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[发明专利]二硫化钨复合型纳米颗粒及其制备方法和作为析氢反应电催化剂的应用-CN202210400373.2在审
发明人：骆兴芳;袁彩雷;胡策;周行;俞挺;郭满满;杨勇;徐铿 -专利权人：江西师范大学
申请日： 2022-04-16 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C23C14/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种二硫化钨复合型纳米颗粒及其制备方法和作为析氢反应电催化剂的应用。所述二硫化钨复合型纳米颗粒是采用脉冲激光沉积技术结合快速退火方法制备获得的，制备方法具体为：提供衬底和靶材，所述靶材为二硫化钨靶和碳靶的混合靶材；在真空环境中，使所述衬底和靶材沿相反方向旋转，并利用准分子激光轰击所述靶材，使得所述靶材中的二硫化钨和碳交替沉积到所述衬底上；在惰性气体氛围中，将沉积了二硫化钨和碳的所述衬底进行退火处理，得到所述二硫化钨复合型纳米颗粒。这种新颖的二硫化钨复合型纳米颗粒在充分暴露边缘催化活性位点的同时保证了较好的导电性，在电解水析氢反应中表现出优异的催化活性和良好的稳定性。
硫化复合型纳米颗粒及其制备方法作为反应催化剂应用

[发明专利]一种硫化钨靶材的制备方法-CN201810568118.2有效
发明人：康明生;崔娜;朱辉;郄奕;张卫;李松敏 -专利权人：河北东同光电科技有限公司
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： C04B35/547 文献下载
摘要：一种硫化钨靶材的制备方法，属于非金属靶材的技术领域，采用真空热压烧结制备，包括以下步骤：A、硫化钨的预处理：将硫化钨与二硫化钼粉体、碳粉混合均匀，得混合物料，备用；B、真空热压烧结：将步骤A得到的混合物料装入模具中1300‑1550℃，烧结压力25‑38MPa，并保温保压2‑5h，烧结完成后，降温至810‑850℃，撤压，降温到150℃以下时，出炉，得到粗坯；C、精加工：将步骤B得到的粗坯经过切割、平面磨加工，得到硫化钨靶材本发明简单、易操作，安全无污染，填补了硫化钨靶材制备的空白，且制备的硫化钨靶材密度高、稳定性好。
一种硫化钨靶材制备方法

[发明专利]一种二硫化钨在激光解吸电离质谱检测中的应用-CN201310591500.2无效
发明人：孔祥蕾;张森;倪彧;李树奇;翟伟;霍翟羿 -专利权人：南开大学
申请日： 2013-11-22 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： G01N27/64 文献下载
摘要：一种二硫化钨在激光解吸电离质谱中的应用，将二硫化钨作为表面辅助激光解吸电离的表面材料用于有机小分子的质谱检测，先配制二硫化钨悬浮液，将上述二硫化钨悬浮液，超声振荡5分钟，快速取1μL悬浮液点于样品靶点上本发明的优点是：该质谱检测方法操作方便、成本低，在溶剂中分散度较好，样品靶点分布均匀，重现性好、通用性强，有机分子的离子化效率高，二硫化钨能有效抑制核黄素在激光解吸电离过程中还原反应的发生，为研究核黄素在人体中的代谢过程有重要意义
一种硫化激光解吸电离检测中的应用

[发明专利]一种钛、铅共掺杂二硫化钨复合薄膜的制备方法-CN201910320095.8在审
发明人：胡建强;郭力;徐克明;徐新;杨士钊;郑全喜 -专利权人：中国人民解放军空军勤务学院
申请日： 2019-04-19 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种钛、铅共掺杂二硫化钨复合薄膜的制备方法，包括如下步骤：S1、对不锈钢片进行前物理化学清洗，磨光、抛光处理，刻蚀样品表面，除去样品表面的氧化物和其他污染物；S2、将二硫化钨靶、钛靶、铅靶和前处理后的不锈钢片装入闭合场非平衡磁控溅射沉积室，将沉积室的抽气压，通入高纯氩气为工作气体，将脉冲偏压施加至基材上；S3、调节钛靶电流，先在基底表面沉积一层过渡层，以提高薄膜与基底之间的结合力；S4、通过同时调节钛靶和铅靶电流，溅射一定时间后，制备得到本发明方法工艺简单，能同时提高二硫化钨复合薄膜的硬度、弹性模量等力学性能和抗氧化性能，以及潮湿环境中的耐磨、润滑等摩擦学性能。
二硫化钨复合薄膜制备不锈钢片沉积室共掺杂钛靶弹性模量闭合场非平衡磁控溅射物理化学二硫化钨靶抗氧化性能摩擦学性能潮湿环境高纯氩气工作气体基底表面刻蚀样品力学性能脉冲偏压抛光处理样品表面钛靶电流过渡层结合力前处理磨光氧化物基材基底溅射耐磨沉积气压薄膜装入清洗污染物施加

