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[发明专利]一种高电压瞬态电压抑制器芯片及生产工艺-CN201110441644.0有效
发明人：薄勇;王军明;刘长蔚;刘宁;白树军;王维;卢凯;刘振宇 -专利权人：天津中环半导体股份有限公司
申请日： 2011-12-26 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明涉及一种高电压瞬态电压抑制器芯片及生产工艺，采用增加辅助击穿扩散结的芯片结构，芯片主体结可使击穿电压达到250V-400V，而在芯片台面沟槽附近区域设计的辅助PN结，其击穿电压高于主体结击穿电压，使主体结区域先击穿，漏电流分布于主体结区域，而辅助结区域不发生击穿，从而解决了单扩散结结构在生产高电压芯片时的漏电大，击穿电压低，易损坏的问题，提高了高电压瞬态电压抑制器的耐压性能，同时提高瞬态电压抑制器的抗浪涌能力及可靠性
一种电压瞬态抑制器芯片生产工艺

[发明专利]一种电子陶瓷材料高压击穿评估方法和装置-CN202211282241.0在审
发明人：万莉莉;熊政伟;高志鹏;竹文坤 -专利权人：西南科技大学
申请日： 2022-10-19 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种电子陶瓷材料高压击穿评估方法和装置，包括：使用微秒脉冲高压发生装置对陶瓷样品进行脉冲电压加载，实时监控陶瓷样品在电压击穿过程中的电压和电流信号，通过测量陶瓷样品等效电阻的变化来表征击穿的产生和发展过程；分析陶瓷样品电流/电压‑时间曲线，获得击穿电压幅值、击穿电压变化率、电压平均上升斜率、击穿电压弛豫时间；分析陶瓷样品电流/电压随时间阶段变化的过程，揭示陶瓷材料结构因子对电击穿过程的影响规律。本发明可以对所有电子陶瓷进行高电压击穿实验，并给出电子陶瓷高电压击穿的结构判据，揭示电子陶瓷的电击穿机理，为电子陶瓷电击穿行为的评估提供了科学方法。
一种电子陶瓷材料高压击穿评估方法装置

[发明专利]高击穿电压LDMOS器件-CN201310265326.2有效
发明人：杨宏宁;D·J·布隆伯格;左将凯 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2013-06-28 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：由与所述DTI壁（60）相关联的所述横向接近边缘第二LDMOS区域(83)展示的电场增强以及下层源极‑漏极击穿电压(BVDSS)通过在接近所述DTI壁（60）的所述SOI支撑结构(21)中提供一个掺杂SC
击穿电压 ldmos 器件

[实用新型]高电压瞬态电压抑制器芯片-CN201120551293.4有效
发明人：薄勇;刘亚东;安毅力;张超;王睿;艾传令;郝会振;孔祥和 -专利权人：天津中环半导体股份有限公司
申请日： 2011-12-26 - 公布日： 2012-09-05 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种高电压瞬态电压抑制器芯片，芯片结构为P+NN+单向高电压瞬态电压抑制器或P+NP+双向高电压瞬态电压抑制器芯片，P+NN+单向高电压瞬态电压抑制器的芯片正面截层依次为：TVS芯片、台面沟槽、玻璃层和金属面；P+NP+双向高电压瞬态电压抑制器，芯片正面截层依次为：TVS芯片、台面沟槽、玻璃层和金属面；芯片主体结可使击穿电压达到250V-400V，而在芯片台面沟槽附近区域设计的辅助PN结，其击穿电压高于主体结击穿电压，使主体结区域先击穿，漏电流分布于主体结区域，而辅助结区域不发生击穿，从而解决了单扩散结结构在生产高电压芯片时的漏电大，击穿电压低，易损坏的问题，提高了高电压瞬态电压抑制器的耐压性能，提高瞬态电压抑制器的抗浪涌能力及可靠性
电压瞬态抑制器芯片

[发明专利]高击穿电压的双栅极半导体器件-CN201210529769.3有效
发明人： D·A·马斯利阿;A·G·布拉卡尔;F·C·休恩;P·J·巴劳尔 -专利权人： ACCO半导体公司
申请日： 2008-02-13 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种双栅极半导体器件提供如下高击穿电压，该击穿电压允许对功率应用有用的输出电压的大的偏移。该双栅极半导体器件可以视为包括MOS栅极和结栅极的双栅极器件，其中结栅极的偏置可以是MOS栅极的栅极电压的函数。双栅极半导体器件的击穿电压是MOS栅极和结栅极的击穿电压之和。由于单独的结栅极具有本征高击穿电压，所以双栅极半导体器件的击穿电压大于单独的MOS栅极的击穿电压。双栅极半导体器件与常规晶体管器件相比除了在更高功率水平的可操作性之外还提供改进的RF能力。
击穿电压栅极半导体器件

