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[发明专利]等离子体喷镀装置和等离子体喷镀方法-CN202010819371.8在审
发明人：大西辽;西田辰夫;古屋敦城 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-08-14 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： C23C4/134 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体喷镀装置和等离子体喷镀方法。提供能够控制等离子体射流的形状的技术。本公开的一技术方案的等离子体喷镀装置具备：供给部，其利用第1气体运送喷镀材料的粉末，并从顶端部的开口喷射该粉末；等离子体生成部，其使用喷射出的所述第1气体生成芯轴与所述供给部共通的等离子体；气体流路，其向所述等离子体的生成空间供给第2气体，该第2气体用于形成以所述供给部的中心轴线为旋转轴线的涡流；以及磁场产生部，其在所述等离子体的生成空间相对于所述供给部的中心轴线产生期望的分布的磁场。
等离子体装置方法

[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理装置的操作方法-CN201810889087.0有效
发明人： 古屋敦城;东条利洋 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2014-01-17 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理装置，其将从至少两个高频电源分别向上部电极和/或下部电极供给与等离子体相关的高频电力，可靠地检测反射波的变动，将异常放电发生防患于未然。阈值设定部(123)在来自第二高频电源部(75)的高频的供给稳定后，在时刻(T3)在第一高频电源部(65)和第二高频电源部(75)中，将遮断用阈值的电平均切换为相对低的电平。该遮断用阈值的相对低的电平在第一高频电源部和第二高频电源部中，均从相同的时间继续。在时刻(T4)，由第一高频电源部开始第一次的电力供给的增加时，阈值设定部重新设定遮断用阈值，分别提升至相对高的电平。该相对高的电平在第一高频电源部和第二高频电源部中从相同的时间继续。
等离子体处理装置操作方法

[发明专利]等离子体处理装置-CN201780007258.6有效
发明人：山泽阳平;古屋敦城 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-01-10 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理装置，其具有：处理容器；高频电源，其向所述处理容器供给高频电力，来在所述处理容器的内部形成等离子体；规定的连接部，其设置于所述高频电源与所述处理容器之间；以及负载变动稳定化电路，其通过所述连接部而与所述处理容器并联连接，用于抑制从所述连接部看向下游侧时的负载阻抗的变动。
等离子体处理装置

[发明专利]等离子体处理装置和等离子体分布调整方法-CN201810151742.2有效
发明人：佐佐木和男;齐藤均;山泽阳平;古屋敦城;内藤启 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2014-07-04 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： C23C16/505 文献下载
摘要：本发明提供一种能够抑制由等离子体导致的金属窗的溅射削落并且能够进行等离子体的强度的分布调整的感应耦合型的等离子体处理装置。该对基板(G)进行等离子体处理的等离子体处理装置(100)包括：在等离子体生成区域内产生感应耦合等离子体的高频天线(11)；和配置在等离子体生成区域与高频天线(11)之间，与主体容器绝缘的金属窗(3)。金属窗(3)具有利用绝缘体相互绝缘的多个金属窗(30a～30d)，使这些金属窗(30a～30d)各自通过一个接地点接地。
等离子体处理装置分布调整方法

[发明专利]等离子体处理装置和等离子体分布调整方法-CN201410319167.4有效
发明人：佐佐木和男;齐藤均;山泽阳平;古屋敦城;内藤启 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2014-07-04 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种能够抑制由等离子体导致的金属窗的溅射削落并且能够进行等离子体的强度的分布调整的感应耦合型的等离子体处理装置。该对基板(G)进行等离子体处理的等离子体处理装置(100)包括：在等离子体生成区域内产生感应耦合等离子体的高频天线(11)；和配置在等离子体生成区域与高频天线(11)之间，与主体容器绝缘的金属窗(3)。金属窗(3)具有利用绝缘体相互绝缘的多个金属窗(30a～30d)，使这些金属窗(30a～30d)各自通过一个接地点接地。
金属窗等离子体处理装置等离子体生成区域等离子体高频天线绝缘绝缘体感应耦合等离子体等离子体处理等离子体分布感应耦合型分布调整主体容器接地对基板接地点溅射配置

