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[发明专利]等离子体处理装置、等离子体处理方法以及存储介质-CN200810149537.9有效
发明人：田中诚治 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-09-10 - 公布日： 2009-03-18 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：在使用多个高频电源进行等离子体处理的等离子体处理装置中，在至少一个高频电源中产生过大反射波时，停止该高频电源输出的同时，瞬间停止其他高频电源的输出。多个高频电源分别具备：振荡器、通信部、通过该通信部接收停止信号并停止振荡器输出的输出停止部，上述多个高频电源中的至少一个高频电源的输出停止部监视从该高频电源振荡器输出的高频，在高频异常时停止该振荡器的输出，同时，向上述通信部输出停止信号。而且，为了将来自上述监视部的停止信号直接发送到其他高频电源，将上述至少一个高频电源的通信部和其他高频电源的通信部连接。
等离子体处理装置方法以及存储介质

[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理装置的操作方法-CN201410022526.X在审
发明人：古屋敦城;东条利洋 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2014-01-17 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理装置，其将从至少两个高频电源分别向上部电极和/或下部电极供给与等离子体相关的高频电力，可靠地检测反射波的变动，将异常放电发生防患于未然。阈值设定部（123）在来自第二高频电源部（75）的高频的供给稳定后，在时刻（T3）在第一高频电源部（65）和第二高频电源部（75）中，将遮断用阈值的电平均切换为相对低的电平。该遮断用阈值的相对低的电平在第一高频电源部和第二高频电源部中，均从相同的时间继续。在时刻（T4），由第一高频电源部开始第一次的电力供给的增加时，阈值设定部重新设定遮断用阈值，分别提升至相对高的电平。该相对高的电平在第一高频电源部和第二高频电源部中从相同的时间继续。
等离子体处理装置操作方法

[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理装置的操作方法-CN201810889087.0有效
发明人：古屋敦城;东条利洋 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2014-01-17 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理装置，其将从至少两个高频电源分别向上部电极和/或下部电极供给与等离子体相关的高频电力，可靠地检测反射波的变动，将异常放电发生防患于未然。阈值设定部(123)在来自第二高频电源部(75)的高频的供给稳定后，在时刻(T3)在第一高频电源部(65)和第二高频电源部(75)中，将遮断用阈值的电平均切换为相对低的电平。该遮断用阈值的相对低的电平在第一高频电源部和第二高频电源部中，均从相同的时间继续。在时刻(T4)，由第一高频电源部开始第一次的电力供给的增加时，阈值设定部重新设定遮断用阈值，分别提升至相对高的电平。该相对高的电平在第一高频电源部和第二高频电源部中从相同的时间继续。
等离子体处理装置操作方法

[发明专利]等离子体处理装置和生成等离子体的方法-CN201980004388.3有效
发明人：久保田绅治 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-06-10 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：例示的实施方式的等离子体处理装置包括腔室、高频电源部和修正信号生成部。高频电源部在第一期间输出脉冲状的高频电功率。高频电源部在第一区间之后的一个以上的第二期间输出合成高频电功率。修正信号生成部生成相对于第一期间的反射波监测信号以反相振荡的修正信号。高频电源部使用修正信号来生成合成高频电功率。电源部交替地反复进行第一期间的脉冲状的高频电功率的输出和一个以上的第二期间的合成高频电功率的输出。
等离子体处理装置生成方法

[发明专利]电池内置型便携式高频治疗仪-CN201480000413.8有效
发明人：金相斗 -专利权人：韩国哈贝任医学美容仪器有限公司
申请日： 2014-01-28 - 公布日： 2014-10-22 - 主分类号： A61N1/06 文献下载
摘要：本发明涉及利用将高频施加于人体所产生的深层发热进行治疗的高频治疗仪，尤其涉及在外壳上内置为产生高频而提供电源的电池以便于携带，不受地点和时间的限制随时随地进行治疗，电池和用于产生高频电源的驱动模块通过连接器连接，因此，电池容易分离更换的电池内置型便携式高频治疗仪。本发明的电池内置型便携式高频治疗仪，包括：电池；驱动模块，包括利用外部电源对上述电池进行充电的充电部，及利用上述电池的电源产生高频电源的高频电源部；陶瓷，与上述高频电源部连接并向人体施加高频电源；外壳，
电池内置便携式高频治疗