[发明专利]高击穿电压的双栅极半导体器件-CN200880128225.8有效
发明人： D·A·马斯利阿;A·G·布拉卡尔;F·C·休恩;P·J·巴劳尔 -专利权人： ACCO半导体公司
申请日： 2008-02-13 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： H01L29/93 文献下载
摘要：一种双栅极半导体器件提供如下高击穿电压，该击穿电压允许对功率应用有用的输出电压的大的偏移。该双栅极半导体器件可以视为包括MOS栅极和结栅极的双栅极器件，其中结栅极的偏置可以是MOS栅极的栅极电压的函数。双栅极半导体器件的击穿电压是MOS栅极和结栅极的击穿电压之和。由于单独的结栅极具有本征高击穿电压，所以双栅极半导体器件的击穿电压大于单独的MOS栅极的击穿电压。双栅极半导体器件与常规晶体管器件相比除了在更高功率水平的可操作性之外还提供改进的RF能力。
击穿电压栅极半导体器件

[发明专利]电极空气间隙击穿电压的预测方法-CN201310752299.1有效
发明人：阮江军;舒胜文;黄道春;普子恒 -专利权人：武汉大学
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： G06F19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种电极空气间隙击穿电压的预测方法，首先，测量不同结构典型电极空气间隙的击穿电压值，并定义耐受电压区间和击穿电压区间；然后，对不同结构典型电极间隙进行电场计算并提取电场特征量，构建训练样本集；接着，基于训练样本集构建击穿电压预测模型，该击穿电压预测模型以电场特征量为输入、以耐受电压区间和击穿电压区间为输出；最后，采用击穿电压预测模型预测电极空气间隙的击穿电压。本发明操作简单，预测准确度高，周期短，成本低，适用于工程应用，预测结果可用来指导输电变电工程设计。
电极空气间隙击穿电压预测方法

[发明专利]器件击穿电压确定方法、装置、芯片、电子设备及介质-CN202210944521.7有效
发明人：赵东艳;付振;梁英宗;王于波;陈燕宁;张东嵘;成睿琦;王凯;杨剑;杜艳 -专利权人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司;国网山东省电力公司营销服务中心（计量中心）;国家电网有限公司
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本公开涉及半导体技术领域，具体涉及一种器件击穿电压确定方法、装置、芯片、电子设备及介质，所述器件击穿电压确定方法包括：获取器件在不同条件下的多条击穿电压特性曲线；获取所述多条击穿电压特性曲线对应的时间序列数据Y；基于普雷斯科特HP滤波法对所述时间序列数据Y进行滤波，得到所述时间序列数据Y中的周期项C；基于匹配算法确定所述周期项C的特征点；基于所述特征点确定所述器件击穿电压的置信区间。采用本公开实施例的技术方案，能够解决现有技术中人工提取击穿电压参数时效率低、误差大的技术问题，实现了器件击穿电压的自动提取，提取效率高、精度高。
器件击穿电压确定方法装置芯片电子设备介质

[其他]兆欧测量仪-CN86207980无效
发明人：屈习生 -专利权人：屈习生
申请日： 1986-10-10 - 公布日： 1988-07-06 - 主分类号： G01R31/14 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种测量高电阻值和介质击穿电压的仪表和电路。光敏元件和放大电路显示高电阻值的数值，显示仪表配有调∞电阻和调零电阻电路；电发光元件显示介质击穿程度，过电流继电器在介质发生击穿时切断测量回路；不用由零电压或低电压逐渐升压，只要移动测量接头L和E，即可进行介质击穿电压的连续测量
兆欧测量仪

[实用新型]高击穿电压绕包线-CN201922031173.0有效
发明人：张祺 -专利权人：安徽中威铜业有限公司
申请日： 2019-11-21 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01B7/02 文献下载
摘要：本实用新型提供了高击穿电压绕包线，包括导线、绝缘薄膜层、防裂层、云母带层、绝缘漆层以及致密层；所述防裂层采用绕包角度为45‑60°的玻璃丝绕包而成，所述云母带层的叠包率为55‑60％，所述致密层采用绕包角度为1‑2°的玻璃丝绕包而成；绝缘薄膜层起到绝缘的作用，防裂层够在沿绕包线径向方向上起到抗拉作用，使绕包线在进行缠卷弯曲时不会裂开，云母带层起到耐高温、耐电晕、提高绕包线击穿电压的作用；绝缘漆层增强绕包线的绝缘性能
击穿电压绕包线