[发明专利]一种耐磨二硫化钨薄膜的制备方法-CN201710207006.X有效
发明人：郑晓华;杨芳儿;沈靖枫;徐秉政;李昂;鲁叶 -专利权人：浙江工业大学
申请日： 2017-03-31 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：一种耐磨二硫化钨薄膜的制备方法，包括如下步骤：(1)对单晶硅片进行前处理，使其表面清洁、粗糙度不高于Ra 0.1；将石墨靶、WS₂靶和前处理后的单晶硅片装入多靶磁控溅射沉积室，将沉积室的气压抽至1.0×10^‑3 Pa后，调整好靶基距，并将脉冲直流负偏压施加至基材上；(2)通入高纯氩气为工作气体，然后以石墨靶作为溅射靶材，于单晶硅片表面沉积厚度为20nm～400nm的非晶态碳膜；(3)将步骤(2)所得非晶态碳膜的温度调整到200℃，然后以WS₂靶为溅射靶材，在非晶态碳膜上沉积厚度为140～740nm的WS₂薄膜，从而获得二硫化钨薄膜本发明方法工艺简单、经济性较好，能显著提高二硫化钨薄膜的力学性能以及在真空或潮湿环境中的耐磨性能。
一种耐磨硫化薄膜制备方法

[发明专利]硫化钨与氮化钨复合薄膜材料及其制备方法-CN201010621480.5有效
发明人：袁志刚;方前锋;杨俊峰;程帜军;王先平 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2010-12-31 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种硫化钨与氮化钨复合薄膜材料及其制备方法。材料包括基底及其上的薄膜，薄膜为化学式为WS2-2xNx的复合薄膜，化学式WS2-2xNx中的W为钨、S为硫、N为氮、x的取值范围为0.1～0.9，复合薄膜的厚度为1～6μm，其由致密排列的粒径为5～20nm的颗粒构成；方法为先将由金属钨与硫化钨构成的复合靶和基底分别置于磁控溅射设备真空室内的阴极上和样品台中，其中，复合靶中的金属钨与硫化钨之间的面积比为1～2∶1～5，复合靶与基底之间的距离为60～100mm，再待真空室的真空度≤3×10-3pa、基底温度达200～300℃后，使真空室处于氩氮混合气氛下，溅射1～5h，制得硫化钨与氮化钨复合薄膜材料。
硫化氮化复合薄膜材料及其制备方法

[发明专利]钨钛靶材的车削方法-CN201510315997.4在审
发明人：姚力军;潘杰;相原俊夫;大岩一彦;王学泽;马松 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2015-06-10 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： B23B1/00 文献下载
摘要：一种钨钛靶材的车削方法，包括：提供钨钛靶材和背板；将所述钨钛靶材和背板焊接在一起，形成钨钛靶材组件；采用第一刀具对所述钨钛靶材组件中的所述钨钛靶材进行第一车削，所述第一刀具切削刃的夹角为80°；在所述第一车削后，对所述钨钛靶材组件的所述背板进行加工；在对所述钨钛靶材组件的所述背板进行加工后，采用第二刀具对所述钨钛靶材的坯料进行第二车削，所述第二刀具切削刃的夹角为35°～55°。所述车削方法以提高所形成的钨钛靶材的质量，并且减缓刀具的磨损。
钨钛靶材车削方法

