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- [实用新型]线路板-CN202120417238.X有效
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吴丰州;邱承智;李和兴;许轩铭
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欣兴电子股份有限公司
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2021-02-25
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2021-10-08
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H05K1/02
- 一种线路板包括基板、设置在基板上的第一介电层、设置在第一介电层上的第二介电层、具有突出部的衬垫以及元件。具有突出部的衬垫包括平板部和突出部。平板部设置于第一介电层的上表面上，并接触第一介电层的上表面。突出部自平板部突入至第一介电层内，并且每个突出部的宽度介于约15微米至约65微米之间。元件嵌埋在第二介电层中并接触具有突出部的衬垫。借由具有突出部的衬垫的突出部与介电层啮合配置使接触面积增加，让具有突出部的衬垫与介电层之间的结合力有所提升。除此之外，突出部所增加的表面积有助于进行散热。
- 线路板
- [发明专利]发光元件结构-CN202110498691.2在审
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王德忠;杨雅惠
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隆达电子股份有限公司
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2021-05-08
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2022-11-08
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H01L33/46
- 一种发光元件结构，包括发光部和反射部。发光部具有出光面。反射部位于发光部相反于出光面的一侧。反射部为梯度分布式布拉格反射结构，且包括多个第一介电层和多个第二介电层。第二介电层具有与第一介电层不同的折射率，并与第一介电层交错堆叠。每个第一介电层的光学厚度皆不同，且每个第二介电层的光学厚度皆不同。第一介电层和第二介电层的光学厚度自邻近发光部处往远离发光部的方向呈梯度式变化。本发明的反射部可让发光元件结构相较于现有技术具有宽带高反射率的好处。
- 发光元件结构
- [发明专利]一种静电-介电电泳除尘器-CN201410417830.4有效
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阮海生
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阮海生
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2014-08-22
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2014-11-26
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B01D50/00
- 本发明提出了一种静电-介电电泳除尘器，包括静电除尘部和介电电泳过滤部，静电除尘部的出风口与介电电泳过滤部的入风口相连，介电电泳过滤部的出风口与排气通道相连，介电电泳过滤部由DEP净化处理单元组成，DEP净化处理单元包括DEP电极，DEP电极包括相对设置的阳极和阴极，DEP电极通过介电电泳力俘获静电除尘部排出气体中的颗粒物。本发明通过静电除尘部过滤掉进气中的大颗粒粉尘，通过介电电泳过滤部过滤小颗粒特别是可入肺的粉尘，实现对尘粒全范围全面清除。本发明的介电电泳过滤部采用介电电泳原理过滤粉尘，其能耗低，压力损失小，运行成本低。
- 一种静电电泳除尘器
- [实用新型]一种静电-介电电泳除尘器-CN201420478351.9有效
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阮海生
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阮海生
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2014-08-22
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2015-01-28
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B01D50/00
- 本实用新型提出了一种静电-介电电泳除尘器，包括静电除尘部和介电电泳过滤部，静电除尘部的出风口与介电电泳过滤部的入风口相连，介电电泳过滤部的出风口与排气通道相连，介电电泳过滤部由DEP净化处理单元组成，DEP净化处理单元包括DEP电极，DEP电极包括相对设置的阳极和阴极，DEP电极通过介电电泳力俘获静电除尘部排出气体中的颗粒物。本实用新型通过静电除尘部过滤掉进气中的大颗粒粉尘，通过介电电泳过滤部过滤小颗粒特别是可入肺的粉尘，实现对尘粒全范围全面清除。本实用新型的介电电泳过滤部采用介电电泳原理过滤粉尘，其能耗低，压力损失小，运行成本低。
- 一种静电电泳除尘器
- [发明专利]半导体存储器元件及其制备方法-CN201910964409.8在审
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许平
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南亚科技股份有限公司
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2019-10-11
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2020-11-24
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H01L27/108
- 半导体存储器元件具有基底、栅极结构、第一介电质、第二介电质、插塞、储存节点着陆垫、位元线、第三介电质及储存节点。基底具有漏极以及源极。栅极结构配置在基底上，在漏极与源极之间。第一介电质配置在基底上，覆盖栅极结构。第二介电质配置在第一介电质上。插塞具有第一部位及第二部位，第一部位在第一介电质中，第二部位在第二介电质中，第一部位接触基底的源极。储存节点着陆垫覆盖插塞的第二部位，第二介电质覆盖储存节点着陆垫。位元线配置在第二介电质与第三介电质之间，且连接基底的漏极。第三介电质配置在位元线上。储存节点配置在第三介电质上，并穿经第二介电质与第三介电质接触储存节点着陆垫。
- 半导体存储器元件及其制备方法
- [发明专利]形成介电层之间黏着力的方法与结构-CN200310119946.1有效
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吴欣昌
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联华电子股份有限公司
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2003-11-27
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2005-06-01
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H01L21/31
- 本发明提供一形成介电层的间黏着力的方法，包含形成第一介电层以及形成第二介电层，其中形成第二介电层包含形成第一部分以及形成第二部分。在第一介电层上形成第一部分以及在第一部分上形成第二部分。藉由原处(in－situ)的方式形成第一部分以及第二部分。第一部分至少有一介电系数或硬度或SiCH3/SiO面积比(area ratio)高于第二部分。一种加强内黏着(enhanced－inter－adhesion)的介电层结构，包含第一介电层，以及第二介电层有第一部分位于第一介电层的上以及第二部分位于第一部分之上，其中第一部分有一介电系数大约是2.8至3.5且高于第二部分的介电系数。
- 形成介电层之间黏着方法结构
- [发明专利]多层电子组件和介电组合物-CN202111406133.5在审
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咸泰瑛
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三星电机株式会社
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2021-11-24
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2022-06-14
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H01G4/30
- 本公开提供一种多层电子组件和介电组合物。所述多层电子组件包括：主体，包括多个介电层；以及外电极。其中，所述主体被划分为电容形成部和盖部，所述电容形成部的中央部是Aa，所述电容形成部的与所述盖部相邻的边界部是Ab，对应于包含在Aa中的多个介电晶粒中的从最小晶粒尺寸开始按增大的顺序的介电晶粒的前50％的介电晶粒尺寸是D50a，并且对应于包含在Ab中的多个介电晶粒中的从最小晶粒尺寸开始按增大的顺序的介电晶粒的前50％的介电晶粒尺寸是D50b，D50a满足小于或等于190nm，D50b满足大于或等于120nm
- 多层电子组件组合
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