[发明专利]基板载置台和基板处理装置-CN201310573742.9有效
发明人： 古屋敦城;佐佐木芳彦 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2013-11-15 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种在剥离被处理基板时难以产生因被处理基板的吸附现象导致的基板的破裂以及残留的电荷或剥离带电导致的元件的静电破坏的基板载置台和使用其的基板处理装置。该基板载置台包括包括静电卡盘的载置台主体，该静电卡盘在具有载置基板的载置面的上部绝缘部件内设置被施加直流电压的吸附电极；对载置台主体调节温度的温度调节机构；和对基板的背面侧供给传热气体的传热气体供给机构，具有在载置有基板时在基板与比周缘载置部靠内侧的内侧部分的上表面之间被供给传热气体的空间，吸附电极不存在于与周缘载置部对应的部分，周缘载置部具有凹部，该凹部使得附着于周缘载置部的上表面的副生成物不粘着在载置在周缘载置部上的基板的背面。
基板载置台处理装置

[发明专利]等离子体处理装置-CN201410203140.9有效
发明人：佐藤亮;内藤启;里吉务;古屋敦城 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2014-05-14 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种具有能够容易地应对高输出化的高频电源的等离子体处理装置。本发明的第一高频电源部(65)具有电源控制部(130)、高频电源(140)和合成器(150)。多个放大部(142)彼此并联地连接到合成器(150)上，合成器(150)对由各放大部(142)放大后的高频电力进行合成。合成器(150)与匹配箱(63)连接，由合成器(150)合成后的高频电力经由匹配箱(63)供给到作为上部电极起作用的喷头(31)。
等离子体处理装置

[发明专利]等离子体处理装置-CN201410069006.4有效
发明人： 古屋敦城;樋川和志 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2014-02-27 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01J37/248 文献下载
摘要：提供一种能够正确地检测电弧放电的产生的等离子体处理装置。使用等离子体对基板(G)实施处理的等离子体处理装置(10)具备腔室(11)，其被提供高频电力而在内部产生等离子体；第一微分电路(21)，其对高频电力的行波电压Vf进行时间微分；第二微分电路(23)，其对高频电力的反射波电压Vr进行时间微分；比较器(22)，其计算dVr/dt‑dVf/dt，在计算出的该dVr/dt‑dVf/dt超过电弧放电检测值的情况下，判断为在腔室(11)内产生了电弧放电而发送信号；以及二极管(25)，其在dVf/dt为负值的情况下，将dVf/dt设为0，使得dVr/dt‑dVf/dt变小。
等离子体处理装置

[发明专利]电感耦合等离子体处理装置-CN201310565810.7有效
发明人：佐佐木和男;里吉务;山泽阳平;古屋敦城;齐藤均 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2013-11-14 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供能够使用金属窗对大型的被处理基板进行均匀的等离子体处理的电感耦合等离子体处理装置。本发明的电感耦合等离子体处理装置对矩形的基板实施电感耦合等离子体处理，具备收容基板的处理室；用于在处理室内的配置基板的区域生成电感耦合等离子体的高频天线；和配置在生成电感耦合等离子体的等离子体生成区域与高频天线之间，与基板对应地设置的呈矩形的金属窗，金属窗（2）以电绝缘的方式被分割成包括长边（2a）的第一区域（201）和包括短边（2b）的第二区域（202），其中，第二区域（202）的径向的宽度（a）与第一区域（201）的径向的宽度（b）之比a/b在0.8以上1.2以下的范围。
电感耦合等离子体处理装置

[发明专利]等离子体处理装置、生成装置及生成方法、天线结构体-CN201310233964.6有效
发明人：山泽阳平;傅宝一树;木村隆文;舆水地盐;佐佐木和男;内藤启;古屋敦城 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2013-06-13 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理装置、生成装置及生成方法、天线结构体，能够使装置结构简单化并且能够防止等离子体的生成效率下降。等离子体处理装置(10)具备腔室(11)；载置台(12)，其配置于该腔室(11)的内部并载置基板(S)；ICP天线(13)，其在腔室(11)的外部被配置成与载置台(12)对置并与高频电源(26)相连接；以及窗构件(14)，其存在于载置台(12)与ICP天线(13)之间并包含导电体，其中，窗构件(14)被分割成多个分割片(27)，多个分割片(27)彼此绝缘并且通过导线(29)、带电容器的导线(30)相连接而形成闭合回路(31)。
等离子体处理装置生成方法天线结构