[发明专利]高击穿电压半导体器件-CN201280018575.5有效
发明人：曹大为;北村睦美;田村隆博;大西泰彦 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2012-05-28 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：半导体区域在平行pn层中交替排列，在所述平行pn层中，n型区和p型区沿与半导体基板的主面平行的方向交替排列。边缘终止区中的第二平行pn层（微细SJ单元（12E））的n漂移区（12c）与p分隔区（12d）之间的间距是活性区域中的第一平行pn层（主SJ单元（12））的n漂移区（12a）与p分隔区（12b）之间的间距的三分之二。在俯视下具有矩形形状的半导体基板的四个角上的主SJ单元（12）与微细SJ单元（12E）之间的边界上，主SJ单元（12）的两个间距的端部与微细SJ单元（12E）的三个间距的端部相对。由此，能减小工艺偏差的影响，并能减少微细SJ单元（12E）的n漂移区（12c）与p分隔区（12d）之间的相互扩散。
击穿电压半导体器件

[发明专利]一种空气间隙击穿电压预测方法-CN201510276083.1在审
发明人：阮江军;邱志斌;黄道春;廖一帆;张福增;魏梦婷;唐烈峥;黄从鹏;徐闻婕 -专利权人：武汉大学;南方电网科学研究院有限责任公司
申请日： 2015-05-26 - 公布日： 2015-09-02 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种空气间隙击穿电压预测方法，选取若干典型电极结构空气间隙，确定影响其击穿电压的因素及水平范围；选用能够考察上述因素各个水平的正交表，按照各试验号对应的试验条件依次进行击穿电压试验；加载击穿电压试验值对典型电极结构空气间隙进行静电场计算，从计算结果中提取电场分布参数；采用支持向量机建立击穿电压预测模型，将电场分布参数作为模型的输入，以间隙在加载电压下是否击穿作为模型的输出，采用典型电极结构空气间隙击穿电压试验数据对支持向量机模型进行训练，从而预测得到其他电极结构的空气间隙击穿电压。本发明预测过程简单、准确性高，有助于减少空气间隙放电特性研究所需的试验量，降低试验成本。
一种空气间隙击穿电压预测方法

[发明专利]基于直流叠加冲击电压的GIL内金属微粒检测方法-CN202010782662.4在审
发明人：丁然;魏旭;赵科;李洪涛;刘媛;腾云;李玉杰;邓洁清;陶风波;高山;张量;胡成博;马勇;陈少波;刘咏飞;徐阳;张照辉;杨騉;马径坦;肖焓艳 -专利权人：国网江苏省电力有限公司电力科学研究院;国家电网有限公司;国网江苏省电力有限公司;江苏省电力试验研究院有限公司
申请日： 2020-08-06 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于直流叠加冲击电压的GIL内金属微粒检测方法，包括以下过程：在GIL投运前，对GIL施加直流叠加冲击电压，并测量其击穿电压；在GIL投运后，对GIL施加同样的直流叠加冲击电压，并测量其击穿电压；对比GIL投运前后的击穿电压，若击穿电压发生降低则说明GIL内具有较多的金属微粒。本发明利用直流叠加冲击电压对GIL中金属微粒进行了检测，仅需对比运行前后的击穿电压就可以判断GIL金属微粒污染程度，具有操作方便、判断方法简单、检出率高的优点。
基于直流叠加冲击电压 gil 金属微粒检测方法

[发明专利]一种组合空气间隙击穿电压预测方法-CN201810070447.4有效
发明人：邱志斌;阮江军;金颀;王学宗 -专利权人：武汉大学
申请日： 2018-01-24 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：本发明涉及高电压与绝缘技术，具体涉及一种组合空气间隙击穿电压预测方法，将高压电极与悬浮导体之间的空气间隙定义为第一间隙，将悬浮导体与接地电极之间的空气间隙定义为第二间隙，建立组合空气间隙的三维模型，采用有限元法计算静电场分布，从中提取第一间隙和第二间隙最短路径上的电场特征集，将其作为SVR的输入参量，通过击穿电压一次预测，确定先击穿间隙及其击穿电压值；根据击穿后悬浮导体的电位变化情况进行静电场二次计算、电场特征集提取及击穿电压二次预测，确定后击穿间隙的击穿电压值；通过比较两个击穿电压值，取较大者作为组合空气间隙的整体击穿电压预测值。
一种组合空气间隙击穿电压预测方法

[发明专利]半导体装置-CN201380032748.3有效
发明人：中岛昭;西泽伸一;大桥弘通 -专利权人：独立行政法人产业技术综合研究所
申请日： 2013-06-05 - 公布日： 2017-09-19 - 主分类号： H01L21/337 文献下载
摘要：在用于电力转换器的宽带隙半导体装置中，存在着由于高浪涌电压而导致装置被破坏的问题点，因而需要提高击穿耐量，并认识到该问题在单极型、横向型的半导体装置中更为明显。本发明提供一种半导体装置，其构成一种在装置内部具有穿通击穿单元的半导体装置，进一步构成为穿通击穿的击穿电压低于雪崩击穿电压，因而不会引起雪崩击穿，从而防止由雪崩击穿而导致半导体装置损坏，且击穿耐量大。
半导体装置

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