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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体装置-CN201380032748.3有效
  • 中岛昭;西泽伸一;大桥弘通 - 独立行政法人产业技术综合研究所
  • 2013-06-05 - 2017-09-19 - H01L21/337
  • 在用于电力转换器的宽带隙半导体装置中，存在着由于高浪涌电压而导致装置被破坏的问题点，因而需要提高击穿耐量，并认识到该问题在单极型、横向型的半导体装置中更为明显。本发明提供一种半导体装置，其构成一种在装置内部具有穿通击穿单元的半导体装置，进一步构成为穿通击穿的击穿电压低于雪崩击穿电压，因而不会引起雪崩击穿，从而防止由雪崩击穿而导致半导体装置损坏，且击穿耐量大。
  • 半导体装置
  • [发明专利]功率半导体器件-CN03805205.9无效
  • 斋藤涉;大村一郎;大桥弘通 - 株式会社东芝
  • 2003-01-29 - 2005-07-13 - H01L29/808
  • 一种功率半导体器件包括：非掺杂的GaN沟道层(1)、形成在沟道层(1)上的n型Al0.2Ga0.8N阻挡层(2)、有选择地形成在阻挡层(2)上的p型Al0.1Ga0.9N半导体层(3)、位于半导体层(3)两侧之一上并形成在阻挡层(2)上的漏电极(4)、在至少半导体层(3)和漏电极(4)之间在与半导体层(3)相邻的阻挡层(2)上形成的绝缘膜(7)、和形成在绝缘膜(7)上的场板电极(8)。
  • 功率半导体器件
  •  1 
  • 共 3 条
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