[发明专利]电感耦合等离子体处理装置-CN201410039246.X在审
发明人：山泽阳平;佐佐木和男;古屋敦城;齐藤均 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2014-01-27 - 公布日： 2014-08-13 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种能够使用金属窗对大型被处理基板进行均匀的等离子体处理的电感耦合等离子体处理装置。该电感耦合等离子体处理装置对矩形形状的基板进行电感耦合等离子体处理，包括：收纳基板的处理室；用于在处理室生成电感耦合等离子体的高频天线；和金属窗，其配置在生成电感耦合等离子体的等离子体生成区域和高频天线之间，与基板对应地设置，金属窗（2）由狭缝（7）分割为多个区域，具有与长边（2b）对应的长边侧区域（202b）和与短边（2a）对应的短边侧区域（202a），狭缝中外侧狭缝（71）具有与短边侧区域对应的短边侧部分（71a）和与长边侧区域对应的长边侧部分（71b），短边侧部分的宽度大于长边侧部分的宽度。
电感耦合等离子体处理装置

[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理装置的操作方法-CN201410022526.X在审
发明人： 古屋敦城;东条利洋 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2014-01-17 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理装置，其将从至少两个高频电源分别向上部电极和/或下部电极供给与等离子体相关的高频电力，可靠地检测反射波的变动，将异常放电发生防患于未然。阈值设定部（123）在来自第二高频电源部（75）的高频的供给稳定后，在时刻（T3）在第一高频电源部（65）和第二高频电源部（75）中，将遮断用阈值的电平均切换为相对低的电平。该遮断用阈值的相对低的电平在第一高频电源部和第二高频电源部中，均从相同的时间继续。在时刻（T4），由第一高频电源部开始第一次的电力供给的增加时，阈值设定部重新设定遮断用阈值，分别提升至相对高的电平。该相对高的电平在第一高频电源部和第二高频电源部中从相同的时间继续。
等离子体处理装置操作方法

[发明专利]基板冷却系统、基板处理装置、静电吸盘及基板冷却方法-CN201210445105.9有效
发明人： 古屋敦城 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2012-11-08 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供基板冷却系统、基板处理装置、静电吸盘及基板冷却方法。即使对于大型的玻璃基板等体积电阻率值较大的基板，也具有充分的冷却效果，且能够获得与成本相称的对基板的冷却效果。在基板处理装置（10）的基板冷却系统中，基座（12）载置基板（G），静电吸盘（14）设于基座（12）的上部且静电吸附基板（G），气体流路（18）及温度调整气体供给装置（19）向被静电吸附的基板（G）与静电吸盘（14）之间的导热空间（T）供给温度调整气体，将导热空间（T）的厚度设定为50μm以下，气体流路（18）及温度调整气体供给装置（19）将3Torr（400Pa）以下的氮气或氧气作为温度调整气体供给到导热空间（T）。
冷却系统处理装置静电吸盘冷却方法

[发明专利]基板处理方法-CN201110344163.8有效
发明人： 古屋敦城;佐藤亮 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-11-02 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理方法，即使在放电开始后基板立即产生位置偏移，也能够尽早检测而立即中止处理，由此能够极力防止由于异常放电导致载置台损伤。该方法具有以下放电步骤：当通过开始提供导热气体而暂时上升的导热气体的流量降低并稳定之前成为规定的调压结束基准值以下时，对处理容器内提供高频电力来开始放电，在基板保持面上的被处理基板上产生上述处理气体的等离子体，在放电步骤中，在导热气体流量稳定之前的时刻设置多个判断点，在该判断点处，当由流量传感器检测出的导热气体流量超过规定的阈值时判断为存在基板偏移，针对每个判断点设定阈值，由此不需要等待导热气体流量的稳定就进行基板偏移判断。
处理方法

[发明专利]等离子体处理装置、基板保持机构和位置偏移检测方法-CN201110135922.X有效
发明人：东条利洋;古屋敦城 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-05-20 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供等离子体处理装置、基板保持机构、基板位置偏移检测方法，能够消除传热气体的气体流路的压力损失的影响，提高基板的位置偏移检测的精度。设置有：用于向载置台(300)与保持在其基板保持面的被处理基板之间供给来自气体供给源的气体的气体流路(352)；形成在载置台的基板保持面，将来自气体流路的气体引导至基板保持面(Ls)上的多个气体孔(354)；在基板保持面的气体孔形成区域(R)的外侧形成，检测施加于基板的背面的压力的多个压力检测孔(370a～370d)；和与这些多个压力检测孔连接的压力传感器(380a～380d)，基于来自这些压力传感器的检测压力进行基板的位置偏移检测。
等离子体处理装置保持机构位置偏移检测方法

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