[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法-CN201310452078.2无效
发明人：周明杰;黄辉;张娟娟;王平 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-09-27 - 公布日： 2015-04-15 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极，阴极层由第一薄膜层，掺杂层和第二薄膜层组成，第一薄膜层材料选自铟锡氧化物靶材、铝锌氧化物靶材和铟锌氧化物靶材中至少一种，掺杂层材料包括金属硫化物，双极性金属氧化物和金属氧化物，所述金属氧化物材料选自氧化锌、氧化镁、二氧化钛和氧化锆中至少一种，所述双极性金属氧化物材料选自三氧化钼，三氧化钨和五氧化二钒中至少一种，所述金属硫化物选自硫化锌、硫化镉、硫化镁和硫化铜中至少一种，所述第二薄膜层材料与所述第一薄膜层材料相同。
有机电致发光器件及其制备方法

[发明专利]一种纳米级二硫化钨材料及其制备方法、装置-CN202011581264.2有效
发明人：路振先;潘琦 -专利权人：浙江爱润特汽车科技有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： B02C21/00 文献下载
摘要：本发明公开一种纳米级二硫化钨材料及其制备方法、装置，所述纳米级二硫化钨材料包括下面原料组分，各组分的重量配比为：氯化钙溶液、钨酸钠溶液、环己烷溶液、正丁烷溶液、盐酸、高纯硫粉；所述一种纳米级二硫化钨材料的制备方法包括如下步骤：按配方比称取原料、制备钨酸钙、制备氧化钨、准备工作、制备二硫化钨、破碎、粉碎；所述一种纳米级二硫化钨材料制备方法的装置，对二硫化钨材料进行破碎、粉碎处理，制得纳米级二硫化钨。本发明二硫化钨材料，制备过程简单，不使用有毒气体，安全可靠，操作简单，制备效果好。
一种纳米硫化材料及其制备方法装置

[实用新型]一种用于二硫化钨检测的预处理装置-CN201822153876.6有效
发明人：王阳晖;聂禄君 -专利权人：上海昂维科技有限公司
申请日： 2018-12-21 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： G01N1/44 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于二硫化钨检测的预处理装置，包括高温反应炉、脉冲加热仪和碳多孔分子筛；将待检测的二硫化钨放置在石墨坩埚内，通过脉冲加热仪对二硫化钨进行脉冲加热，二硫化钨熔样变成气相产物；通过温控系统控制脉冲加热仪的加热功率，氩气通入管向高温反应炉内通入氩气，气相的二硫化钨在氩气的带动下向上流动，穿过碳多孔分子筛，碳多孔分子筛吸收二硫化钨内的硫元素，气相二硫化钨进入除硫腔，碱石棉进一步吸收硫元素；除硫后的气相二硫化钨接触到降温板，通过降温装置使得二硫化钨温度降低重新变成固态，氩气通入管辅助除硫后二硫化钨更好的接触降温板，固态二硫化钨进入收集槽内。
二硫化钨氩气多孔分子筛脉冲加热高温反应炉预处理装置降温板硫元素通入管检测本实用新型加热功率降温装置控制脉冲气相产物石墨坩埚温度降低温控系统碱石棉收集槽熔样吸收加热穿过

[发明专利]二硫化钼/二硫化钨多层掺钽薄膜及其制备方法与应用-CN202010057982.3在审
发明人：蒲吉斌;曾春;王海新;王立平;薛群基 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2020-01-19 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种二硫化钼/二硫化钨多层掺钽薄膜及其制备方法与应用。所述二硫化钼/二硫化钨多层掺钽薄膜包括在其厚度方向上依次层叠的钛过渡层、钛/钽/二硫化钼/二硫化钨多层梯度过渡层和二硫化钼/二硫化钨多层钽掺杂层。所述制备方法包括：采用磁控溅射技术，在基体表面依次沉积钛过渡层、钛/钽/二硫化钼/二硫化钨多层梯度过渡层和二硫化钼/二硫化钨多层钽掺杂层，获得二硫化钼/二硫化钨多层掺钽薄膜。本发明的二硫化钼/二硫化钨多层掺钽薄膜具有良好的基底结合强度、硬度及弹性模量，在大气环境不同温度下均具有良好的摩擦磨损性能、良好温度自适应性能、耐湿热、耐高温氧化性能，能满足航空航天飞行器润滑稳定及长寿命服役要求
二硫化钼硫化多层薄膜及其制备方法应用