[发明专利]等离子体处理装置及等离子体处理方法-CN202011450996.8在审
发明人：舆水地盐;玉虫元;井上雅博 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：公开的等离子体处理装置具备腔室、基板支承器、高频电源、偏置电源及控制部。偏置电源构成为周期性地将脉冲状的负极性的直流电压施加到基板支承器。控制部构成为控制高频电源。控制部为了降低来自高频电源的负载的反射波的功率电平，控制高频电源，以使在对基板支承器施加来自偏置电源的脉冲状的负极性的直流电压的周期内供给其频率变化的高频电力。
等离子体处理装置方法

[发明专利]高频加热装置-CN201980050098.2有效
发明人：夘野高史;细川大介;小笠原史太佳;福井干男;吉野浩二;大森义治 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2019-08-01 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H05B6/54 文献下载
摘要：高频加热装置(1A)具有平板状的第1电极(11)、平板状的多个第2电极(12)、高频电源(20)、匹配部(30)、控制部(40)和电场调整部(50)。多个第2电极(12)与第1电极(11)相对配置。高频电源(20)对第1电极(11)施加高频电压。匹配部(30)配置在第1电极(11)和高频电源(20)之间，取得与高频电源(20)的阻抗匹配。控制部(40)控制高频电源(20)。
高频加热装置

[发明专利]高频电源装置及高频功率供给方法-CN200710188373.6有效
发明人：早野英一;中村刚;前川泰范;饭塚浩;陈金元 -专利权人：巴尔工业株式会社;中微半导体设备(上海)有限公司
申请日： 2007-11-20 - 公布日： 2008-05-28 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明提供一种高频电源装置及高频功率供给方法，其可以精度优良地在短时间内控制并供给等离子体生成所需要的有效的高频功率。其至少包括：向等离子体处理室(5)供给第一频率f1的高频功率的第一高频电源部(11)；及供给第二频率f2(f1＞f2)的高频功率的第二高频电源部(71)。在第一高频电源部(11)中包括：振荡第一频率的高频功率的频率可变的第一高频振荡部(16)；接受第一高频振荡部的输出，并将其功率进行放大的第一功率放大部(15)；对反射波进行外差式检波的外差式检波部(13)；接收由外差式检波部检波后的信号和行波信号，并对第一高频振荡部的振荡频率和第一功率放大部的输出进行控制的第一控制部(14)。
高频电源装置功率供给方法

[发明专利]高频加热装置-CN202280012601.7在审
发明人：细川周子;细川大介;福井干男;夘野高史;高野伸司 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2022-02-04 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H05B6/54 文献下载
摘要：本公开的高频加热装置具备加热室、第一电极、第二电极、高频电源以及控制部。第一电极是配置在加热室内的电极。第二电极是配置在加热室内并与第一电极相对的电极。高频电源产生高频电力。控制部对高频电源进行控制。控制部使高频电源向第一电极和第二电极之间施加高频电力，对载置在第一电极与第二电极之间的被加热物的加热进行控制。控制部以选择性地进行针对被加热物整体的普通模式下的加热和抑制被加热物的局部过加热的保护模式下的加热的方式，对高频电源进行控制。
高频加热装置

[实用新型]分体式高频电刀-CN201620129179.5有效
发明人：王锐;杨安波 -专利权人：王锐
申请日： 2016-02-19 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： A61B18/12 文献下载
摘要：本专利公开了医疗用高频电刀，具体是分体式高频电刀。分体式高频电刀，包括壳体、电极、连接导线与高频发生器，壳体包括电极部与电源部；电极安装在电极部的前端，电极部的侧壁上设有外螺纹，电极部的外端设有与电极电性连接的导电片，高频发生器安装于电源部内，电源部后端设有将高频发生器与市电连接的电源线，电源部前端设有套筒，套筒内壁上设有与外螺纹匹配的内螺纹，套筒内设有与导电片位置及形状对应的插槽。本专利克服了现有技术中存在的手术成本高，高频电刀的有效使用率低的缺陷，提供了一种能将电极与壳体拆装连接，通过多种电极与壳体组合来降低手术成本，提高高频电刀的有效使用率的分体式高频电刀。
体式高频

