专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]黄光制程银浆及制备方法和触摸屏-CN201410082756.5有效
  • 田耕;刘洪 - 广州北峻工业材料有限公司
  • 2014-03-07 - 2014-05-28 - H01B1/22
  • 本发明涉及一种黄光制程银浆,包括银粉,高分子树脂,溶剂,所述黄光制程银浆还包括银粉重量0.001-0.1%的纳米导电碳粒子。本发明还涉及黄光制程银浆,银粉处理:将纳米导电碳粒子在部分溶剂中分散均匀后,加入纳米银,加热至10%-60%的溶剂挥发;高分子树脂处理:加入高分子树脂和剩余溶剂,加热充分溶解,过滤杂质或不溶物;银浆制备:将处理后的银粉和高分子树脂在三辊机中研磨至细度1-8微米,得到黄光制程银浆。还涉及一种触摸屏,包括不可视区域的导电线路,所述导电线路通过黄光制程前述的黄光制程银浆得到。本发明提供的黄光制程银浆,通过添加少量的导电碳粒子,增强了体系的分散性,进一步降低了体积电阻率。
  • 黄光制程银浆制备方法触摸屏
  • [发明专利]LED自对准粗化制程方法-CN201310035120.0无效
  • 卢昶鸣;何善良 - 合肥彩虹蓝光科技有限公司
  • 2013-01-30 - 2013-05-08 - H01L33/00
  • 本发明公开一种LED自对准粗化制程方法,包括:完成黄光和蒸镀制程,将LED电极完成;透过氧电浆进行光刻胶灰化蚀刻,将曝光显影区域线宽变大;进行自对准粗化用的保护层蒸镀,使用低温镀膜技术进行薄膜制程蒸镀,作为后续粗化制程用的保护层;完成保护层镀膜后,进行金属和保护层的剥离和去胶;进行粗化制程,后续将保护层用氟化铵混合溶液进行蚀刻去除。本发明透过氧电浆进行光刻胶灰化蚀刻,退光阻和低温镀膜技术,将电极进行保护,不仅可以少一道黄光制程,从而降低制作成本,又可避免因黄光曝光精准度和有机物残留,造成良率的损失,提升产品良率。
  • led对准粗化制程方法
  • [发明专利]一种III族半导体发光器件的制作方法-CN201510027675.X有效
  • 许顺成 - 湘能华磊光电股份有限公司
  • 2015-01-20 - 2017-08-29 - H01L33/24
  • 本申请公开了一种III族半导体发光器件的制作方法,包括衬底、缓冲层、n型氮化物半导体层、有源层和p型氮化物半导体层自下而上依次生长形成外延结构;利用黄光蚀刻制程定义凸台图案,蚀刻p型氮化物半导体层和有源层,暴露n型氮化物半导体层,得到凸台;沉积透明导电层,利用黄光蚀刻制程定义透明导电层图案,蚀刻透明导电层;沉积绝缘层,利用黄光蚀刻制程定义要参于电流分布的图案,蚀刻绝缘层和/或透明导电层;黄光剥离制程定义P型电极和N型电极图案,沉积P型电极和N型电极,利用剥离制程,去除光阻,制成圆片;最后将圆片进行减薄、划片、裂片、测试、分选。
  • 一种iii半导体发光器件制作方法
  • [发明专利]一种黄光制程光刻机零部件正光阻再生方法-CN201710230618.0有效
  • 范银波 - 安徽高芯众科半导体有限公司
  • 2017-04-11 - 2020-10-27 - G03F7/42
  • 本发明涉及光电技术领域,特别涉及一种黄光制程光刻机零部件正光阻再生方法。本发明所述的一种黄光制程光刻机零部件正光阻再生方法,采用常规的毒性小近乎无毒的酮有机溶剂系对黄光制程光刻机零部件正光阻进行清洗去除以便再生使用,三种不同类的酮有机溶剂按照科学合理的比例进行复配,大大提高了复配溶剂的溶解力和蒸发速率对环境友好,同时酮有机溶剂具有还原性,可以很好的抑制零部件表面的腐蚀和老化,很好的保护零部件不会造成其腐蚀和老化,保证了零部件的再生使用效果,不会对零部件的使用产生影响;使用本发明的浸泡清洗液和再生方法再生黄光制程光刻机零部件正光阻再生次数可达
  • 一种黄光制程光刻零部件正光再生方法

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