[发明专利]二硫化钼/二硫化钨多层掺钽薄膜及其制备方法与应用-CN202010716602.2有效
发明人：蒲吉斌;曾春;王海新;王立平;薛群基 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种二硫化钼/二硫化钨多层掺钽薄膜及其制备方法与应用。所述二硫化钼/二硫化钨多层掺钽薄膜包括在其厚度方向上依次层叠的钛过渡层、钛/钽/二硫化钼/二硫化钨多层梯度过渡层和二硫化钼/二硫化钨多层钽掺杂层。所述制备方法包括：采用磁控溅射技术，在基体表面依次沉积钛过渡层、钛/钽/二硫化钼/二硫化钨多层梯度过渡层和二硫化钼/二硫化钨多层钽掺杂层，获得二硫化钼/二硫化钨多层掺钽薄膜。本发明的二硫化钼/二硫化钨多层掺钽薄膜具有良好的基底结合强度、硬度及弹性模量，在大气环境不同温度下均具有良好的摩擦磨损性能、良好温度自适应性能、耐湿热、耐高温氧化性能，能满足航空航天飞行器润滑稳定及长寿命服役要求
二硫化钼硫化多层薄膜及其制备方法应用

[发明专利]二硫化钨/二硒化钨电极材料、制备方法及其应用-CN202310145892.3在审
发明人：孔德斌;冯文婷;智林杰;韩俊伟;岳金书 -专利权人：中国石油大学（华东）
申请日： 2023-02-20 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明属于钾离子电池电极材料技术领域，公开了二硫化钨/二硒化钨电极材料、制备方法及其应用，将高温反应获得的二硫化钨/二硒化钨块体材料与小尺寸离子液体或有机小分子机械混合，离子液体或小分子作为插层剂插入二硫化钨/二硒化钨分子层间中调控层间结构，获得扩层且剥离的超分散二硫化钨/二硒化钨材料；在超分散的二硫化钨/二硒化钨材料中引入铁磁性金属阳离子，获得铁磁性金属阳离子掺杂的超分散二硫化钨/二硒化钨电极材料。本发明利用“插层剥离‑阳离子掺杂”相结合的策略获得具有大层间距、小尺寸、少层数、超分散且具有一定铁磁性特性的二硫化钨/二硒化钨电极材料，用于钾离子电池负极材料，容量可达336mAh·g
硫化二硒化钨电极材料制备方法及其应用

[发明专利]一种二硫化钨/二硫化钼复合物及其制备方法-CN201510416794.4有效
发明人：胡坤宏;胡恩柱;秦广超;赵楠楠;王柳 -专利权人：合肥学院
申请日： 2015-07-16 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： C01G41/00 文献下载
摘要：一种二硫化钨/二硫化钼复合物及其制备方法，涉及润滑剂与光催化剂技术领域。二硫化钨/二硫化钼复合物由尺寸为100～300nm的层片状微粒堆积形成团聚体结构，通过硫代乙酰胺在酸性条件下水解产生硫化氢来硫化钼酸盐，从而获得非晶态硫化钼；同时，通过盐酸酸化钨酸盐获得钨酸，非晶态硫化钼与钨酸从反应体系中共沉淀成复合物前驱体；再将该复合物前驱体与单质硫混合并加热硫化使氧化钨转变为二硫化钨，接着再加热使非晶态硫化钼煅烧脱硫，获得二硫化钨/二硫化钼复合物。
一种硫化二硫化钼复合物及其制备方法

[发明专利]一种镀铜二硫化钨的制备方法、镀铜二硫化钨及其应用-CN202010705275.0有效
发明人：涂川俊;任改梅;巩佩;刘成东;杨虎跃 -专利权人：湖南大学
申请日： 2020-07-21 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： C23C18/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种镀铜二硫化钨的制备方法，包括以下步骤：(1)将二硫化钨粉末与还原粉末在有机溶剂中超声混匀得到混合溶液；(2)向步骤(1)的混合溶液中加入铜盐溶液，搅拌反应，过滤分离收集滤渣得到镀铜二硫化钨初品；(3)洗涤步骤(2)中的镀铜二硫化钨初品，在保护气氛下干燥，即得到所述镀铜二硫化钨。本发明还提供一种镀铜二硫化钨及其应用。该镀铜二硫化钨相比于常规二硫化钨，可以有效改善二硫化钨在电碳材料中应用的电性能，导电性能更高，容易与碳刷其他碳相有效混匀加工提高了碳刷的综合性能，有效延长了电碳的使用寿命。
一种镀铜硫化制备方法及其应用

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