[发明专利]等离子体处理装置-CN201780026498.0在审
发明人：永关一也;大下辰郎;永海幸一 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-04-14 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：一个实施方式的等离子体处理装置包括腔室主体、载置台和高频电源部。腔室主体提供腔室。腔室主体与接地电位连接。载置台具有下部电极，设置在腔室内。高频电源部与下部电极电连接。高频电源部生成向下部电极供给的偏置用的输出波。高频电源部产生使基频的高频的电压波形的正电压成分减少的输出波。
高频电源部腔室主体等离子体处理装置下部电极输出波载置台电压波形接地电位能量降低电连接正电压基频偏置腔室离子照射室内

[发明专利]等离子体处理装置及等离子体处理方法-CN202110811133.7在审
发明人：舆水地盐 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-07-19 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明所公开的等离子体处理装置具备腔室、基板支承器、高频电源及偏置电源。高频电源向高频电极供给高频电力。偏置电源向偏置电极施加电偏置。搭载于基板支承器上的边缘环接收电偏置的一部分或其他电偏置。外圈相对于边缘环在径向上且在外侧延伸，接收高频电力的一部分。高频电力的功率电平在电偏置的各周期内，与电偏置同步变更。
等离子体处理装置方法

[发明专利]高频加热装置-CN201780013089.7有效
发明人：友村佳伸 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2017-01-17 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H05B6/66 文献下载
摘要：微波加热烹调器(1)包括高频电源(10)。高频电源(10)包括第一半导体放大电路(放大器)(3)、第二半导体放大电路(放大器)(4)、天线(电力供应部)(5)、高频产生部(6)、商用电源(交流电源)(7)、第一全波整流电路(11)、开关变换器(高频产生部(6)由商用变压器(20)、第二全波整流电路(21)、电阻器(22、23)、放大器(24)、模拟乘法器(振幅调制部)(25)及高频振荡器(振荡器)(26)等构成。模拟乘法器(25)利用与商用电源(7)的周期的半个周期同步的信号波，对来自高频振荡器(26)的输出电压进行振幅调制。
高频加热装置

[发明专利]加热装置及加热方法-CN201110331913.8无效
发明人：徐德照 -专利权人：东莞市星杰热处理有限公司
申请日： 2011-10-27 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： H05B6/10 文献下载
摘要：一种加热装置包括高频电源及感应管。高频电源能提供高频电流。感应管包括可收容于工件的凹部内的直管部，高频电源在直管部上通入高频电流。上述加热装置中，根据电磁感应原理，直管部周围产生高频变化的磁场，工件的凹部处于直管部形成的变化磁场中，凹部内有形成感应电流，对凹部进行局部加热。当凹部较小时，直管部可以根据工件的凹部的大小设计成相应的粗细程度，能够容易将直管部设于工件的凹部内。上述加热装置能够对工件的局部进行加热处理，能够处理凹部较小工件的加热处理。
加热装置方法

[发明专利]等离子体处理装置和控制生成源高频功率的生成源频率的方法-CN202280010797.6在审
发明人：玉虫元;舆水地盐;井上雅博;松山昇一郎 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明所公开的等离子体处理装置包括腔室、基片支承部、高频电源和偏置电源控制部。高频电源产生生成源高频功率以在腔室内生成等离子体。偏置电源对基片支承部的偏置电极周期性地施加具有波形周期的偏置能量。高频电源根据生成源高频功率的反射的程度的变化，来调整多个波形周期中的第m个波形周期内的第n个相位期间中的生成源高频功率的生成源频率。
等离子体处理装置控制生成高频功率频率方法

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