人：许波华;王斌;缪艳华;欧东东;赵瑞静;徐宗铭 -专利权人：中天射频电缆有限公司
申请日： 2020-06-15 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01B7/02 文献下载
摘要：一种5G用低损馈线，从内往外依次包括内导体、绝缘层、外导体和护套层，所述内导体为双金属铜包铝加强内导体，所述绝缘层为物理发泡聚乙烯绝缘层，所述外导体为呈现圆弧状深纹路的螺旋形外导体，所述外导体与所述绝缘层紧密接触本实用新型一种5G用低损馈线，通过CO2+N2双路混合气体注气工艺制备得到的皮泡皮物理发泡双气体三层绝缘层的设置，使得发泡度可提升到83％以上，降低绝缘介电常数0.02以上，使得绝缘介电常数不大于2.27，实现低介质皮泡皮绝缘层；此外还通过螺旋形外导体形状的设计，制备得到的5G用低损馈线动静态三阶互调可达‑170dBC以上，此产品的实现可有效降低
一种用低损馈线

[发明专利]新型二三维结合的双极化带通型雷达吸波体-CN201910457569.3有效
发明人：罗国清;俞伟良;俞钰峰;钱雅惠;潘柏操 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2019-05-29 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01Q15/00 文献下载
摘要：本发明涉及新型二三维结合的双极化带通型雷达吸波体。传统的带通型雷达吸波体基于双层或多层二维平面级联的方式实现，在对损耗层进行设计时，需要对有耗元件所在结构进行特殊设计，才能够在吸波频段内得到低插损通带；而三维结构的带通型雷达吸波体将吸波腔和传输腔分开设计并堆叠而成，能够得到高选择性以及低插损的通带，但是其很难设计成双极化。所提出的二三维结合的双极化带通型雷达吸波体，采用传输线屏蔽的方式，利用传输线的特性对有耗层进行屏蔽，设计简单，原理清晰，结构轻便，并且具有良好的性能。
新型三维结合极化带通型雷达吸波体

[发明专利]一种低功损的双玻组件-CN201611035887.3在审
发明人：戴陈裕;朱琛;何志富;袁志林;夏吉东;李景龙 -专利权人：浙江昱辉阳光能源江苏有限公司
申请日： 2016-11-22 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：本发明公开了一种低功损的双玻组件，双玻组件由上到下依次设有超白压花钢化玻璃、第一EVA胶膜层、电池片、第二EVA胶膜层、浮法玻璃；浮法玻璃背面镀有一层乳白色的高温釉，高温釉厚度为300‑500微米，高温釉的反射率在
一种低功损组件

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